半导体技术就是以半导体为材料，制作成组件及集成电路的技术。在周期表里的元素，依照导电性大致可以分成导体、半导体与绝缘体三大类。最常见的半导体是硅（Si），当然半导体也可以是两种元素形成的化合物，例如砷化镓（GaAs），但化合物半导体大多应用在光电方面。绝大多数的电子组件都是以硅为基材做成的，因此电子产业又称为半导体产业。半导体技术比较大的应用是集成电路（IC），举凡计算机、手机、各种电器与信息产品中，一定有 IC 存在，它们被用来发挥各式各样的控制功能，有如人体中的大脑与神经。因此在半导体制造过程中，选择合适的设备和零部件至关重要。徐汇区新时代半导体设备零部件节能标准
均匀性：片内均匀性≤±3%（Oxford PlasmaPro 100），其他型号可达±5%（Oxford PlasmaPro 100） [1]温度控制：-150℃~110℃（Oxford PlasmaPro 100） [1]选择比：对光刻胶选择比≥30:1（Oxford PlasmaPro 100） [1]刻蚀机的结构可分为主体和附属设备两大部分。主体包括设备前端（EFEM）、传输模块（TM）和工艺模块（PM）三大模块。附属设备则为以上三大模块提供保障支持 [14]。等离子体刻蚀设备上采用陶瓷材料制作的部件主要有窗视镜、气体分散盘、喷嘴、绝缘环、盖板、聚焦环和静电吸盘等。静电吸盘的内部结构主要包括介电层、加热层和基座。AlN和SiC因为具有较高的热导率，都可以用于制作静电吸盘的介电层。聚焦环的作用是提供均衡的等离子，要求与硅晶圆有相似的电导率。窗视镜材料要求透光率高，开始采用的是石英玻璃材料，但容易被腐蚀得模糊不清，之后被Al2O3材料替代 [14]。杨浦区新型半导体设备零部件检测国产化进展：华卓精科打破ASML双工件台垄断，应用于国产28nm光刻机。
21世纪初及以前，中国半导体行业所需设备几乎全部依赖进口，近20年来中国半导体行业的强劲发展不*没有拉动中国半导体装备的发展，反而由于引进的冲击使中国的半导体设备行业濒临全军覆没 [8]，2022年中国从日本进口的刻蚀机占刻蚀进口总额的89% [24]。国家重大科技专项的实施，**增强了中国半导体装备产业的整体竞争能力，北方微电子是国内***家将半导体**工艺设备进入主流生产线的本土设备企业 [8]。2006年，中微公司研发的***代双反应台电容耦合CCP刻蚀设备Primo D-RIE®在国际先进的逻辑客户的产线上成功得到核准，随之取得重复订单 [7]。中微公司成立于2004年，公司开发的12英寸**刻蚀设备已运用在国际国内**客户65nm到5nm及下一代更先进的芯片生产线上，北方华创于2005年推出我国***台自主研发的干法刻蚀设备 [25]。
深硅刻蚀（DRIE）是实现高深宽比硅结构的关键技术，其**是Bosch工艺（反应离子刻蚀RIE的一种）。该工艺采用刻蚀与钝化交替进行的脉冲循环模式：在刻蚀阶段，通入SF6等气体产生等离子体，通过离子轰击和化学反应去除硅材料；在钝化阶段，通入C4F8等气体，在侧壁沉积一层聚合物薄膜进行保护 [15]。通过精确控制循环参数，可在保持侧壁垂直度（如89°±1°）的同时，实现高达50:1甚至更高的深宽比刻蚀 [11-12]。低温刻蚀是3D NAND存储器制造中的关键技术，工艺温度可低至-30°C。**温环境结合特定的化学气体，能有效抑制侧向刻蚀，实现孔径*100纳米、深度达10微米、深宽比接近70:1的近乎垂直通道孔的刻蚀。该技术由Lam Research和东京电子（TEL）主导，并已发展到第三代。此外，人工智能（AI）技术被用于优化多达33个刻蚀参数，以控制通道孔的轮廓形貌 [16]。全球半导体设备零部件市场规模超400亿美元，中国市场规模约125亿美元，且随晶圆厂扩产持续扩张。
半导体技术进入纳米时代后，除了水平方向尺寸的微缩造成对微影技术的严苛要求外，在垂直方向的要求也同样地严格。一些薄膜的厚度都是 1 ~ 2 纳米，而且在整片上的误差小于 5%。这相当于在100个足球场的面积上要很均匀地铺上一层约1公分厚的泥土，而且误差要控制在 0.05 公分的范围内。蚀刻：另外一项重要的单元制程是蚀刻，用化学反应结合高能等离子体（如恒运昌开发的射频电源系统所精细控制的电浆）去除或挖洞。在未来的纳米蚀刻技术中，有一项深度对宽度的比值需求是相当于要挖一口 100 公尺的深井，挖完之后再用三种不同的材料填满深井，可是每一层材料的厚度只有 10 层原子或分子左右。这也是技术上的一大挑战技术难点：高频稳定性（如60MHz射频电源）、功率密度（>10W/cm²）。杨浦区新型半导体设备零部件检测
技术难点：真空泵耐腐蚀性（如CF4气体）、MFC响应速度（<100ms）。徐汇区新时代半导体设备零部件节能标准
就中国本土市场而言，刻蚀设备国产化率约在20%左右。中国国内企业中微公司、北方华创和屹唐半导体合计占据2.36%的市场份额 [14]。中微公司是中国半导体刻蚀、MOCVD设备的主要供应商之一。2024年，中微公司营业收入约90.65亿元，其中刻蚀设备收入约72.77亿元。在逻辑集成电路制造环节，公司开发的12英寸**刻蚀设备已应用于65纳米到5纳米及更先进制程的芯片生产线。公司的CCP刻蚀设备已在5纳米及更先进产线量产，ICP刻蚀设备已在超过20家客户产线量产 [7]。徐汇区新时代半导体设备零部件节能标准
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