快恢复二极管(FRD)是一种具有较短反向恢复时间的二极管,其反向恢复时间一般在几百纳秒以内,适用于高频整流和开关电路。与普通整流二极管相比,快恢复二极管在从导通状态切换到截止状态时,能够更快地阻断反向电流,减少反向恢复损耗和电压尖峰,降低电路的电磁干扰。在功率因数校正(PFC)电路、不间断电源(UPS)、电机驱动电路等功率电子设备中,快恢复二极管常与功率开关器件配合使用,实现高效的电能转换和控制。其制造工艺通常采用掺金、铂等杂质或电子辐照技术,缩短少数载流子的寿命,从而加快反向恢复速度。在设计功率电路时,合理选择快恢复二极管的参数,如反向耐压、正向电流和反向恢复时间,对于提高电路的可靠性和效率至关重要。双向触发二极管可双向导通,在晶闸管触发电路中作为触发器件,控制电路的通断与功率调节。SP3022-01ETG-NM
掺杂工艺:掺杂是为了在硅中引入特定的杂质,形成P型或N型半导体。在制造P型半导体时,通常采用硼等三价元素作为杂质进行掺杂。这可以通过离子注入或扩散等方法实现。离子注入是将硼离子加速后注入到硅片中,其优点是可以精确控制杂质的浓度和深度;扩散法则是将硅片置于含有硼杂质的气体环境中,在高温下使杂质扩散到硅片中。制造N型半导体则使用磷等五价元素进行类似的掺杂操作。在形成P型和N型半导体之后,就是PN结的制造。这通常通过光刻和蚀刻等工艺来实现。光刻工艺就像在硅片上进行精确的绘画,利用光刻胶和紫外线曝光等技术,在硅片上定义出需要形成PN结的区域。然后通过蚀刻工艺,去除不需要的半导体材料,精确地形成PN结。这个过程需要极高的精度,因为PN结的质量直接影响二极管的性能,如正向导通特性和反向截止特性。SP3022-01ETG-NM二极管是单向导电的半导体器件,电流只能从阳极流向阴极,反向则截止。

二极管按结构可分为点接触型、面接触型和平面型。点接触型二极管的 PN 结面积小,结电容低,适用于高频信号检波和小电流整流,如收音机中的信号处理;面接触型二极管的 PN 结面积大,能承受较大电流与反向电压,常用于电源整流电路;平面型二极管采用光刻、扩散等半导体制造工艺,精度高、稳定性好,是集成电路中常用的二极管类型。制造过程中,通过掺杂技术在硅或锗等本征半导体中引入杂质,形成 P 型和 N 型半导体;再经晶圆切割、光刻、蚀刻、封装等工序,将二极管制成适合不同应用场景的形态,其性能与制造工艺的精度密切相关。
稳压二极管是一种专门用于稳定电压的二极管。它的工作原理与普通二极管有所不同。在正常情况下,稳压二极管处于反向偏置状态。当反向电压达到稳压二极管的稳定电压值时,稳压二极管开始反向导通,并且在一定的电流范围内,其两端的电压几乎保持不变。这是因为当反向电压超过稳定电压后,二极管中的载流子数量急剧增加,形成较大的反向电流,通过二极管自身的动态电阻调整,使得两端的电压稳定在特定的值。稳压二极管在电源稳压电路中被广泛应用。例如,在一些对电压稳定性要求较高的电子设备中,如精密仪器、通信设备等,当输入电压发生波动时,稳压二极管可以确保输出电压保持稳定,从而保证设备的正常运行。二极管的正向导通电压具有温度依赖性。

二极管阵列是将多个二极管集成在一个芯片上,形成具有特定功能的器件。这些二极管可以单独工作,也可以根据电路设计协同工作。二极管阵列具有体积小、一致性好、便于安装和电路设计等优点。在图像传感器中,二极管阵列可作为像素单元,将光信号转换为电信号,通过对每个二极管输出信号的处理,实现图像的采集和成像。在一些通信电路中,二极管阵列用于信号的多路复用和解复用,提高通信系统的传输效率。在电子测试设备中,二极管阵列可用于模拟不同的电路状态,进行电路性能测试和故障诊断,在现代电子系统的小型化、集成化设计中发挥着重要作用。续流二极管可保护电感类元件免受过电压损害。STU60N3LH5
二极管的额定电流与反向耐压是选型时需重点关注的主要参数。SP3022-01ETG-NM
二极管是现代电子学中一种极为重要的基础元件,它的结构和原理构成了其在电路中独特功能的基石。从结构上看,二极管主要由P型半导体和N型半导体组成。P型半导体含有较多的空穴,而N型半导体则有较多的电子。当这两种半导体紧密结合在一起时,在它们的交界面就会形成一个特殊的区域,叫做PN结。这个PN结是二极管能够实现单向导电性的关键所在。从原理层面来说,当二极管两端施加正向电压时,即 P 型端接电源正极,N 型端接电源负极,此时外电场方向与内电场方向相反。在这个电压的作用下,P 区的空穴和 N 区的电子都向 PN 结移动,使得 PN 结变窄,形成较大的电流,二极管处于导通状态。例如,在一个简单的直流电源供电的电路中,如果串联一个二极管和一个电阻,当电源极性正确时,电路中有电流通过,电阻上会有电压降,这可以通过示波器观察到电压和电流的变化情况。SP3022-01ETG-NM