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二极管基本参数
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变容二极管将万用表红、黑表笔怎样对调测量,变容二极管的两引脚间的电阻值均应为无穷大。如果在测量中,发现万用表指针向右有轻微摆动或阻值为零,说明被测变容二极管有漏电故障或已经击穿坏。 [8]单色发光二极管在万用表外部附接一节能1.5V干电池,将万用表置R×10或R×100挡。这种接法就相当于给予万用表串接上了1.5V的电压,使检测电压增加至3V(发光二极管的开启电压为2V)。检测时,用万用表两表笔轮换接触发光二极管的两管脚。若管子性能良好,必定有一次能正常发光,此时,黑表笔所接的为正极红表笔所接的为负极。因此它的反向电流随光照强度的增加而线性增加。徐汇区优势二极管销售厂

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极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件 [1]。二极管有两个电极,正极,又叫阳极;负极,又叫阴极,给二极管两极间加上正向电压时,二极管导通, 加上反向电压时,二极管截止。 二极管的导通和截止,则相当于开关的接通与断开 [2]。二极管具有单向导电性能,导通时电流方向是由阳极通过管子流向阴极。二极管是**早诞生的半导体器件之一,其应用非常***。特别是在各种电子电路中,利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接,构成不同功能的电路,可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能 [3]。嘉定区特点二极管售价当外加电压超过门槛电压,PN结相当于一个阻值很小的电阻,也就是PN结导通。

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反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生齐纳击穿。 [5]另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时,外加电场使电子漂移速度加快,从而与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子,载流子雪崩式地增加,致使电流急剧增加,这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿,若对其电流不加限制,都可能造成PN结长久性损坏。 [5]

检测光敏二极管,可用万用表Rx1k电阻档。当没有光照射在光敏二极管时,它和普通的二极管一样,具有单向导电作用。正向电阻为8-9kΩ,反向电阻大于5MΩ。如果不知道光敏二极管的正负极,可用测量普通二极管正、负极的办法来确定,当测正向电阻时,黑表笔接的就是光敏二极管的正极。当光敏二极管处在反向连接时,即万用表红表笔接光敏二极管正极,黑表笔接光敏二极管负极,此时电阻应接近无穷大(无光照射时),当用光照射到光敏二极管上时,万用表的表针应大幅度问右偏转,当光很强时,表针会打到0刻度右边。晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。

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光敏二极管,又叫光电二极管(英语:photodiode )是一种能够将光根据使用方式,转换成电流或者电压信号的光探测器。管芯常使用一个具有光敏特征的PN结,对光的变化非常敏感,具有单向导电性,而且光强不同的时候会改变电学特性,因此,可以利用光照强弱来改变电路中的电流。光敏二极管也叫光电二极管。光敏二极管与半导体二极管在结构上是类似的,其管芯是一个具有光敏特征的PN结,具有单向导电性,因此工作时需加上反向电压。无光照时,有很小的饱和反向漏电流,即暗电流,此时光敏二极管截止。当受到光照时,饱和反向漏电流**增加,形成光电流,它随入射光强度的变化而变化。当光线照射PN结时,可以使PN结中产生电子一空穴对,使少数载流子的密度增加。这些载流子在反向电压下漂移,使反向电流增加。因此可以利用光照强弱来改变电路中的电流。常见的有2CU、2DU等系列。 [1]它的光谱范围比较窄,其波长由所使用的基本材料而定。徐汇区优势二极管销售厂

对于锗二极管,开启电压为0.2V,导通电压UD约为0.3V。徐汇区优势二极管销售厂

变色发光二极管按引脚数量可分为二端变色发光二极管、三端变色发光二极管、四端变色发光二极管和六端变色发光二极管。闪烁发光二极管闪烁发光二极管(BTS)是一种由CMOS集成电路和发光二极管组成的特殊发光器件,可用于报警指示及欠压、超压指示。闪烁发光二极管在使用时,无须外接其它元件,只要在其引脚两端加上适当的直流工作电压(5V)即可闪烁发光。红外发光二极管红外发光二极管也称红外线发射二极管,它是可以将电能直接转换成红外光(不可见光)并能辐射出去的发光器件,主要应用于各种光控及遥控发射电路中。徐汇区优势二极管销售厂

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