全球半导体刻蚀设备市场由泛林集团、东京电子、应用材料三家厂商占据主要份额。2023-2025年全球半导体刻蚀设备市场规模从148.2亿美元增至164.8亿美元，年均复合增长率约5.5%。有预测指出，2026年全球半导体刻蚀设备市场规模将达173.8亿美元 [20]。刻蚀设备市场格局高度集中。2020年，刻蚀行业**大厂商Lam Research、东京电子及应用材料的市场份额分别为46.71%、26.57%、16.96%，合计占据总市场份额的90.24%。位列**的中国企业包括中微公司、北方华创、屹唐股份，占比分别为1.37%、0.89%和0.1% [25]。科益虹源研发193nm DUV光源，茂莱光学透镜通过ASML供应商认证，但EUV光学仍由蔡司、Cymer垄断。黄浦区新型半导体设备零部件制定
该技术采用低电容耦合LCC 3D线圈等创新设计，已应用于5纳米及更先进的逻辑芯片产线 [7]。此外，北方华创的12英寸深硅刻蚀机PSE V300通过快速气体和射频切换控制系统，能在50:1高深宽比刻蚀中准确控制侧壁形貌，其TSV刻蚀速率达到国际主流水平，已成为国内TSV量产生产线主力机台 [19] [26]。干法刻蚀（等离子体刻蚀）根据等离子体产生和控制技术的不同，主要分为电容耦合等离子体（CCP）刻蚀机和电感耦合等离子体（ICP）刻蚀机，其中CCP刻蚀机主要用于电介质材料的刻蚀工艺，ICP刻蚀机主要用于硅刻蚀和金属刻蚀 [14]。崇明区本地半导体设备零部件大概费用典型产品：射频电源、射频匹配器、远程等离子源。
纳米技术有很多种，基本上可以分成两类，一类是由下而上的方式或称为自组装的方式，另一类是由上而下所谓的微缩方式。前者以各种材料、化工等技术为主，后者以半导体技术为主。以前我们都称 IC 技术是「微电子」技术，那是因为晶体管的大小是在微米（10-6米）等级。但是半导体技术发展得非常快，每隔两年就会进步一个世代，尺寸会缩小成原来的一半，这就是有名的摩尔定律（Moore’s Law）。半导体开始进入次微米，即小于微米的时代，尔后更有深次微米，比微米小很多的时代。晶体管尺寸已突破100纳米门槛，正式进入纳米电子时代 [3]。
摩尔法则(Moore’slaw)问世50周年，这一法则的诞生是半导体技术发展史上的一个里程碑。这50年里，摩尔法则成为了信息技术发展的指路明灯。计算机从神秘不可近的庞然大物变成多数人都不可或缺的工具，信息技术由实验室进入无数个普通家庭，因特网将全世界联系起来，多媒体视听设备丰富着每个人的生活。这一法则决定了信息技术的变化在加速，产品的变化也越来越快。人们已看到，技术与产品的创新大致按照它的节奏，超前者多数成为先锋，而落后者容易被淘汰。功率半导体：用于控制和转换电力，如功率二极管和功率晶体管。
当**星的2纳米全环绕栅极（GAA）技术**着全球光刻制程的比较高水平 [8]，同时国内厂商如恒运昌也在特定领域取得进展 [4]。三星已完成第二代2纳米GAA工艺节点的基础设计，并计划在两年内落地第三代2纳米GAA技术——SF2P+工艺。同时，三星已启动1纳米芯片的研发工作，目标在2029年实现量产 [8]。未来的IC大部分会由纳米技术做成 [4]，根据韩国半导体工程师学会发布的《2026年半导体技术路线图》，预测到2040年芯片制程将突破至0.2纳米，正式迈入埃米级技术时代。作为高技术壁垒环节，零部件国产化率不足15%，是制约中国半导体产业自主可控的“卡脖子”环节。徐汇区质量半导体设备零部件价目
光电二极管和光电晶体管：用于光信号的检测和转换。黄浦区新型半导体设备零部件制定
鲁汶仪器有限公司研发了针对12英寸集成电路产业的特种金属膜层刻蚀系统，其**产品Herent® Chimera® M金属刻蚀设备可用于后道高密度铝导线互连工艺，同时该公司自主研发的磁存储器刻蚀机填补了国内相关技术的空白 [4] [21] [23]。全球半导体刻蚀设备市场呈现高度集中的格局，主要厂商包括泛林集团（Lam Research）、东京电子（TEL）和应用材料（AMAT）等国际企业。国内**企业包括中微公司、北方华创、屹唐股份和鲁汶仪器等 [14] [20-21] [25]。黄浦区新型半导体设备零部件制定
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