非晶态半导体。它又被叫做无定形半导体或玻璃半导体，属于半导电性的一类材料。非晶半导体和其他非晶材料一样，都是短程有序、长程无序结构。它主要是通过改变原子相对位置，改变原有的周期性排列，形成非晶硅。晶态和非晶态主要区别于原子排列是否具有长程序。非晶态半导体的性能控制难，随着技术的发明，非晶态半导体开始使用。这一制作工序简单，主要用于工程类，在光吸收方面有很好的效果，主要运用到太阳能电池和液晶显示屏中。
本征半导体：不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。在极低温度下，半导体的价带是满带，受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴。空穴导电并不是实际运动，而是一种等效。电子导电时等电量的空穴会沿其反方向运动。 [5]它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。 无锡微原电子科技，以科技之光点亮半导体器件行业的前行之路！北京节能半导体器件
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如果把电源的方向反过来接，则空穴和电子都背离偶极层流动而使偶极层变厚，同时电流被限制在一个很小的饱和值内(称反向饱和电流)。因此，PN结具有单向导电性。此外，PN结的偶极层还起一个电容的作用，这电容随着外加电压的变化而变化。在偶极层内部电场很强。当外加反向电压达到一定阈值时，偶极层内部会发生雪崩击穿而使电流突然增加几个数量级。
利用PN结的这些特性在各种应用领域内制成的二极管有：整流二极管、检波二极管、变频二极管、变容二极管、开关二极管、稳压二极管（曾讷二极管）、崩越二极管（碰撞雪崩渡越二极管）和俘越二极管（俘获等离子体雪崩渡越时间二极管）等。此外，还有利用PN结特殊效应的隧道二极管，以及没有PN结的肖脱基二极管和耿氏二极管等。
新型半导体材料在工业方面的应用越来越多。新型半导体材料表现为其结构稳定，拥有***的电学特性，而且成本低廉，可被用于制造现代电子设备中***使用，我国与其他国家相比在这方面还有着很大一部分的差距，通常会表现在对一些基本仪器的制作和加工上，近几年来，国家很多的部门已经针对我国相对于其他国家存在的弱势，这一方面统一的组织了各个方面的群体，对其进行有效的领导，然后共同努力去研制更加高水平的半导体材料。这样才能够在很大程度上适应我国工业化的进步和发展，为我国社会进步提供更强大的动力。首先需要进一步对超晶格量子阱材料进行研发。半导体器件行业的挑战与机遇并存，无锡微原电子科技勇往直前！
将纯半导体单晶熔化成半导体，并缓慢挤压生长成棒状。回归型它是从含有少量施主杂质和受主杂质的溶液中挤出来的，如果挤出速度快，则生长出P型半导体，如果慢则生长出N型半导体。因为基极区较厚，高频特性较差。戈隆扩散当在挤压过程中添加到溶解半导体中的杂质发生变化时，根据晶体的位置，P型或N型半导体会生长。通过这种方法，可以生产二极管的PN和用于二极管的PNP（或NPN），制作了一个晶体管。
端子电极形成在同一平面上，缩短了电流路径，具有良好的高频特性。而且由于它可以通过微细加工和应用照相技术排列许多元件来制造，因此可以精确地大量生产，利用这一特点，发明了单片集成电路。
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锗和硅是**常用的元素半导体；化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物(硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。半导体：意指半导体收音机，因收音机中的晶体管由半导体材料制成而得名。本征半导体不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。在极低温度下，半导体的价带是满带(见能带理论)，受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴。北京节能半导体器件
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