南京3T1FAA赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

   多节锂电保护产品二级保护二级保护是指使用PTC、MHP、等被动组件来保护电池。锂电池保护板分为一级保护和二级保护。一级保护通常指的是主动组件保护，包括保护IC和MOSFET，它能够实时监测电池的电压和充放电电流，并在必要时MOSFET的导通或关断，以防止电池过充、过放、过载及短路。而二级保护则是指使用PTC、MHP、丝等被动组件来进一步增强电池的安全性。这些组件通常是温度敏感的，能够在电池温度异常升高时呈现高阻状态，阻止电流流动，从而避免可能的危险情况当电池温度异常升高时，PTC或MHP会呈现高阻状态，阻碍电池的充放电，从而防止锂电池的起火。这种保护方式被称为二级保护，它是一种被动组件保护，通常作为一级保护电路（IC/Mosfet）的补充。锂电充电管理、DC降压 0.5-1A电流 +OVP过压保护 。南京3T1FAA赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

移动电源应用两串锂电池保护芯片介绍、35W以内、XBM2138QFA  2串锂保集成MOS内置均衡：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节：保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能、XBM2138QFA上海XBM3360赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保移动电源SOCDS6036B+MPP无线充 （QI2.0） 30W 2串移动电源+无线充.

赛芯 XR4981A，在便携式电动工具电源解决方案中应用。便携式电动工具如手持电钻、角磨机等，对电源的输出功率和带载能力要求较高，赛芯 XR4981A 的 120W 最大输出功率能满足这类工具的启动和运行需求。实际使用中，该控制器在工具负载突然增加时，能快速调整输出电流，避免了因过载导致的电源保护停机，提升了工作效率。其宽输入电压范围适配不同容量的锂电池组，在电池电量较低时仍能维持稳定输出，延长了单次工作时间。合作的电动工具品牌反馈，使用该控制器后，工具的续航时间延长 12%，充电时间缩短 15%，用户的使用体验明显改善。此外，该控制器的散热性能良好，在连续工作 1 小时后温度上升 20℃，确保了电动工具的长期稳定运行。

在供货能力上，芯纳科技在深圳设有大型仓储中心，常备大量赛芯 XR4981A 库存，客户下单后可实现快速发货，对于紧急订单，甚至可当天安排物流配送，大幅缩短客户的采购周期，帮助小型家电厂商加快产品上市速度。此外，芯纳科技还为客户提供增值服务，比如提供赛芯 XR4981A 的技术文档和应用案例，协助客户进行产品测试和调试，同时针对小型家电厂商的批量采购需求，提供灵活的付款方式和批量采购优惠政策，进一步降低客户的采购成本和资金压力。另外，芯纳科技的售后团队会定期回访客户，了解赛芯 XR4981A 的使用情况，及时解决客户在生产过程中遇到的问题，确保合作长期稳定。带负载防电芯反接0V可充支持带负载电芯反接。

赛芯XR4981A应用在扫地机器人身上，其高效的能量转换能力使电池续航延长12%，单次充电可覆盖150平方米的清洁面积，减少了中途充电的频率。此外，赛芯XR4981A采用的QFN3*3-16封装体积小巧，为智能家居设备的小型化设计留出更多空间，比如在智能开关面板中，可集成更多功能模块而不增加产品厚度。合作的智能家居品牌反馈，使用该控制器后，设备的电源模块故障率降低15%，主要得益于其完善的过流、过压保护功能，能有效应对家庭电路中的突发电压波动，为智能家居系统的安全稳定运行提供了可靠保障。2串 内置均衡MOS,带船运/SenseXBM325X.中山XBM3204DBA赛芯原厂

充电管理、放电保护芯片，电源正负极反接保护，电池极反接保护，兼容大小3mA-1000mA充电电流。南京3T1FAA赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保

   PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联，实现几乎是直接翻倍的带载能力，降低内阻，提高效率，但布板清注意：①两个芯片尽量对称，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地，减小布线内阻和加强散热。③，每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻，并且布的离VDD近些，尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些，也无需多粗，但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小，PCB板上，封装焊盘略大一些，避免虚焊。②，走线经过电阻后，先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND，使整个电容环路**小。④芯片的GND（B-）到VM建议预留一个C2（）电容位置，C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD，建议连接芯片的GND（B-）或者悬空。南京3T1FAA赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保