二极管的发展经历了漫长的过程。早期的二极管是由电子管构成的,体积大、功耗高且可靠性相对较低。随着半导体技术的兴起,半导体二极管逐渐取代了电子管二极管。20 世纪初,科学家们开始对半导体材料进行深入研究。在不断的实验和探索中,发现了半导体材料的特殊导电性质。到了 20 世纪中叶,硅和锗等半导体材料被广泛应用于二极管的制造。随着制造工艺的不断改进,二极管的性能得到了极大的提升,如降低了正向导通电压、提高了反向耐压能力等。如今,二极管的种类繁多,除了普通的整流二极管外,还出现了发光二极管、稳压二极管、肖特基二极管等具有特殊功能的二极管,满足了不同领域的需求。二极管在半导体技术中占据重要地位,推动科技发展。PMZB320UPEYL 工控元件 SOT883
掺杂工艺:掺杂是为了在硅中引入特定的杂质,形成P型或N型半导体。在制造P型半导体时,通常采用硼等三价元素作为杂质进行掺杂。这可以通过离子注入或扩散等方法实现。离子注入是将硼离子加速后注入到硅片中,其优点是可以精确控制杂质的浓度和深度;扩散法则是将硅片置于含有硼杂质的气体环境中,在高温下使杂质扩散到硅片中。制造N型半导体则使用磷等五价元素进行类似的掺杂操作。在形成P型和N型半导体之后,就是PN结的制造。这通常通过光刻和蚀刻等工艺来实现。光刻工艺就像在硅片上进行精确的绘画,利用光刻胶和紫外线曝光等技术,在硅片上定义出需要形成PN结的区域。然后通过蚀刻工艺,去除不需要的半导体材料,精确地形成PN结。这个过程需要极高的精度,因为PN结的质量直接影响二极管的性能,如正向导通特性和反向截止特性。PEMZ1,115 三极管二极管的发明推动了电子技术发展,是电路世界的重要基石。
二极管在整流电路中的应用非常普遍。整流电路利用二极管的单向导电性,将交流电转换为直流电。在交流电的正半周期内,二极管导通,允许电流通过;在负半周期内,二极管截止,阻止电流通过。这样,交流电就被转换成了单向的脉动直流电。二极管在正向电压作用下电阻很小,处于导通状态,相当于一只接通的开关;在反向电压作用下,电阻很大,处于截止状态,如同一只断开的开关。利用二极管的这种开关特性,可以组成各种逻辑电路,实现信号的转换和处理。
发光二极管(LED)作为一种特殊的二极管,其独特的发光原理和优良的特性使其在现代照明和显示领域占据了重要地位。从发光原理来看,LED是基于半导体材料的电子与空穴复合发光机制。当在LED两端施加正向电压时,P型半导体中的空穴和N型半导体中的电子在电场的作用下向PN结移动。在PN结附近,电子和空穴相遇并复合。在这个复合过程中,电子从高能级跃迁到低能级,根据能量守恒定律,多余的能量以光子的形式释放出来,从而产生光。不同的半导体材料和掺杂方式决定了所发射光的波长,也就是光的颜色。例如,使用氮化镓(GaN)材料制造的LED可以发出蓝光,而通过在氮化镓中掺杂不同的杂质,还可以获得绿光、紫光等不同颜色的光。二极管按材料可分为硅管和锗管,二者在性能上略有差异。
对二极管进行测试可以确保其质量和性能。常用的测试方法有万用表测试法。将万用表设置为二极管测试档,将红表笔和黑表笔分别接触二极管的两端。当二极管正向导通时,万用表会显示一个较小的正向压降值,对于硅二极管,这个值大约在 0.5 - 0.7V 之间,对于锗二极管,这个值大约在 0.1 - 0.3V 之间。当二极管反向截止时,万用表显示的数值非常大,通常超过几百兆欧。除了万用表测试外,还可以使用专门的二极管测试仪进行测试,这种测试仪可以更精确地测量二极管的各项参数,如正向特性、反向特性、击穿电压等。发光二极管(LED)通过注入电流发光,色彩鲜艳、能耗低,广泛应用于照明、显示屏背光源等领域。BTS7810K其他被动元件
二极管的价格相对低廉,这使得它在电子制造业中得到了广泛应用。PMZB320UPEYL 工控元件 SOT883
二极管是电子电路中的基础元件之一,由P型半导体和N型半导体组成,具有单向导电性。当正向电压施加于二极管时,它允许电流通过;而当反向电压施加时,则阻止电流通过。这种特性使得二极管在整流、开关、限流等多种电路中发挥重要作用。二极管种类繁多,按照所用半导体材料可分为硅二极管和锗二极管。硅二极管的正向压降一般为0.6-0.7V,而锗二极管的正向压降较低,约为0.3V。此外,根据用途不同,二极管还可分为整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管等,每种二极管都有其特定的应用场景和性能特点。PMZB320UPEYL 工控元件 SOT883