WL2805N33-3/TR:高效且可靠的瞬态电压抑制器
WL2805N33-3/TR是一款高性能的瞬态电压抑制器,专为保护电子设备免受瞬态电压的侵害而设计。在现代电子设备中,由于雷电、静电放电和其他电气瞬态事件,电路中的敏感组件经常面临损坏的风险。而WL2805N33-3/TR的出现,为这些设备提供了可靠的防护。
这款抑制器具有出色的瞬态抑制能力和低漏电流特性,能够在瞬态事件发生时迅速响应,将电压限制在安全范围内,从而保护电路中的敏感组件免受损坏。
此外,WL2805N33-3/TR还具有低钳位电压和低电容值,确保了信号传输的准确性和稳定性。 其紧凑的封装设计使得它非常适合用于各种电子设备中,如通信设备、计算机、医疗设备和消费电子产品等。无论是对于工业应用还是日常消费应用,WL2805N33-3/TR都能提供优异的瞬态电压保护,确保设备的稳定运行和延长使用寿命。
安美斯科技作为专业的电子元器件代理分销商,致力于为客户提供优异的产品和服务。我们非常荣幸能为您推荐WL2805N33-3/TR这款瞬态电压抑制器,并愿意提供样品供您测试。如需了解更多信息或支持,请随时联系我们。 WL2803E25-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装:SOT-23-5。代理分销商WILLSEMI韦尔WNM5002
WNM2016A:N沟道增强型MOSFET场效应晶体管
产品描述:
WNM2016A它采用先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2016A为无铅且无卤素。小型SOT-23封装。
产品特性:
· 沟槽技术
· 超高密度单元
· 设计出色的ON电阻
· 极低的阈值电压
应用领域:
· DC/DC转换器
· 电源转换器
· 电路便携式设备的负载/电源开关
WNM2016A是一款高性能的N沟道MOSFET,专为现代电子设备中的高效能量转换和开关应用而设计。其独特的沟槽技术和高密度单元设计提供了优越的电气性能,包括低RDS(ON)和低栅极电荷,从而实现高效能量转换和减少热量损失。此外,极低的阈值电压和SOT-23小型封装使其成为便携式设备中的理想选择,因为它既能够提供强大的性能,又能够节省空间。无论是DC/DC转换器、电源转换器电路,还是便携式设备的负载/电源开关,WNM2016A都是一个出色的选择,能够确保设备的稳定运行和高效能量管理。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WS3202EESD5411N-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1006-2L。
ESD9B5VL:单线双向瞬态电压抑制器
产品描述
ESD9B5VL是一个双向瞬态电压抑制器(TVS)。它特别设计用于保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件,免受由静电放电(ESD)、电气快速瞬态(EFT)和雷电引起的过应力影响。根据IEC61000-4-2标准,ESD9B5VL可用于提供高达±20kV(接触和空气放电)的ESD保护,并可根据IEC61000-4-5标准承受高达3A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD9B5VL采用FBP-02C封装。标准产品为无铅和无卤素。
产品特性
· 反向截止电压:±5VMax
· 根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线路
· 瞬态保护:±20kV(接触和空气放电)
· 根据IEC61000-4-4(EFT)的瞬态保护:20A(5/50ns)
· 根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:3A(8/20μs)
· 电容:CJ=5.0pFtyp
· 低泄漏电流:IR<1nAtyp
· 低箝位电压:VCL=13Vtyp.@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
应用领域
· 手机
· 平板电脑
· 笔记本电脑
· 其他便携式设备
· 网络通信设备
ESD9B5VL是高效的瞬态电压抑制器,保护电子设备免受静电放电等瞬态事件影响。适用于手机、平板等便携式设备,保护敏感电子组件。高保护能力、低泄漏和低箝位电压,稳定可靠。详情请查阅数据手册或联系我们。
ESD5471X1线双向瞬态电压抑制器
产品描述:
ESD5471X是一款双向瞬态电压抑制器(TVS)。它特别设计用于保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子组件,免受由静电放电(ESD)、电气快速瞬态(EFT)和雷电引起的过应力影响。根据IEC61000-4-2标准,ESD5471X可用于提供高达±30kV(接触和空气放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达6A的峰值脉冲电流(8/20μs)。ESD5471X采用FBP-02C封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性:
反向截止电压:±5V
根据IEC61000-4-2(ESD)标准,每条线路的瞬态保护:±30kV(接触和空气放电)
IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)
IEC61000-4-5(浪涌):6A(8/20μs)
电容:CJ=9pF(典型值)
低漏电流
低钳位电压:VCL=12V(典型值)@IPP=16A(TLP)
固态硅技术
应用领域:
手机
平板电脑
笔记本电脑
其他便携式设备
网络通信设备
ESD5471X是专为保护敏感电子组件设计的双向瞬态电压抑制器,能抵御静电放电、电气快速瞬态和雷电等过应力。其优越的保护能力和低漏电流特性使其成为手机、平板、笔记本等便携式设备及网络通信设备的理想保护元件。采用固态硅技术,既高性能又紧凑,方便集成。详情请查阅数据手册或联系我们。 WNMD2171-4/TR 场效应管(MOSFET) 封装:CSP-4L。
WNMD2171双N沟道、20V、6.0A功率MOSFET
产品描述:
WNMD2171是一款双N沟道增强型MOSFET场效应晶体管。这款MOSFET的特殊设计使得在电路板上连接其漏极变得不必要,因为MOSFET1和MOSFET2的漏极是内部连接的。该产品采用先进的沟槽技术和设计,提供了出色的导通电阻(RSS(ON))和低栅极电荷。这款器件专为锂离子电池保护电路而设计。WNMD2171采用CSP-4L封装。标准产品WNMD2171是无铅和无卤素的。小型CSP4L封装。
产品特性:
· 沟槽技术
· 超高密度单元设计
· 出色的导通电阻
· 极低的阈值电压
应用领域:
· 锂离子电池保护电路
WNMD2171是一款采用先进技术的双N沟道MOSFET,特别适用于锂离子电池保护电路。其内部连接的漏极设计简化了电路布局,而优异的导通电阻和极低的阈值电压则提供了高效的电池管理。这款产品的小型CSP-4L封装使其成为空间受限应用中的理想选择。此外,其无铅和无卤素的特点也符合现代环保标准。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WPT2E33-3/TR 三极管(BJT) 封装:SOT-89-3。规格书WILLSEMI韦尔WMM7040DTHN0-8/TR
WS3202E61-6/TR 过压过电流保护IC 监控和复位芯片 封装:SOT-23-6L。代理分销商WILLSEMI韦尔WNM5002
WD3168:5V/300mA开关电容电压转换器,它能够从一个非稳压输入电压中产生一个稳定、低噪声、低纹波的5V输出电压。即使在VIN大于5V的情况下,它也能维持5V的稳压输出。它能够以小巧的封装提供≧300mA的电流。当负载电流在典型条件下低于4mA时,WD3168会进入跳模模式,此时其静态电流会降低到170uA。只需3个外部电容器即可产生输出电压,从而节省PCB空间。
此外,其软启动功能在开机和电源瞬态状态下会限制涌入电流。WD3168内置了电流限制保护功能,适合HDMI、USBOTG和其他电池供电的应用。SOT-23-6L封装,并在-40℃至+85℃的环境温度范围内工作。
其主要特性包括:
1、 输出电流为300mA
2、宽输入电压范围:2.7V至5.5V
3、固定输出电压为5.0V
4、双倍电荷泵
5、较小外部元件:无需电感器
6、高频操作:1.7MHz
7、自动软启动限制涌入电流
8、低纹波和EMI
9、过热和过流保护
10、无负载条件下典型静态电流为170uA(跳模模式)
其应用领域包括:
1、3V至5V的升压转换
2、USBOn-The-Go或HDMI5V供电
3、从较低轨道提供的本地5V供电
4、电池备份系统
5、手持便携式设备
WD3168是一种效率高、可靠的电源IC,适用于各种需要5V稳定输出的应用场景。如需更详细的信息或产品规格书请联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WNM5002