企业商机
赛芯基本参数
  • 品牌
  • 赛芯微xysemi,上海如韵,上海芯龙
  • 型号
  • 齐全
  • 封装形式
  • DIP,SOP/SOIC,PLCC,SMD,BGA,TQFP,PQFP,QFP,CSP,TSOP,PGA,QFP/PFP,MCM,SDIP
赛芯企业商机

2~6串升降压30~100W移动电源SOC DS6036B是一款高集成、多协议双向快充移动电源应用SOC,集成了同步开关升降压变换器、支持2~6节电池串联,支持30~100W功率选择,支持A+A+CinoutCinoutCinoutCinoutCinout+CinoutCinoutCinoutCinoutCinout任意口快充,支持CC-CV切换,支持//等主流快充协议,集成电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块,并提供输入/输出的过压/欠压,电池过充/过放、NTCNTC过温、放电过流、输出短路保护等保护功能。DS1000是拥有专利技术的电容式电池主动均衡芯片。汕头XBM3214赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

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在供货能力上,芯纳科技在深圳设有大型仓储中心,常备大量赛芯 XR4981A 库存,客户下单后可实现快速发货,对于紧急订单,甚至可当天安排物流配送,大幅缩短客户的采购周期,帮助小型家电厂商加快产品上市速度。此外,芯纳科技还为客户提供增值服务,比如提供赛芯 XR4981A 的技术文档和应用案例,协助客户进行产品测试和调试,同时针对小型家电厂商的批量采购需求,提供灵活的付款方式和批量采购优惠政策,进一步降低客户的采购成本和资金压力。另外,芯纳科技的售后团队会定期回访客户,了解赛芯 XR4981A 的使用情况,及时解决客户在生产过程中遇到的问题,确保合作长期稳定。汕头XBM3214赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保芯纳科技专注赛芯芯片代理,XBM3214JFG 型号现货充足,满足客户即时采购需求。

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DS3056B是一款面向小家电/电动工具等电池包快充充电和小功率放电的快充管理SOC。概述DS3056B是一款面向小家电/电动工具等电池包快充充电和小功率放电的快充管理SOC,集成了同步升降压快充驱动器、快充协议控制器、电池充放电管理、电池电量计,I2C通信等功能模块,支持2-6串电芯,比较大100W充电功率,支持CC-CV切换,支持PD3.0,QC2.0、Apple2.4A,BC1.2DCP快充充电协议;输出5V/3A。具有输入输出过压/欠压、电池过放过充、过温、过流、充电超时等完备的保护功能。搭载极简的**线路,即可组成小家电和电动工具充电包等快充充放电方案。应用:小家电,电工工具等2-6串电池包产品.

赛芯 XR4981A,在便携式应急照明解决方案中应用。应急照明设备如手电筒、露营灯等,需要在断电或户外环境中提供稳定照明,赛芯 XR4981A 的高输出功率能支持 LED 灯珠的高亮度发光。测试表明,搭载该控制器的应急灯,在电池电量为 50% 时仍能维持 80% 的亮度,照明时间比同类产品延长 10%。其宽输入电压范围适配不同类型的电池,在使用干电池或充电电池时均能正常工作。在应急场景中,该控制器的快速启动特性确保了灯具在断电瞬间即可点亮,响应时间小于 0.5 秒。合作的照明企业表示,使用该控制器后,应急灯的可靠性提升,在高温、潮湿环境下的故障率降低,为应急照明设备的稳定运行提供了保障。芯纳科技代理赛芯芯片,XBM3204JFG 现货充足,支持客户紧急采购计划。

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赛芯 XR4981A,在智能玩具供电解决方案中积累经验。智能玩具如遥控汽车、机器人等,对供电系统的稳定性和安全性要求较高,赛芯 XR4981A 的输出电压稳定,能确保电机、传感器等部件的正常工作。实际应用中,该控制器的过流保护功能可防止孩子误操作导致的电路短路,提升了玩具的安全性。其宽输入电压范围适配普通电池和充电电池组,在电池电量下降时仍能维持稳定输出,避免了玩具突然停机。由于采用小型化封装,该控制器为玩具内部节省了空间,便于设计出更复杂的机械结构和功能模块。测试数据显示,搭载该控制器的智能玩具,续航时间比同类产品延长 15%,孩子的玩耍体验更加连贯,为智能玩具的研发提供了可靠的电源支持。芯纳科技是赛芯芯片代理服务商,XBM3214DGB 当前现货,保障供应链稳定。苏州XBM2138赛芯现货

芯纳科技作为赛芯芯片代理,XBM3215DGB 型号现货供应,助力客户缩短生产周期。汕头XBM3214赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

   PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联,实现几乎是直接翻倍的带载能力,降低内阻,提高效率,但布板清注意:①两个芯片尽量对称,直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地,减小布线内阻和加强散热。③,每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻,并且布的离VDD近些,尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些,也无需多粗,但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小,PCB板上,封装焊盘略大一些,避免虚焊。②,走线经过电阻后,先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND,使整个电容环路**小。④芯片的GND(B-)到VM建议预留一个C2()电容位置,C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD,建议连接芯片的GND(B-)或者悬空。汕头XBM3214赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

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