企业商机
WILLSEMI韦尔基本参数
  • 品牌
  • WILLSEMI韦尔
  • 型号
  • WILLSEMI韦尔
  • 封装形式
  • DIP,PGA,TQFP,SMD,MCM,PQFP,BGA,SDIP,TSOP,QFP,SOP/SOIC,QFP/PFP,CSP,PLCC
  • 导电类型
  • 单极型,双极型
  • 封装外形
  • 扁平型,单列直插式,双列直插式,金属壳圆形型
  • 集成度
  • 小规模(<50),中规模(50~100),大规模(100~10000),超大规模(>10000)
WILLSEMI韦尔企业商机

RB521C30:肖特基势垒二极管

· 重复峰值反向电压 VRM 30 V

· 直流反向电压 VR 30 V

· 平均整流正向电流 IO 100 mA


产品特性:

     100mA平均整流正向电流:RB521C30具有出色的电流处理能力,能够处理高达100mA的平均整流正向电流,使其在需要稳定电流处理的电路中表现出色。

    低正向电压:肖特基势垒二极管以其低正向电压为特点,这意味着在正向偏置条件下,它需要的电压较低,从而降低了功耗。

   低漏电流:RB521C30的漏电流非常低,这有助于在关闭或待机状态下减少不必要的功耗。

   小型SOD-923封装:这款二极管采用紧凑的SOD-923封装,使其适合在空间受限的应用中使用,如便携式设备和小型电路板。

应用领域:

     RB521C30肖特基势垒二极管特别适合用于低电流整流应用。在电路中,它能够将交流信号转换为直流信号,这对于许多电子设备来说都是至关重要的。由于其低正向电压和低漏电流的特性,它特别适用于需要高效能和低功耗的场合,如电池供电的设备或需要长时间运行的系统。此外,其紧凑的封装形式也使得它成为空间受限应用的理想选择。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WPM1481-6/TR 场效应管(MOSFET) 封装:DFN-6L(2x2)。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD5471S

代理分销商WILLSEMI韦尔ESD5471S,WILLSEMI韦尔

WL2803E:极低压差、500mA、CMOSLDO(低压差线性稳压器

产品描述

     WL2803E系列是一款具有极低压差、低静态电流和高电源抑制比(PSRR)的CMOSLDO。在500mA负载电流下,其压差电压典型值为130mV。由于采用CMOS结构,WL2803E在整个输入电压范围内的静态电流典型值为150μA,使其成为需要高输出电流的消费者和网络应用的理想选择。

     WL2803E系列提供从1.2V到3.3V的宽输出电压范围版本,步长为0.1V。WL2803E系列还提供了过热保护(OTP)和限流功能,以确保在错误条件下芯片和电源系统的稳定性,并使用微调技术保证输出电压精度在±2%以内。

    封装与环保信息:WL2803E稳压器采用SOT-23-5L封装,并符合无铅和无卤素环保要求。

产品特性

输入电压:2.5V~5.5V

输出电压:1.2V~3.3V

输出电流:500mA

PSRR:65dB@1KHz

压差电压:130mV@IOUT=0.5A

输出噪声:100uV

静态电流:150μA(典型值)

应用领域

LCD电视

机顶盒(STB)

计算机和图形卡

网络通信设备

其他便携式电子设备  

      WL2803E是一款高性能LDO,压差低、PSRR高、静态电流低。适用于消费电子产品和网络应用,输出电压准确稳定。具备过热保护和限流功能,增强可靠性。您如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WS72542WL2805N33-3/TR 线性稳压器(LDO)封装:SOT-23-3L。

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    ESD5431Z-2/TR:电子设备的瞬态电压守护神

    ESD5431Z-2/TR是一款高效、可靠的双向瞬态电压抑制器,专为保护电子设备免受静电放电、电气快速瞬变和雷电等瞬态电压威胁而设计。其独特的双向保护机制,确保在数据线和控制线受到过应力时,能够迅速抑制电压波动,保护敏感电子元件免受损坏。 

    这款ESD具有出色的截止电压和瞬态保护能力,根据IEC61000-4-2标准,它能承受高达±30kV的接触放电,确保在极端情况下仍能有效保护电路,能够承受高达40A(5/50ns)的EFT和10A(8/20μs)的浪涌电流。其小型DFN0603-2L封装设计使得集成更为便捷,同时无铅和不含卤素的标准也符合环保要求。

    无论是手机、计算机还是微处理器,它都能为这些设备提供坚实的电压保护,确保它们在各种恶劣环境下都能稳定运行。应用在工业、医疗还是消费电子领域等。

    安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐ESD5431Z-2/TR这款ESD,并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持,请随时联系我们。

    WL2811EA系列是一款高精度、低噪声、高速、高电源抑制比(PSRR)、低压降的CMOS线性稳压器,具有出色的纹波抑制能力。该系列为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了具有成本效益的新一代性能。所有标准产品均不含铅和卤素,符合环保要求。

特点与优势:

· 输出电流折返

· 宽输入电压范围:2V至5.5V

· 可调输出电压:0.8V至5V

· 输出电流:300mA

· 低功耗:静态电流典型值为75μA,关机电流小于1μA

· 低压降:在输出电流为0.3A时,压降为141mV。

· 电源抑制比:在1kHz、输出电压为3V时,PSRR高达70dB

· 低输出电压噪声:典型值为12μVRMS

· 输出电压容差:±2%

· 推荐电容器:建议使用1μF的电容器以优化性能

· 封装与环保:SOT-23-5L

应用领域:

· MP3/MP4播放器

· 手机、无线电话、数码相机

· 蓝牙、无线手持设备

· 其他便携式电子设备

    WL2811EA系列以其出色的性能、灵活的输出电压调整、高效的电流管理以及环保的封装特性,成为便携式电子设备的理想电源解决方案。无论是音频播放、通信还是无线连接,它都能为设备提供稳定、高效的电源支持。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WAS4735Q-16/TR 模拟开关/多路复用器 封装:QFN1826-16L(1.8x2.6)。

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ES9DN12BA瞬态电压抑制器

    ES9DN12BA是一款瞬态电压抑制器(TVS),专为保护连接到数据和传输线的敏感电子元件免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和雷电等过应力影响而设计。封装与环保特性:DFN1006-2L封装:紧凑的尺寸使得它易于集成到各种电路板中。无铅和无卤素:符合环保要求,适用于对无铅和无卤素有需求的场合。

特性:

· 截止电压:±12V。

· 按照IEC61000-4-2标准的ESD保护:±30kV(接触放电)

· 按照IEC61000-4-5标准的浪涌保护:5.5A(8/20μs)

· 典型电容:CJ=27pF

· 极低泄漏电流:IR=0.1nA

· 低钳位电压:在IPP=16A(TLP)时,VCL=20V。

· 固态硅技术:确保器件性能稳定和长寿命。

应用:

· 计算机及其外设:如键盘、鼠标、显示器等。

· 手机

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

    ES9DN12BA是一款高效、可靠的瞬态电压抑制器,专为保护敏感电子元件免受静电和电气瞬变的影响而设计。其优异的保护能力、紧凑的封装和环保特性使其成为各种电子设备制造商的理想选择。无论是计算机、手机还是便携式电子设备,ES9DN12BA都能提供强大的保护,确保设备的稳定性和可靠性。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WNM6002-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:SOT-323-3。规格书WILLSEMI韦尔WS72542

WMM7037AT6-4/TR MEMS麦克风(硅麦)封装:SMD-4P,3x3.8mm。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD5471S

    RB521S30肖特基势垒二极管

特性:小型表面贴装类型、高可靠性低正向电压、、无铅器件

应用:低电流整流

介绍:

    RB521S30是一款肖特基势垒二极管,它具有一系列出色的特性,使其在各种应用中表现优异。首先,其小型表面贴装类型使得它在空间受限的环境中也能轻松安装,同时确保了高效的热量散发。其次,高可靠性确保了器件在长时间使用下仍能保持稳定的性能,减少了维护和更换的频率。

    此外,低正向电压是肖特基势垒二极管的一个关键特性,它允许在较低的电压下实现高效的整流功能。这一特性使得RB521S30在需要低电流整流的场合中表现出色,如某些电子设备中的电源管理部分。

    值得注意的是,RB521S30是无铅器件,符合现代环保标准。随着全球对环保意识的日益增强,无铅器件已成为许多行业的首要选择。这使得RB521S30在追求高性能的同时,也符合了环保要求。

    总的来说,RB521S30肖特基势垒二极管以其小型化、高可靠性、低正向电压和无铅环保等特性,成为低电流整流应用中的理想选择。无论是电子设备制造商还是电路设计工程师,都能从中受益。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔ESD5471S

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