电源管理ICXB5350A

DC/DC转换器在高效率地转换能量方面属于有效的电源，但因为线圈必须具有磁饱和特性和防止烧毁的特性，使得实现超薄化较为困难。一般情况下只得在成平面形状的电路板上安装IC、线圈及电容，这种解决方案不利于产品的小型化。 为了解决以上的问题，进行了以下几种思考和设计。首先是在硅晶圆上形成线圈的方法，为了确保作为DC/DC转换器时具有足够的电感值，半导体工艺变得极为复杂，使得成本上升。实际上只停留在高频滤波器方面的应用。其次是把线圈和DC/DC转换器IC封入一个塑料模压封装组件中的方法，因为只是单纯地装入元器件缩小不了太多的安装面积，不能带来大程度的改善。 进而出现了不是平面地放置各种元器件，而是把包括IC的元器件叠在一起的设计方案,实际上也出现的几种这样的产品。但是这种方案要么需要在线圈上印制布线用的图案，要么需要CSP（芯片尺寸级封装）型IC,要么在封装IC时必须实施模压工程，使得制作工程复杂，带来了产生成本上升的课题。线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或 FET，减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。电源管理ICXB5350A

DS6066-2S-30W+DC方案：可用于空调服、加热服及其他外部DC供电应用。DS6066是点思针对DC应用市场推出的一颗移动电源SOC。目前市场上主流应用于空调服和加热服，此类应用主要帮助户外工作者保持一个舒服的状态。DS6066-2S-30W+DC方案：2串电池，C口为30W双向快充，通过DC口进行外部供电，实现空调服/加热服的工作能源。单击按键开机并显示电量，双击按键关机进入休眠，长按键进入DC模式，再次单击按键逐次切换空调服挡位（10-21V四档可调），再次长按键关闭DC模式。Type-C口、USB均带插入自动识别开机功能且协议自动匹配Type-C输入：5V/9V-3A、12V-2.5A、15V-2A、20V-1.5A（30W）Type-C输出：5V/9V-3A、12V-2.5A、15V-2A、20V-1.5A（30W）PPS：3.3-11V/3A（33W）USB输出：4.5V-5A、5V-4.5A、10V/2.25A、5V-3A、9V-2A、12V-1.5A（22.5W）。XB7608A电源管理IC赛芯微xysemi手环手表牙刷成人用品(无线充）电源IC选型参考。

4054是一款性能优异的单节锂离子电池恒流/ 恒压线性充电器。4054采用SOT23-5L/sot23-6封装，配合较 少的元器件使其非常适用于便携式产品，并且适 合给USB电源以及适配器电源供电。 基于特殊的内部MOSFET架构以及防倒充电路， 4054不需要外接检测电阻和隔离二极管。当外部环境温度过高或者在大功率应用时，热反馈可以调节充 电电流以降低芯片温度。充电电压固定在4.2V/4.35V/4.4V，而充 电电流则可以通过一个电阻器进行外部设置。当充电电流在达到浮充电压之后降至设定值的1/10，芯片将终止充电循环。当输入电压断开时，4054进入睡眠状态，电池漏电流将降到1uA以下。4054还可以被设置于停机模式。4054还包括其他特性：欠压锁定，自动再充电和充电状态标志。

DS5036B上电接入电池时，显示全部点亮5S，在非充电状态，当电池电压过低触发低电关机，DS5036B会进入锁定状态。DS5036B为了降低静态功耗，在电池低电锁定状态下，DS5036B不支持负载插入检测功能，此时按键动作无法开启升降压输出，只能用于查看电量。DS5036B在锁定状态，必须要有充电动作芯片才能有功能。USBC1口或者USBC2有电源插入，优先启动充电。在单充电的模式下，支持自动识别电源的快充模式，匹配合适的充电电压和充电电流。集成了 2 路高效 DC-DC 电压变换器和 CV/CC 补偿电路。

智浦芯联创建于苏州市工业园区内，企业主要从事模拟及数模混合集成电路设计，总部现已迁移至南京。深圳设立销售服务支持中心，宁波、中山、厦门设立办事处。公司具有国内的研发实力，南京、成都均设有研发中心，并与东南大学ASIC中心成为协作单位，在国内创先开发成功并量产了多款国家/省部级科技奖励和国家重点新产品认定产品，特别在高低压集成半导体技术方面，研发团队中有多名博士主持项目的开发。建立了科技创新和知识产权的规范体系，在电路设计、半导体器件及工艺设计、可靠性设计等方面积累了众多技术。高耐压理电保护产品、具有低功耗、高过流精度、小封装、无管压降等特点、支持4.2V~4.5V电芯平台。XC3105CN电源管理IC两串两节保护

内置软启动功能，防止在启动时冲击电流过大引起故障。电源管理ICXB5350A

XA2361系列产品需要四个元器就可完成底电压的升压，并且可使用可外扩MOS型，使输出电流达到更大值。SOT23-5封装置EN使能端，可控制变换器的工作状态，可使它处于关断省电状态，功耗降。启动电压:0.8V(1mA)l元件极少l可外加N沟MOS扩流至1A以上。l*率：87%l低纹波，低噪声。丝印：E30H E30A E30B E33H E33B E33K 7AJA E33G 7A1L E33D  E36L DGHG DGHG 7KFG  7KFD E50H E50A E50G  b6w 70JC DHJB D4JD  D4JF DFJG  L30H  DAJA 7AIL DBIL L33h L33D L33s 7A22 L33T 7HJC L36H L50P L50U L50T DCJE DCJG DEGL E28N  E28R E30N E30F E30T 2108A E33N E33U E33J E50E E50H E50J L33H DDGH 73HB 75KG L50H L50B 7HJC 0622-50 501C 501D E50N 8530 RM06 8805/50 8806 2100B电源管理ICXB5350A