曝光显影：在所有的制程中，**关键的莫过于微影技术。这个技术就像照相的曝光显影，要把 IC 工程师设计好的蓝图，忠实地制作在芯片上，就需要利用曝光显影的技术。在现今的纳米制程上，不只要求曝光显影出来的图形是几十纳米的大小，还要上下层结构在 30 公分直径的晶圆上，对准的准确度在几纳米之内。这样的精细程度相当于在中国大陆的面积上，每次都能精细地找到一颗玻璃弹珠。因此这个设备与制程在半导体工厂里是**复杂、也是**昂贵的。国内企业飞凯材料在光刻胶方面取得进展，其生产的i-line以及Barc光刻胶配套材料可用于芯片制造领域 [7]。刻蚀机（Etching Equipment）：用于去除不需要的材料，以形成所需的电路图案。静安区节能半导体设备零部件代理商
均匀性：片内均匀性≤±3%（Oxford PlasmaPro 100），其他型号可达±5%（Oxford PlasmaPro 100） [1]温度控制：-150℃~110℃（Oxford PlasmaPro 100） [1]选择比：对光刻胶选择比≥30:1（Oxford PlasmaPro 100） [1]刻蚀机的结构可分为主体和附属设备两大部分。主体包括设备前端（EFEM）、传输模块（TM）和工艺模块（PM）三大模块。附属设备则为以上三大模块提供保障支持 [14]。等离子体刻蚀设备上采用陶瓷材料制作的部件主要有窗视镜、气体分散盘、喷嘴、绝缘环、盖板、聚焦环和静电吸盘等。静电吸盘的内部结构主要包括介电层、加热层和基座。AlN和SiC因为具有较高的热导率，都可以用于制作静电吸盘的介电层。聚焦环的作用是提供均衡的等离子，要求与硅晶圆有相似的电导率。窗视镜材料要求透光率高，开始采用的是石英玻璃材料，但容易被腐蚀得模糊不清，之后被Al2O3材料替代 [14]。松江区质量半导体设备零部件节能标准典型产品：射频电源、射频匹配器、远程等离子源。
深硅刻蚀（DRIE）是实现高深宽比硅结构的关键技术，其**是Bosch工艺（反应离子刻蚀RIE的一种）。该工艺采用刻蚀与钝化交替进行的脉冲循环模式：在刻蚀阶段，通入SF6等气体产生等离子体，通过离子轰击和化学反应去除硅材料；在钝化阶段，通入C4F8等气体，在侧壁沉积一层聚合物薄膜进行保护 [15]。通过精确控制循环参数，可在保持侧壁垂直度（如89°±1°）的同时，实现高达50:1甚至更高的深宽比刻蚀 [11-12]。低温刻蚀是3D NAND存储器制造中的关键技术，工艺温度可低至-30°C。**温环境结合特定的化学气体，能有效抑制侧向刻蚀，实现孔径*100纳米、深度达10微米、深宽比接近70:1的近乎垂直通道孔的刻蚀。该技术由Lam Research和东京电子（TEL）主导，并已发展到第三代。此外，人工智能（AI）技术被用于优化多达33个刻蚀参数，以控制通道孔的轮廓形貌 [16]。
该技术采用低电容耦合LCC 3D线圈等创新设计，已应用于5纳米及更先进的逻辑芯片产线 [7]。此外，北方华创的12英寸深硅刻蚀机PSE V300通过快速气体和射频切换控制系统，能在50:1高深宽比刻蚀中准确控制侧壁形貌，其TSV刻蚀速率达到国际主流水平，已成为国内TSV量产生产线主力机台 [19] [26]。干法刻蚀（等离子体刻蚀）根据等离子体产生和控制技术的不同，主要分为电容耦合等离子体（CCP）刻蚀机和电感耦合等离子体（ICP）刻蚀机，其中CCP刻蚀机主要用于电介质材料的刻蚀工艺，ICP刻蚀机主要用于硅刻蚀和金属刻蚀 [14]。技术难点：光学精度（如NA值>1.35）、透镜镀膜均匀性。
近年来，国内企业如恒运昌通过自主研发等离子体射频电源系统，攻克了高深宽比蚀刻的**难题，其第三代Aspen系列产品可支持7-14纳米制程 [4]。飞凯材料生产的湿制程电子化学品如显影液、蚀刻液、剥离液、电镀液等也应用于半导体制造及先进封装领域 [7]。除了精细度与均匀度的要求外，在量产时对于设备还有一项严苛的要求，那就是速度。因为时间就是金钱，在同样的时间内，如果能制造出较多的成品，成本自然下降，价格才有竞争力。另外质量的稳定性也非常重要，不只同一批产品的质量要一样，生产的 IC 与下星期、下个月生产的也要具有同样的性能，因此质量管控非常重要。通常量产工厂对于生产条件的管制，包括原料、设备条件、制程条件与环境条件等要求都非常严格，不容任意变更，为的就是保持质量的稳定度。功能：实现晶圆装载、传输及运动控制。静安区常见半导体设备零部件服务热线
离子注入机（Ion Implantation Equipment）：用于将掺杂物注入硅片，以改变其电学特性。静安区节能半导体设备零部件代理商
2025年2月23日，据韩联社报道，一项调查显示，截至去年，韩国半导体技术在几乎所有关键领域都落后于中国，这与之前的评估结果不同。根据韩国科学技术企划评价院对39名当地**进行的调查，韩国在高集成度、低阻抗存储技术方面排名第二，得分为90.9%，而中国为94.1%，世界比较高技术水平的基准为100%。调查显示，在高性能、低功耗人工智能（AI）半导体领域，韩国的得分为84.1%，落后于中国的88.3%。在功率半导体方面，韩国为67.5%，中国为79.8%；新一代高性能传感技术方面，韩中两国分别为81.3%和83.9%；半导体先进封装技术方面，两国均为74.2%。 [1]2月25日消息，三星将使用长江存储**技术，系历史*** [2]静安区节能半导体设备零部件代理商
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