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二极管基本参数
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紫外发光二极管是氮化物技术发展和第三代半导体材料技术发展的主要趋势,拥有广阔的应用前景。中国科技部为了加快第三代半导体固态紫外光源的发展,争施了“第三代半导体固态紫外光源材料及器件关键技术”重点研发计划专项(2016YFB0400800)。国家重点研发计划的支持和国际紫外材料与器件研讨会的举办,将为加快实现我国第三代半导体紫外光源的市场化应用,带动我国紫外半导体发光二极管材料和器件技术创亲及产业化发展发挥积极的作用。 [4]二极管有两个电极,正极,又叫阳极;普陀区通用二极管设计

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(3)以阻值较小的一次测量为准,黑表笔所接的一端为正极,红表笔所接的一端则为负极。(d)观察二极管外壳,带有银色带一端为负极。 [7]2. 检测比较高反向击穿电压。对于交流电来说,因为不断变化,因此最高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。 [7]双向触发二极管将万用表置于相应的直流电压挡,测试电压由兆欧表提供。 [8]测试时,摇动兆欧表,万同样的方法测出VBR值。***将VBO与VBR进行比较,两者的***值之差越小,说明被测双向触发二极管的对称性越好。 [8]宝山区特点二极管专卖店外加反向电压超过某一数值时,反向电流会突然增大,这种现象称为电击穿。

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PN结形成原理P型和N型半导体P型半导体是在本征半导体(一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体)掺入少量三价元素杂质,如硼等。因硼原子只有三个价电子,它与周围的硅原子形成共价键,因缺少一个电子,在晶体中便产生一个空位,当相邻共价键上的电子获得能量时就有可能填补这个空位,使硼原子成了不能移动的负离子,而原来的硅原子的共价键则因缺少一个电子,形成了空穴,但整个半导体仍呈中性。这种P型半导体中以空穴导电为主,空穴为多数载流子,自由电子为少数载流子。

LED灯就是发光二极管,是采用固体半导体芯片为发光材料,与传统灯具相比,LED灯节能、环保、显色性与响应速度好。 [3](一)节能是LED灯**突出的特点在能耗方面,LED灯的能耗是白炽灯的十分之一,是节能灯的四分之一。这是LED灯的一个比较大的特点。现在的人们都崇尚节能环保,也正是因为节能的这个特点,使得LED灯的应用范围十分***,使得LED灯十分的受欢迎。 [3](二)可以在高速开关状态工作我们平时走在马路上,会发现每一个LED组成的屏幕或者画面都是变化莫测的。这说明LED灯是可以进行高速开关工作的。但是,对于我们平时使用的白炽灯,则达不到这样的工作状态。在平时生活的时候,如果开关的次数过多,将直接导 致白炽灯灯丝断裂。这个也是LED灯受欢迎的重要原因。一般硅管的反向电流比锗管小得多,小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级,小功率锗管在μA数量级。

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反向电流反向电流是指二极管在常温(25℃)和比较高反向电压作用***过二极管的反向电流。反向电流越小,管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系,大约温度每升高10℃,反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管,在25℃时反向电流若为250μA,温度升高到35℃,反向电流将上升到500μA,依此类推,在75℃时,它的反向电流已达8mA,不仅失去了单方向导电特性,还会使管子过热而损坏。又如,2CP10型硅二极管,25℃时反向电流*为5μA,温度升高到75℃时,反向电流也不过160μA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。 [4]二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件 [1]。宝山区特点二极管专卖店

用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标,称为二极管的参数。普陀区通用二极管设计

发光二极管的**部分是由P型半导体和N型半导体组成的晶片,在P型半导体和N型半导体之间有一个过渡层,称为PN结。在某些半导体材料的PN结中,注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来,从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电压,少数载流子难以注入,故不发光。当它处于正向工作状态时(即两端加上正向电压),电流从LED阳极流向阴极时,半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色的光线,光的强弱与电流有关。普陀区通用二极管设计

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