4、保护芯片过放保护:在P+与P-上接上一合适的负载后,电池开始放电其电流方向如I2,电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极,(这时MOS2被D2短路);当电池放电到2.5 v时IC采样并发出指令,让MOS1截止,回路断开,电池被保护了。 5、过流保护:在P+与P-上接上一合适的负载后,电池开始放电其电流方向如I2,电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极,(这时MOS2被D2短路);当负载突然减小,IC通过VM引脚采样到突然增大电流而产生的电压这时IC采样并发出指令,让MOS1截止,回路断开,电池被保护了。 6、短路保护:在P+与P-上接上空负载后,电池开始放电其电流方向如I2,电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极,(这时MOS2被D2短路); IC通过VM引脚采样到突然增大电流而产生的电压这时IC采样并发出指令,让MOS1截止,回路断开,电池被保护了。二合一单晶园锂电池保护IC。XB5153J2S电源管理IC赛芯微xysemi
同步 异步 指的是芯片的整流方式!一般情况下同步使用MOS整流 异步使用二极管,由于MOS导通电阻和压降比较低 因此可以提供高效率。 所谓同步模式是指可以用外部周期信号控制DC-DC振荡频率的工作方式,该方式可以减少电源对数字电路的干扰。主要看续流元件是二极管还是MOS。同步整流是采用通态电阻极低的功率MOSFET来取代整流二极管,因此能降低整流器的损耗,提高DC/DC变换器的效率,满足低压、大电流整流的需要。所谓同步模式是指可以用外部周期信号控制DC-DC振荡频率的工作方式,该方式可以减少电源对数字电路的干扰。主要看续流元件是二极管还是MOS。同步整流是采用通态电阻极低的功率MOSFET来取代整流二极管,因此能降低整流器的损耗,提高DC/DC变换器的效率,满足低压、大电流整流的需要。XB5153J2S电源管理IC赛芯微xysemi助听器集成充电管理、锂电池保护、低功耗二合一芯片XF5131。
磷酸铁锂电池的充放电反应是在LiFePO4和FePO4两相之间进行。在充电过程中,LiFePO4逐渐脱离出锂离子形成FePO4,在放电过程中,锂离子嵌入FePO4形成LiFePO4。 电池充电时,锂离子从磷酸铁锂晶体迁移到晶体表面,在电场力的作用下,进入电解液,然后穿过隔膜,再经电解液迁移到石墨晶体的表面,而后嵌入石墨晶格中。 与此同时,电子经导电体流向正极的铝箔集电极,经极耳、电池正极柱、外电路、负极极柱、负极极耳流向电池负极的铜箔集流体,再经导电体流到石墨负极,使负极的电荷达至平衡。锂离子从磷酸铁锂脱嵌后,磷酸铁锂转化成磷酸铁。 电池放电时,锂离子从石墨晶体中脱嵌出来,进入电解液,然后穿过隔膜,经电解液迁移到磷酸铁锂晶体的表面,然后重新嵌入到磷酸铁锂的晶格内。 与此同时,电子经导电体流向负极的铜箔集电极,经极耳、电池负极柱、外电路、正极极柱、正极极耳流向电池正极的铝箔集流体,再经导电体流到磷酸铁锂正极,使正极的电荷达至平衡。锂离子嵌入到磷酸铁晶体后,磷酸铁转化为磷酸铁锂。
ESD( Electrostatic Discharge)静电放电:在半导体芯片行业,根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同,可以分为以下四种方式:人体放电模式(HBM:Human-body Model)、机器放电模式 (MM:Machine Model)、元件充电模式(CDM:Charge-Device Model)、电场感应模式(FIM:Field-Induced Model),但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD,不是系统级ESD; 芯片级ESD:HBM 大于2KV,较高的是8KV。 系统级ESD:接触ESD和空气ESD,指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD,一般空气是15KV,接触是8KV。高压降压电源芯片用于便携式设备、移动设备、车载设备的电源变换。
芯纳科技成立于2011年。专注代理电源芯片和电子元器件的销售服务。提供的产品和方案包括:电源管理芯片、锂电池充电管理、锂电保护、DC转换器、MOS等;广泛应用消费电子:TWS耳机、移动电源、无线充、小家电、智能穿戴等产品、以及工业类电源方案。公司拥有完善的研发和技术支持团队和专业的销售服务团队,凭借专业、务实、创新的文化理念,人性化的管理与完善的流程体系,不断发挥自身优势,整合行业资源,致力于为合作伙伴带来有效增值,为客户的成长与发展竭诚服务,当好供求间之桥梁,谋求产业链的共同发展!努力成为国内杰出的电子元器件通路商。芯纳科技、锂电池充电管理XA4246。XB4432SKP2电源管理IC赛芯微xysemi
锂电池充放电管理 (输入5V输出1.5V)锂电转干电池充放电管理芯片。XB5153J2S电源管理IC赛芯微xysemi
智浦芯联创建于苏州市工业园区内,企业主要从事模拟及数模混合集成电路设计,总部现已迁移至南京。深圳设立销售服务支持中心,宁波、中山、厦门设立办事处。公司具有国内的研发实力,南京、成都均设有研发中心,并与东南大学ASIC中心成为协作单位,在国内创先开发成功并量产了多款国家/省部级科技奖励和国家重点新产品认定产品,特别在高低压集成半导体技术方面,研发团队中有多名博士主持项目的开发。建立了科技创新和知识产权的规范体系,在电路设计、半导体器件及工艺设计、可靠性设计等方面积累了众多技术。XB5153J2S电源管理IC赛芯微xysemi
深圳市芯纳科技技术有限公司汇集了大量的优秀人才,集企业奇思,创经济奇迹,一群有梦想有朝气的团队不断在前进的道路上开创新天地,绘画新蓝图,在广东省等地区的电子元器件中始终保持良好的信誉,信奉着“争取每一个客户不容易,失去每一个用户很简单”的理念,市场是企业的方向,质量是企业的生命,在公司有效方针的领导下,全体上下,团结一致,共同进退,**协力把各方面工作做得更好,努力开创工作的新局面,公司的新高度,未来深圳市芯纳科技技术供应和您一起奔向更美好的未来,即使现在有一点小小的成绩,也不足以骄傲,过去的种种都已成为昨日我们只有总结经验,才能继续上路,让我们一起点燃新的希望,放飞新的梦想!
4054是一款性能优异的单节锂离子电池恒流/ 恒压线性充电器。4054采用SOT23-5L/sot23-6封装,配合较 少的元器件使其非常适用于便携式产品,并且适 合给USB电源以及适配器电源供电。 基于特殊的内部MOSFET架构以及防倒充电路, 4054不需要外接检测电阻和隔离二极管。当外部环境温度过高或者在大功率应用时,热反馈可以调节充 电电流以降低芯片温度。充电电压固定在4.2V/4.35V/4.4V,而充 电电流则可以通过一个电阻器进行外部设置。当充电电流在达到浮充电压之后降至设定值的1/10,芯片将终止充电循环。当输入电压断开时,4054进入睡眠状态,电池漏电流将降到1uA以下。40...