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采用电子线路进行保护等。目前常用的是在回路中接入吸收能量的元件，使能量得以消散，常称之为吸收回路或缓冲电路。（4）阻容吸收回路通常过电压均具有相对较高的频率，因此我们常用电容可以作为企业吸收作用元件，为防止出现振荡，常加阻尼电阻，构成阻容吸收回路。阻容吸收回路可接在控制电路的交流侧、直流侧，或并接在晶闸管的阳极与阴极保护之间。吸收进行电路设计好方法选用无感电容，接线应尽量短。（5）吸收电路由硒堆和变容器等非线性元件组成上述阻容吸收回路的时间常数RC是固定的，有时对时间短、峰值高、能量大的过电压来不及放电，抑制过电压的效果较差。因此，一般在变流装置的进出线端还并有硒堆或压敏电阻等非线性元件。硒堆的特点是其动作电压与温度有关，温度越低耐压越高；另外是硒堆具有自恢复特性，能多次使用，当过电压动作后硒基片上的灼伤孔被溶化的硒重新覆盖，又重新恢复其工作特性。压敏电阻是以氧化锌为基体的金属氧化物非线性电阻，其结构为两个电极，电极之间填充的粒径为10~50μm的不规则的ZNO微结晶，结晶粒间是厚约1μm的氧化铋粒界层。这个粒界层在正常电压下呈高阻状态，只有很小的漏电流，其值小于100μA。当加上电压时。因为它可以像闸门一样控制电流，所以称之为“晶体闸流管”。湖南进口晶闸管模块代理商

晶闸管智能模块模块规格编辑晶闸管智能模块注意事项编辑1、模块电流规格的选取考虑到电网电压的波动和负载在起动时一般都比其额定电流大几倍，且晶闸管芯片抗电流冲击能力较差，建议您在选取模块电流规格时应留出适当裕量。推荐选择如下：阻性负载：模块标称电流应为负载额定电流的2倍。感性负载：模块标称电流应为负载额定电流的3倍。2、导通角要求模块在较小导通角时（即模块高输入电压、低输出电压）输出较大电流，这样会使模块严重发热甚至烧毁。这是因为在非正弦波状态下用普通仪表测出的电流值，不是有效值，所以，尽管仪表显示的电流值并未超过模块的标称值，但有效值会超过模块标称值的几倍。因此，要求模块应在较大导通角下（100度以上）工作。3、控制电源要求（1）电压为DC12V±；纹波电压≤30mV；输出电流≥1A；（2）可以采用开关电源，也可采用线性电源（即变压器整流式稳压电源）。开关电源外壳应带屏蔽罩。线性电源要求滤波电容必须≥2200μf/25V。（3）控制电源极性要求正确接入模块控制端口，严禁反接。否则将烧坏模块控制电路。4、使用环境要求（1）工作场所环境温度范围：-25℃～+45℃。（2）模块周围应干燥、通风、远离热源、无尘、无腐蚀性液体或气体。广东晶闸管模块代理品牌塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。

当主回路电压（或电流）减小到接近于零时，晶闸管关断。工作过程/晶闸管编辑概述晶闸管是四层三端器件，它有J1、J2、J3三个PN结图1，可以把它中间的NP分成两部分，构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管，图2晶闸管当晶闸管承受正向阳极电压时，为使晶闸管导通，必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。图2中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。因此，两个互相复合的晶体管电路，当有足够的门极电流Ig流入时，就会形成强烈的正反馈，造成两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2；发射极电流相应为Ia和Ik；电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若门极电流为Ig，则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig从而可以得出晶闸管阳极电流为：I=(Ic0+Iga2）/（1-（a1+a2））（1—1）式硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图3所示。当晶闸管承受正向阳极电压，而门极未受电压的情况下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2）很小。

1)断态重复峰值电压UDRM在控制极断路和晶闸管正向阻断的条件下，可以重复加在晶闸管两端的正向峰值电压，其数值比正向转折电压小100V。(2)反向重复峰值电压URRM在控制极断路时，可以重复加在晶闸管元件上的反向峰值电压，此电压数值规定比反向击穿电压小100V。通常把UDRM与URRM中较小的一个数值标作器件型号上的额定电压。由于瞬时过电压也会使晶闸管遭到破坏，因而在选用的时候，额定电压一个应该为正常工作峰值电压的2～3倍，作为安全系数。(3)额定通态平均电流(额定正向平均电流)IT在环境温度不大于40oC和标准散热即全导通的条件下，晶闸管元件可以连续通过的工频正弦半波电流(在一个周期内)的平均值，称为额定通态平均电流IT，简称额定电流。(4)维持电流IH在规定的环境温度和控制极断路的条件下，维持元件继续导通的**小电流称为维持电流IH。一般为几十毫安～一百多毫安，其数值与元件的温度成反比，在120摄氏度时维持电流约为25摄氏度时的一半。当晶闸管的正向电流小于这个电流时，晶闸管将自动关断。晶闸管的选用/晶闸管编辑(1)选择晶闸管的类型：晶闸管有多种类型，应根据应用电路的具体要求合理选用。晶闸管的主要参数有反向最大电压，是指门极开路时，允许加在阳极、阴极之间的比较大反向电压。

使正向电流低于维持电流IH，或施以反向电压强迫关断。这就需要增加换向电路，不*使设备的体积重量增大，而且会降低效率，产生波形失真和噪声。可关断晶闸管克服了上述缺陷，它既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点，以具有自关断能力，使用方便，是理想的高压、大电流开关器件。GTO的容量及使用寿命均超过巨型晶体管（GTR），只是工作频率比GTR低。目前，GTO已达到3000A、4500V的容量。大功率可关断晶闸管已***用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域，显示出强大的生命力。可关断晶闸管也属于PNPN四层三端器件，其结构及等效电路和普通晶闸管相同，因此图1*绘出GTO典型产品的外形及符号。大功率GTO大都制成模块形式。尽管GTO与SCR的触发导通原理相同，但二者的关断原理及关断方式截然不同。这是由于普通晶闸管在导通之后即处于深度饱和状态，而GTO在导通后只能达到临界饱和，所以GTO门极上加负向触发信号即可关断。GTO的一个重要参数就是关断增益，βoff，它等于阳极**大可关断电流IATM与门极**大负向电流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般为几倍至几十倍。βoff值愈大，说明门极电流对阳极电流的控制能力愈强。很显然，βoff与昌盛的hFE参数颇有相似之处。晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、率晶闸管和小功率晶闸管三种。中国香港优势晶闸管模块

晶闸管有三个腿，有的两个腿长，一个腿短，短的那个就是门极。湖南进口晶闸管模块代理商

人们在制造工艺和结构上采取了一些改进措施，做出了能适应于高频应用的晶闸管，我们将它称为快速晶闸管。它具有以下几个特点。一、关断时间（toff）短导通的晶闸管，当切断正向电流时。并不能马上“关断”，这时如立即加上正向电压，它还会继续导通。从切断正向电流直到控制极恢复控制能力需要的时间，叫做关断时间。用t0仟表示。晶闸管的关断过程，实际上是储存载流子的消失过程。为了加速这种消失过程，制造快速晶闸管时采用了掺金工艺，把金掺到硅中减少基区少数载流子的寿命。硅中掺金量越多，t0仟越小，但掺金量过多会影响元件的其它性能。二、导通速度快．能耐较高的电流上升率（dI/dt）控制极触发导通的晶闸管。总是在靠近控制极的阴极区域首先导通，然后逐渐向外扩展，直到整个面积导通。大面积的晶闸管需要50～100微秒以上才能***积导通。初始导通面积小时，必须限制初始电流的上升速度，否则将发生局部过热现象，影响元件的性能，甚至烧坏。高频工作时这种现象更为严重。为此，仿造了集成电路的方法，在晶闸管同一硅片上做出一个放大触发信号用的小晶闸管。控制极触发小晶闸管后，小晶闸管的初始导通电流将横向经过硅片流向主晶闸管阴极，触发主晶闸管。湖南进口晶闸管模块代理商