XB4321A电源管理IC芯纳科技

拓微集成是一家专业化从事集成电路设计与销售的公司，成立于2003年5月8日，座落软件园区基地. 公司3位骨干是代CMOS电源芯片设计者、拥有多年的集成电路设计经验，尤其在低功耗电源管理类集成电路、微控制器芯片,CMOS图象传感器芯片等数模混合电路方面在国内处于地位。公司以发展我国的微电子事业为己任、致力于集成电路的设计、开发和销售。以雄厚的实力、合理的价格、优良的服务与多家企业建立了长期的合作关系。 拓微集成的产品包括：电源管理IC包含DC-DC升压IC、电压检测复位IC、锂电池充电IC、负电压翻转IC7660、负电压翻转IC7661、霍尔开关IC、DC-DC降压IC。芯纳科技成立于2011年。专注代理电源芯片和电子元器件的销售服务。XB4321A电源管理IC芯纳科技

图3： “二芯合一”的锂电池保护方案。 由于内部两个芯片实际仍来自于不同厂商，外形不能很好匹配，因此导致封装形状各异，很多情况下不能采用通用封装。这种封装体积比较大，又不能节省外置元件，所以这种“二芯合一”的方案实际上并省不了太多空间。在成本方面，虽然两个封装的成本缩减成一个封装的成本，但由于这个封装通常比较大，有的不是通用封装，有的为了缩小封装尺寸，需要用芯片叠加的封装形式，因此与传统的两个芯片的方案相比，其成本优势并不明显。 图4是一种真正的将控制器芯片及开关管芯片集成在同一晶圆的单芯片方案。传统方案原理图1中的开关管是N型管，接在图1中的B-与P-之间，俗称负极保护。 图4中的方案由于技术原因，开关管只能改为P型管，接在B+与P+之间，俗称正极保护。用此芯片完成保护板方案后，在检测保护板时用户需要更换测试设备及理念。此方案虽然减少了一定的封装成本，但芯片成本并没有得到减少，在与量大成熟的传统方案竞争时也没有真正的成本优势。相反其与传统方案不相容的正极保护理念成了其推广过程的巨大障碍。XB8886G电源管理ICLED线性驱动芯片手电筒驱动锂电转干电池充放电管理芯片。

上面的“二芯合一”方案及单芯片正极保护方案虽然在方案面积及成本上给用户带来了一定的优势，但优势仍不明显。这些方案同时又带来了一些弊端，因此在与成熟的传统方案竞争客户的过程中，还是只能以降低毛利空间来打价格战。由于这些方案的真正原始成本并没有明显的优势，所以随着传统方案的控制IC及开关管芯片的降价，这些“二芯合一”的方案或正极保护方案并没有能够撼动传统方案的市场统治地位。 BP5301 BP6501；近年来市面上出现了众多新创的开关管芯片厂商，为了降低成本，封装时原本打金线改成打铜线，开关管也不带ESD保护。这些产品虽然在性能上与品牌开关管相比有一定的差异，但因为成本优势很快抢占了二级市场，也为传统方案在与“二芯合一”及正极保护方案在市场竞争中的胜出作出了巨大贡献。

锂电保护的选型：电池充满电压 + 充、放电电流（不同于分离式锂电保护） 辅助信息：电池容量，产品应用 。 电池安全，首先要有保护，再有选型要正确锂电保护在保护电池安全上是二次保护，如：过充保护时，一级保护是充电管理，过放保护的一级保护是主芯片等。所以在选型时，要考虑到锂电保护是二次保护的特性，锂电保护的过充电压要高于充电管理的过充电压的值（不能有重合区间），锂电保护的过放电压要低于主芯片的过放电压的值等。锂电保护的选型：电池充满电压 + 充、放电电流（不同于分离式锂电保护）两串两节保护、带均衡或者不带均衡。

XA2320 XA3200 XA2320B XA2320C 电荷泵是通过时钟信号、电容器和开关（FET或二极管）使电压升压或反转的电路。 电荷泵具有以下特点。优点由电容器、开关（二极管）构成，节省空间无需线圈辐射噪声小可升压/负电压 缺点不能输出大电流由于利用电容器充放电，所以脉动电压大想要低价制作高电压和负电压时，经常使用时钟信号（DC/DC的开关节点等）和二极管的二极管电荷泵。在此，介绍使用二极管电荷泵的反转电源制作方法的原理和实例。电荷泵是通过时钟信号、电容器和开关（FET或二极管）使电压升压或反转的电路。 电荷泵具有以下特点。优点由电容器、开关（二极管）构成，节省空间无需线圈辐射噪声小可升压/负电压 缺点不能输出大电流由于利用电容器充放电，所以脉动电压大想要低价制作高电压和负电压时，经常使用时钟信号（DC/DC的开关节点等）和二极管的二极管电荷泵。在此，介绍使用二极管电荷泵的反转电源制作方法的原理和实例。可用模拟和PWM信号调光的高压线性LED驱动集成电路。XC3106AN电源管理IC上海芯龙

XF5131是赛芯推出的一款集成充电管理、锂电池保护、低功耗二合一芯片。XB4321A电源管理IC芯纳科技

ESD（ Electrostatic Discharge）静电放电：在半导体芯片行业，根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同，可以分为以下四种方式：人体放电模式（HBM：Human-body Model）、机器放电模式 （MM：Machine Model）、元件充电模式（CDM：Charge-Device Model）、电场感应模式（FIM：Field-Induced Model），但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD，不是系统级ESD； 芯片级ESD：HBM 大于2KV，较高的是8KV。 系统级ESD：接触ESD和空气ESD，指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD，一般空气是15KV，接触是8KV。XB4321A电源管理IC芯纳科技