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  • SGB15N120 GB15N120

    集成电路产业的全球格局:目前,集成电路产业形成了复杂的全球格局。美国在集成电路设计和制造设备领域占据主导地位,拥有众多前列的设计公司和设备制造商,如英伟达、英特尔、应用材料等。韩国在存储芯片制造方面实力强劲,三星和 SK 海力士是全球存储芯片市场的重要参与者。中国台湾地区的台积电是全球较大的晶圆代工厂,在先进制程工艺方面处于前列地...

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    31 2025-08
  • BYW80-150

    集成电路与人工智能的结合:随着人工智能技术的不断发展,集成电路与人工智能的结合也越来越紧密。通过集成更多的神经元和突触连接,可以制造出更加智能的集成电路芯片,为人工智能技术的发展提供有力支持。集成电路与物联网的融合:物联网技术的兴起为集成电路提供了新的应用场景。通过将集成电路应用于各种传感器和执行器中,可以实现物联网设备的智能化和...

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    31 2025-08
  • IPB120N06S4-H1 4N06H1

    在20世纪中叶,随着电子技术的飞速发展,传统的电子管与晶体管虽已推动了科技进步,但其体积庞大、功耗高的缺点日益凸显。正是在这样的背景下,杰克·基尔比于1958年成功发明了世界上较早集成电路(IC),将多个电子元件集成在一块微小的硅芯片上,这一创举不仅极大地缩小了电子设备的体积,还降低了能耗,开启了微电子技术的全新时代。集成电路的发...

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    30 2025-08
  • Z0110MN

    肖特基二极管是基于金属 - 半导体接触形成的二极管。它具有几个明显的特点。首先,肖特基二极管的正向导通电压较低,通常比普通硅二极管的导通电压低 0.2 - 0.3V 左右。这使得它在低电压、大电流的场合具有优势,可以降低电路的功耗。其次,肖特基二极管的开关速度非常快,这是因为它没有普通二极管中的少数载流子存储效应。在高频电路中,如...

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    30 2025-08
  • STB60NF10T4

    最大正向电流是二极管的一个重要参数。它表示二极管在正常工作情况下能够承受的最大正向电流值。如果流过二极管的正向电流超过这个最大值,二极管可能会因为过热而损坏。这个参数取决于二极管的材料、结构和封装形式等因素。例如,大功率二极管通常具有较大的最大正向电流值,这是因为它们采用了特殊的材料和封装设计,具有更好的散热性能。在电路设计中,必...

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    30 2025-08
  • STF11N65M5

    普通二极管,如常见的硅二极管和锗二极管,具有较为典型的伏安特性。硅二极管的正向导通电压约为 0.7V,锗二极管则约为 0.3V。在电子电路中,普通二极管常被用于整流电路,将交流电转换为直流电。例如在简单的半波整流电路里,二极管在交流电正半周导通,负半周截止,从而输出单向脉动直流电。在一些信号检测电路中,普通二极管还可用于检波,从调...

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    30 2025-08
  • STP180NS04ZC

    二极管的制造工艺包括多个环节。首先是半导体材料的制备,硅或锗等半导体材料需要经过提纯、拉晶等过程,得到高纯度、高质量的半导体晶体。然后进行晶圆制造,将半导体晶体切割成薄片,在晶圆上通过扩散、离子注入等工艺形成 P - N 结。扩散工艺是将特定的杂质原子扩散到半导体材料中,改变其导电类型,从而形成 P 区和 N 区。离子注入则是通过...

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    30 2025-08
  • TIP117 其他被动元件

    二极管是电子电路中的基础元件之一,由P型半导体和N型半导体组成,具有单向导电性。当正向电压施加于二极管时,它允许电流通过;而当反向电压施加时,则阻止电流通过。这种特性使得二极管在整流、开关、限流等多种电路中发挥重要作用。二极管种类繁多,按照所用半导体材料可分为硅二极管和锗二极管。硅二极管的正向压降一般为0.6-0.7V,而锗二极管...

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    30 2025-08
  • 江西NSVR0340HT1G二极管变容二极管

    雪崩二极管利用了半导体中的雪崩倍增效应。当在雪崩二极管两端加上足够高的反向电压时,少数载流子在强电场作用下获得足够能量,与晶格原子碰撞产生新的电子 - 空穴对,这些新产生的载流子又继续碰撞其他原子,引发连锁反应,导致电流急剧增大,产生雪崩倍增现象。在微波电路中,雪崩二极管可作为微波振荡器和放大器。通过控制雪崩二极管的工作状态,利用...

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    29 2025-08
  • BZX38450-C36X

    在光通信领域,光电二极管是光接收机的重要元件之一。在光纤通信系统中,光信号通过光纤传输到接收端。光电二极管可以将接收到的微弱光信号转换为电信号,然后通过后续的放大、解调等电路处理,恢复出原始的信息。由于光通信中的信号非常微弱,要求光电二极管具有高灵敏度和低噪声的特性。例如,雪崩光电二极管(APD)是一种特殊的高灵敏度光电二极管,它...

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    29 2025-08
  • ATP201

    双基极二极管具有独特的负阻特性,由一个 PN 结和两个基极组成。在特定的电路条件下,双基极二极管可用于构成弛张振荡器。当在双基极二极管的发射极加上正向电压,且电压达到一定值(峰点电压)时,二极管导通,发射极电流迅速增大,进入负阻区,电压下降。当发射极电流减小到一定值(谷点电流)时,二极管截止,电压再次上升,如此反复,形成周期性的振...

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    29 2025-08
  • PHB66NQ03LTMOS(场效应管)

    发光二极管(LED)作为一种特殊的二极管,其独特的发光原理和优良的特性使其在现代照明和显示领域占据了重要地位。从发光原理来看,LED是基于半导体材料的电子与空穴复合发光机制。当在LED两端施加正向电压时,P型半导体中的空穴和N型半导体中的电子在电场的作用下向PN结移动。在PN结附近,电子和空穴相遇并复合。在这个复合过程中,电子从高...

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    29 2025-08
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