XBR5152QS电源管理IC赛芯微xysemi

智浦芯联创建于苏州市工业园区内，企业主要从事模拟及数模混合集成电路设计，总部现已迁移至南京。深圳设立销售服务支持中心，宁波、中山、厦门设立办事处。公司具有国内的研发实力，南京、成都均设有研发中心，并与东南大学ASIC中心成为协作单位，在国内创先开发成功并量产了多款国家/省部级科技奖励和国家重点新产品认定产品，特别在高低压集成半导体技术方面，研发团队中有多名博士主持项目的开发。建立了科技创新和知识产权的规范体系，在电路设计、半导体器件及工艺设计、可靠性设计等方面积累了众多技术。降压型 C+CA 多口快充 SOC。XBR5152QS电源管理IC赛芯微xysemi

DS5036B集成的KEY管脚内置上拉电阻，用于检测按键的输入，支持按键单击、双击和长按键功能。小于30ms的按键动作不会有任何响应，无效操作。按键持续时间长于100ms，但小于2s，即为短按动作。短按键会打开电量显示灯或数码管显示电量和升压输出。按键持续时间长于3s，即为长按动作。长按会开启或者关闭小电流输出模式。在1s内连续两次短按键，会关闭升压输出、电量显示，进入休眠模式。DS5036B 自动检测手机插入，手机插入后即刻从待机状态唤醒，开启升压给手机充电，省去按键操作， 可支持无按键模具方案。XB7608AF电源管理ICNTC充电管理高PSRR-LDO完全没凸波40V耐压LDO。

BP5301C、BP6501、BP6901、STP01、STP02、STP03、STP04、STP05、STP06、STP07、XB3001A、XB3095I2S、XB3153IS、XB3153ISF、XB3301A、XB3301AJ、XB3302A、XB3303A、XB3303G、XB3306A、XB3306BR、XB3306D、XB3306G、XB3306IFK、XB3306IR、XB3306I2R、XB4087、XB4088、XB4089、XB4008AJ、XB4090I2S、XB4092I2、XB4092J2、XB4092J2S、XB4092M2、XB4092UA2S、XB4093、XB4128A、XB4142、XB4145、XB4146、XB4148、XB4155I2S、XB4155J2S、XB4158、XB4202A、XB4302A、XB4302G、XB4321A、XB4322A、XB4345A、XB4432SKP2、XB4709I2S、XB4709J2S、XB4733A、XB4791TA、XB4851SKP、XB4902、XB4906AJL、XB4908A、XB4908AJ、XB4908AJL、XB4908GJ、XB4908I、XB4908M。

锂电池PACK设计过程中锂电池保护IC是保护芯片的，首先取样电池电压，然后通过判断发出各种指令。MOS管：它主要起开关作用 2、保护芯片正常工作：保护芯片上MOS管刚开始可能处于关断状态，电池接上保护芯片后，必须先触发MOS管，P+与P-端才有输出电压，触发常用方法——用一导线把B-与P-短接。 3、保护芯片过充保护：在P+与P-上接上一高于电池电压的电源，电源的正极接B+、电源的负极接B-，接好电源后，电池开始充电，电流方向如图所示的I1的流向电流从电源正极出发，流经电池、D1、MOS2到电源负极(这时MOS1被D1短路)，IC通过电容来取样电池电压的值，当电池电压达到4.25v时，IC发出指令，使引脚CO为低电平，这时电流从电源正极出发，流经电池、D1、到达MOS2时由于MOS2的栅极与CO相连也为低电平，MOS2关断，整个回路被关断，电路起到保护作用。点思DS5136移动电源和无线充供电共用一路升降压节约成本。

磷酸铁锂电池的使用，一些产品对电池容量的需求不断提升，就需要串联多个锂电池，从而导致电池的总电压升高，于是就催生出了锂电池充电管理芯片。为了防止锂电池在过充电、过放电、过电流等异常状态影响电池寿命，通常要通过锂电池保护装置来防止异常状态对电池的损坏。 磷酸铁锂电池充电管理芯片介绍 磷酸铁锂电池特性较为活泼，对电压电流要求较高，所以需要锂电池管理芯片。磷酸铁锂电池管理芯片就是设计用于保护电池的电路，可以保护电池过放电，过压，过充，过温，可以有效保护锂电池寿命和使用者的安全。 锂电池的使用，一些产品对电池容量的需求不断提升，就需要串联多个锂电池，从而导致电池的总电压升高，于是就催生出了磷酸铁锂电池充电管理芯片，它会根据磷酸铁锂电池的特性自动进行预充、恒流充电、恒压充电。 磷酸铁锂电池充电管理芯片的类型。点思DS5136无线充15W带载效率高达80%。XC5071电源管理IC磷酸铁锂充电管理

支持边充边放功能，在边充边放时，输入输出均为 5V。XBR5152QS电源管理IC赛芯微xysemi

XA2361系列产品需要四个元器就可完成底电压的升压，并且可使用可外扩MOS型，使输出电流达到更大值。SOT23-5封装置EN使能端，可控制变换器的工作状态，可使它处于关断省电状态，功耗降。启动电压:0.8V(1mA)l元件极少l可外加N沟MOS扩流至1A以上。l*率：87%l低纹波，低噪声。丝印：E30H E30A E30B E33H E33B E33K 7AJA E33G 7A1L E33D  E36L DGHG DGHG 7KFG  7KFD E50H E50A E50G  b6w 70JC DHJB D4JD  D4JF DFJG  L30H  DAJA 7AIL DBIL L33h L33D L33s 7A22 L33T 7HJC L36H L50P L50U L50T DCJE DCJG DEGL E28N  E28R E30N E30F E30T 2108A E33N E33U E33J E50E E50H E50J L33H DDGH 73HB 75KG L50H L50B 7HJC 0622-50 501C 501D E50N 8530 RM06 8805/50 8806 2100BXBR5152QS电源管理IC赛芯微xysemi