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整流桥模块基本参数
  • 品牌
  • IXYS 艾赛斯,SEMIKRON赛米控,英飞凌
  • 型号
  • 全系列
整流桥模块企业商机

所述第六电容c6的一端连接所述合封整流桥的封装结构1的高压供电管脚hv,另一端连接所述合封整流桥的封装结构1的电源地管脚bgnd。具体地,所述第二电感l2连接于所述合封整流桥的封装结构1的电源地管脚bgnd与信号地管脚gnd之间。需要说明的是,本实施例增加所述电源地管脚bgnd实现整流桥的接地端与所述逻辑电路122的接地端分开,通过外置电感实现emi滤波,减小电磁干扰。同样适用于实施例一及实施例三的电源模组,不限于本实施例。需要说明的是,所述整流桥的设置方式、所述功率开关管与所述逻辑电路的设置方式,以及各种器件的组合可根据需要进行设置,不以本实用新型列举的几种实施例为限。另外,由于应用的多样性,本实用新型主要针对led驱动领域的三种使用整流桥的拓扑进行了示例,类似的结构同样适用于充电器/适配器等ac-dc电源领域等,尤其是功率小于25w的中小功率段应用,本领域的技术人员很容易将其推广到其他使用了整流桥的应用领域。本实用新型的拓扑涵盖led驱动的高压线性、高压buck、flyback三个应用,并可以推广到ac-dc充电器/适配器领域;同时,涵盖了分立高压mos与控制器合封、高压mos与控制器一体单晶的两种常规应用。整流桥的整流作用是通过二极管的单向导通原理来完成工作的。宁夏国产整流桥模块供应

1)、整流桥壳体表面散热热阻a)整流桥正面壳体的散热热阻:同不带散热器的强迫风冷一样:b)整流桥背面壳体的散热热阻:假设忽约整流桥与壳体的接触热阻,则:;选择散热器与环境间热阻的典型值为:于是:则整流桥通过壳体表面散热的总热阻为:2)、流桥通过引脚散热的热阻:此时的热阻同整流桥不带散热器进行强迫风冷时的情形一样,于是有:于是我们可以得到,在整流桥带散热器进行强迫风冷时的散热总热阻为上述两个传热途径的并联热阻:仔细分析上述的计算过程和各个传热途径的热阻数值,我们可以得出在整流桥带散热器进行强迫风冷时的如下结论:①在上述的三个传热途径中(整流桥正面传热、整流桥背面通过散热器的传热和整流桥通过引脚的传热),整流桥背面通过散热器的传热热阻小,而通过壳体正面的传热热阻大,通过引脚的热阻居中;②比较整流桥散热的总热阻和通过背面散热器传热的热阻数值可以发现:通过壳体背面散热器传热热阻与整流桥的总热阻十分相当。其实该结论也说明了,在此种情况下,整流桥的主要传热途径是通过壳体背面的散热器来进行的,也就是整流桥上绝大部分的损耗是通过散热器来排放的,而通过其它途径(引脚和壳体正面)的散热量是很少的。湖北哪里有整流桥模块价格优惠流桥的构造如,可以将输入的含有负电压的波形转换成正电压。

请参阅图1~图7。需要说明的是,本实施例中所提供的图示以示意方式说明本实用新型的基本构想,遂图式中显示与本实用新型中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制,其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变,且其组件布局型态也可能更为复杂。实施例一如图1所示,本实施例提供一种合封整流桥的封装结构1,所述合封整流桥的封装结构1包括:塑封体11,设置于所述塑封体11边缘的多个管脚,以及设置于所述塑封体11内的整流桥、功率开关管、逻辑电路、高压供电基岛13及信号地基岛14。如图1所示,所述塑封体11呈长方形,用于将引线框架及器件整合在一起,并保护内部器件。在本实施例中,所述塑封体11采用sop8的外型尺寸,以此可与现有塑封体共用,进而减小成本。在实际使用中,可根据需要采用其他外型尺寸,不以本实施例为限。如图1所示,各管脚设置于所述塑封体11的边缘。具体地,在本实施例中,所述合封整流桥的封装结构1包括火线管脚l、零线管脚n、高压供电管脚hv、信号地管脚gnd、漏极管脚drain及采样管脚cs。作为本实施例的一种实现方式。

包括但不限于高压供电基岛13或漏极基岛15)或不同基岛(包括但不限于高压供电基岛13及漏极基岛15),在此不一一赘述。作为本实施例的一种实现方式,如图5所示,所述整流桥设置于火线基岛16及零线基岛17上。具体地,所述整流桥采用两个n型二极管及两个p型二极管实现,其中,第五整流二极管dz5及第六整流二极管dz6为n型二极管,所述第七整流二极管dz7及第八整流二极管dz8为p型二极管。所述第五整流二极管dz5的负极通过导电胶或锡膏粘接于所述火线基岛16上,正极通过金属引线连接所述信号地管脚gnd。所述第六整流二极管dz6的负极通过导电胶或锡膏粘接于所述零线基岛17上,正极通过金属引线连接所述信号地管脚gnd。所述第七整流二极管dz7的正极通过导电胶或锡膏粘接于所述火线基岛16上,负极通过金属引线连接所述高压供电管脚hv。所述第八整流二极管dz8的正极通过导电胶或锡膏粘接于所述零线基岛17上,负极通过金属引线连接所述高压供电管脚hv。作为本实施例的一种实现方式,如图5所示,所述控制芯片12包括功率开关管及逻辑电路。所述功率开关管的漏极作为所述控制芯片12的漏极端口d,源极连接所述逻辑电路的采样端口,栅极连接所述逻辑电路的控制信号输出端(输出逻辑控制信号)。在整流桥的每个工作周期内,同一时间只有两个二极管进行工作。

所述负载连接于所述第三电容c3的两端。具体地,在本实施例中,所述负载为led灯串,所述led灯串的正极连接所述高压供电管脚hv,负极连接所述第三电容c3与所述一电感l1的连接节点。如图4所示,所述第二采样电阻rcs2的一端连接所述合封整流桥的封装结构1的采样管脚cs,另一端接地。本实施例的电源模组为非隔离场合的小功率led驱动电源应用,适用于高压buck(5w~25w)。实施例三如图5所示,本实施例提供一种合封整流桥的封装结构,与实施例一及实施例二的不同之处在于,所述整流桥的设置方式不同,且还包括瞬态二极管dtvs。如图5所示,在本实施例中,所述瞬态二极管dtvs与所述高压续流二极管df叠置于所述高压供电基岛13上。具体地,所述高压续流二极管df采用p型二极管,所述瞬态二极管dtvs采用n型二极管。所述高压续流二极管df的正极通过导电胶或锡膏粘接于所述漏极基岛15上,负极朝上。所述瞬态二极管dtvs的负极通过导电胶或锡膏粘接于所述高压续流二极管df的负极上,正极(朝上)通过金属引线连接所述高压供电管脚hv。需要说明的是,在实际使用中,所述高压续流二极管df及所述瞬态二极管dtvs可采用不同类型的二极管根据需要设置在同一基岛。整流桥的选型也是至关重要的,后级电流如果过大,整流桥电流小,这样就会导致整流桥发烫严重。浙江国产整流桥模块联系人

常用的国产全桥有佑风YF系列,进口全桥有ST、IR等。宁夏国产整流桥模块供应

金属引线的一端设置在与管脚连接的导电部件上),能实现电连接即可,不限于本实施例。需要说明的是,所述整流桥可基于不同类型的器件选择不同的基岛实现,不限于本实施例,任意可实现整流桥连接关系的设置方式均可,在此不一一赘述。如图1所示,在本实施例中,所述功率开关管及所述逻辑电路集成于控制芯片12内。具体地,所述功率开关管的漏极作为所述控制芯片12的漏极端口d,源极连接所述逻辑电路的采样端口,栅极连接所述逻辑电路的控制信号输出端(输出逻辑控制信号);所述逻辑电路的采样端口作为所述控制芯片12的采样端口cs,高压端口连接所述功率开关管的漏极,接地端口作为所述控制芯片12的接地端口gnd。所述控制芯片12的接地端口gnd连接所述信号地管脚gnd,漏极端口d连接所述漏极管脚drain,采样端口cs连接所述采样管脚cs。在本实施例中,所述控制芯片12的底面为衬底,通过导电胶或锡膏粘接于所述信号地基岛14上,所述控制芯片12的接地端口gnd采用就近原则,通过金属引线连接所述信号地基岛14,进而实现与所述信号地管脚gnd的连接;漏极端口d通过金属引线连接所述漏极管脚drain;采样端口cs通过金属引线连接所述采样管脚cs。宁夏国产整流桥模块供应

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