在正常使用的电流范围内导通时二极管的端电压几乎维持不变这个电压称为二极管的正向导通电压。不同类型的二极管其正向导通电压也有所不同例如硅二极管一般为0.6-0.7V而锗二极管则较低约为0.3V。当二极管承受反向电压时如果反向电压不超过一定限度(即反向击穿电压)则二极管几乎不导通电流处于截止状态。这种反向截止特性是二极管能够单向导电的重要原因之一。当反向电压超过二极管的反向击穿电压时二极管会发生反向击穿现象此时二极管由截止状态转变为导通状态电流迅速增大。然而需要注意的是反向击穿可能是破坏性的因此需要合理设计电路以避免二极管发生破坏性击穿。发光二极管(LED)通电后能发出可见光。30KPA78CA二极管稳压二极管
桥式整流电路是目前应用非常普遍的整流方式。它由四个二极管组成一个桥式结构。当交流电压输入时,在正半周,两个二极管导通,电流通过这两个二极管和负载;在负半周,另外两个二极管导通,电流通过这两个二极管和负载。桥式整流电路的优点明显,它不需要中心抽头的变压器,而且对变压器次级绕组的利用率更高,输出的直流电压脉动更小。在几乎所有的现代电子设备电源中,如电脑电源、手机充电器等,都采用了桥式整流电路。它可以适应不同的交流输入电压范围,并且可以与后续的滤波、稳压电路更好地配合,为电子设备提供高质量的直流电源,确保设备的稳定运行。此外,在一些特殊的电源整流应用中,如高压电源整流,会使用高压整流二极管。这些二极管能够承受极高的反向电压,确保在高电压环境下正常工作,为X光机、高压静电发生器等设备提供所需的直流高压电源。BTB16-800SWRG小信号二极管适用于微弱信号的检波与开关。

双基极二极管具有独特的负阻特性,由一个 PN 结和两个基极组成。在特定的电路条件下,双基极二极管可用于构成弛张振荡器。当在双基极二极管的发射极加上正向电压,且电压达到一定值(峰点电压)时,二极管导通,发射极电流迅速增大,进入负阻区,电压下降。当发射极电流减小到一定值(谷点电流)时,二极管截止,电压再次上升,如此反复,形成周期性的振荡信号。在一些定时电路、脉冲发生器电路中,双基极二极管构成的弛张振荡器可产生稳定的脉冲信号,用于控制电路的工作节奏和定时操作,如在电子闹钟的定时电路、晶闸管触发脉冲的产生电路等方面有广泛应用。
发光二极管(LED)的工作原理基于半导体的电致发光现象。当 LED 的 PN 结正向导通时,注入的少数载流子与多数载流子复合,多余的能量以光的形式释放出来。不同材料的 LED 可发出不同颜色的光,如常见的氮化镓基 LED 可发蓝光,通过与荧光粉组合还能实现白光照明。在照明领域,LED 凭借其节能、长寿命、响应速度快等优势,已普遍取代传统的白炽灯和荧光灯,用于室内外照明、汽车大灯等场景。在显示领域,LED 显示屏以其高亮度、高对比度、广视角等特性,在广告牌、电子看板、电视屏幕等方面得到大量应用,成为信息展示的重要载体。变容二极管通过电压改变结电容值。

掺杂工艺:掺杂是为了在硅中引入特定的杂质,形成P型或N型半导体。在制造P型半导体时,通常采用硼等三价元素作为杂质进行掺杂。这可以通过离子注入或扩散等方法实现。离子注入是将硼离子加速后注入到硅片中,其优点是可以精确控制杂质的浓度和深度;扩散法则是将硅片置于含有硼杂质的气体环境中,在高温下使杂质扩散到硅片中。制造N型半导体则使用磷等五价元素进行类似的掺杂操作。在形成P型和N型半导体之后,就是PN结的制造。这通常通过光刻和蚀刻等工艺来实现。光刻工艺就像在硅片上进行精确的绘画,利用光刻胶和紫外线曝光等技术,在硅片上定义出需要形成PN结的区域。然后通过蚀刻工艺,去除不需要的半导体材料,精确地形成PN结。这个过程需要极高的精度,因为PN结的质量直接影响二极管的性能,如正向导通特性和反向截止特性。整流桥由四只二极管组成,可实现全波整流,简化电源电路设计。BZT52H-C3V0
发光二极管(LED)通电后能发光,按波长不同呈现红、绿、蓝等多种颜色。30KPA78CA二极管稳压二极管
当二极管两端施加反向电压时,外电场方向与内电场方向相同,会使得 PN 结变宽。这种情况下,只有极少数的载流子在反向电压的作用下形成微弱的反向电流,这个电流通常非常小,可以忽略不计,二极管此时处于截止状态。在实际应用中,比如在一些防止电源反接的电路设计中,利用二极管的这种单向导电性,可以有效地保护电路中的其他元件不被反向电流损坏。二极管这种独特的单向导电特性,就像一个单向阀门,只允许电流在特定的方向流动,为电子电路的设计提供了极大的灵活性和功能性。30KPA78CA二极管稳压二极管