常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路,等等。可控硅的主要参数有:1、 额定通态平均电流IT 在一定条件下,阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。2、 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号,阳极正向电压还未超过导能电压时,可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值,不能超过手册给出的这个参数值。3、 反向阻断峰值电压VPR 当可控硅加反向电压,处于反向关断状态时,可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时,不能超过手册给出的这个参数值。额定通态电流(IT)即大稳定工作电流,俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。虹口区特点可控硅服务热线

这在高温下尤为严重,在这种情况下可以在MT1和MT2间加一个RC缓冲电路来限制VD/DT,或可采用高速可控硅(晶闸管)。5、关于连续峰值开路电压VDRM在电源不正常的情况下,可控硅(晶闸管)两端的电压会超过连续峰值开路电压VDRM的最大值,此时可控硅(晶闸管)的漏电流增大并击穿导通。如果负载能允许很大的浪涌电流,那么硅片上局部的电流密度就很高,使这一小部分先导通。导致芯片烧毁或损坏。另外白炽灯,容性负载或短路保护电路会产生较高的浪涌电流,这时可外加滤波器和钳位电路来防止尖峰(毛刺)电压加到双向可控硅(晶闸管)上 [2]。浦东新区国产可控硅服务热线“一触即发”。但是,如果阳极或控制极外加的是反向电压,晶闸管就不能导通。

式(1—1)中,在晶闸管导通后,1-(a1+a2)≈0,即使此时门极电流Ig=0,晶闸管仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通。晶闸管在导通后,门极已失去作用。在晶闸管导通后,如果不断的减小电源电压或增大回路电阻,使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时,由于a1和a1迅速下降,当1-(a1+a2)≈0时,晶闸管恢复阻断状态普通可控硅**基本的用途就是可控整流。二极管整流电路属于不可控整流电路。如果把二极管换成可控硅,就可以构成可控整流电路。我画一个**简单的单相半波可控整流电路。在正弦交流电压U2的正半周期间,如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug,VS仍然不能导通,只有在U2处于正半周,在控制极外加触发脉冲Ug时,可控硅被触发导通。
四象限/非绝缘/双向可控硅:BTB06-600C、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600B等等;ST公司所有产品型号的后缀字母(型号***一个字母)带“W”的,均为“三象限双向可控硅”。如“BW”、“CW”、“SW”、“TW”;**型号如:BTB12-600BW、BTA26-700CW、BTA08-600SW等。至于型号后缀字母的触发电流,各个厂家的**含义如下:PHILIPS公司:D=5mA,E=10mA,C=15mA,F=25mA,G=50mA,R=200uA或5mA,型号没有后缀字母之触发电流,通常为25-35mA;PHILIPS公司的触发电流**字母没有统一的定义,以产品的封装不同而不同。反向重复峰值电压(VRRM)或断态重复峰值电压(VDRM),俗称耐压。

四种触发方式可控硅四种触发方式可控硅四种触发方式由于在双向可控硅的主电极上,无论加以正向电压或是反向电压,也不管触发信号是正向还是反向,它都能被触发导通,因此它有以下四种触发方式:(1)当主电极T2对Tl所加的电压为正向电压,控制极G对***电极Tl所加的也是正向触发信号(图5a)。双向可控硅触发导通后,电流I2l的方向从T2流向T1。由特性曲线可知,这时双向可控硅触发导通规律是按***象限的特性进行的,又因为触发信号是正向的,所以把这种触发叫做“***象限的正向触发”或称为I+触发方式。 [3](2)如果主电极T2仍加正向电压,而把触发信号改为反向信号(图5b),这时双向可控硅触发导通后,通态电流的方向仍然是从T2到T1。可控硅的弱点:静态及动态的过载能力较差;容易受干扰而误导通。上海制造可控硅现价
双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接,这种可控硅具有双向导通功能。虹口区特点可控硅服务热线
为了克服上述问题,可以在端子MT1和MT2之间加一个RC网络来限制电压的变化,以防止误触发。一般,电阻取100R,电容取100nF。值得注意的是此电阻不能省掉。3、关于转换电流变化率当负载电流增大,电源频率的增高或电源为非正弦波时,会使转换电流变化率变高,这种情况**易在感性负载的情况下发生,很容易导致器件的损坏。此时可以在负载回路中串联一只几毫亨的空气电感。4、关于可控硅(晶闸管)开路电压变化率DVD/DT在处于截止状态的双向可控硅(晶闸管)两端加一个小于它的VDFM的高速变化的电压时,内部电容的电流会产生足够的栅电流来使可控硅(晶闸管)导通。虹口区特点可控硅服务热线
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