电气性能测试DDR一致性测试高速信号传输

DDR-致性测试探测和夹具

DDR的信号速率都比较高，要进行可靠的测量，通常推荐的探头连接方式是使用焊接式 探头。还有许多很难在PCB板上找到相应的测试焊盘的情况（比如釆用盲埋孔或双面BGA 焊接的情况），所以Agilent还提供了不同种类的BGA探头，通过对板子做重新焊接将BGA 的Adapter焊接在DDR的memory chip和PCB板中间，并将信号引出。DDR3的 BGA探头的焊接例子。

DDR是需要进行信号完整性测试的总线中复杂的总线，不仅走线多、探测困难，而且 时序复杂，各种操作交织在一起。本文分别从时钟、地址、命令、数据总线方面介绍信号完 整性一致性测试的一些要点和方法，也介绍了自动化测试软件和测试夹具,但是真正测试DDR 总线仍然是一件比较有挑战的事情。 DDR4 一致性测试平台插件。电气性能测试DDR一致性测试高速信号传输

(2)根据读/写信号的幅度不同进行分离。如果PCB走线长度比较 长，在不同位置测试时可能读/写信号的幅度不太一样，可以基于幅度进行触发分离。但是 这种方法对于走线长度不长或者读/写信号幅度差别不大的场合不太适用。

(3)根据RAS、CAS、CS、WE等控制信号进行分离。这种方法使用控制信号的读/写  来判决当前的读写指令，是可靠的方法。但是由于要同时连接多个控制信号以及Clk、 DQS、DQ等信号，要求示波器的通道数多于4个，只有带数字通道的混合信号示波器才能  满足要求，而且数字通道的采样率也要比较高。图5.11是用带高速数字通道的示波器触发  并采集到的DDR信号波形。 重庆DDR一致性测试协议测试方法DDR 设计、测试、验证和一致性测试。

我们看到，在用通用方法进行的眼图测试中，由于信号的读写和三态都混在一起，因此很难对信号质量进行评估。要进行信号的评估，第1步是要把读写信号分离出来。传统上有几种方法用来进行读写信号的分离，但都存在一定的缺陷。可以利用读写Preamble的宽度不同用脉冲宽度触发，但由于JEDEC只规定了WritePreamble宽度的下限，因此不同芯片间Preamble的宽度可能是不同的，而且如果Read/Write的Preamble的宽度一样，则不能进行分离。也可以利用读写信号的幅度不同进行分离，如图7-138中间 的图片所示，但是如果读写信号幅度差别不大，则也不适用6还可以根据RAS、CAS、CS、 WE等控制信号来分离读写，但这种方法要求通道数多于4个，只 有带数字通道的MSO示波器才能满足要求，比如Agilent的MS09000A系列或者 MSOX90000A系列，对于用户示波器的要求比较高。

DDR简介与信号和协议测试

DDR/LPDDR简介

目前在计算机主板和各种嵌入式的应用中，存储器是必不可少的。常用的存储器有两 种： 一种是非易失性的，即掉电不会丢失数据，常用的有Flash(闪存)或者ROM(Read-Only Memory),这种存储器速度较慢，主要用于存储程序代码、文件以及长久的数据信息等；另 一种是易失性的，即掉电会丢失数据，常用的有RAM(Random Access Memory,随机存储 器),这种存储器运行速度较快，主要用于程序运行时的程序或者数据缓存等。图5.1是市 面上一些主流存储器类型的划分。 DDR读写眼图分离的InfiniiScan方法？

在实际探测时，对于DDR的CLK和DQS,由于通常是差分的信号(DDR1和DDR2的 DQS还是单端信号，DDR3以后的DQS就是差分的了),所以 一般用差分探头测试。DQ信 号是单端信号，所以用差分或者单端探头测试都可以。另外，DQ信号的数量很多，虽然逐 个测试是严格的方法，但花费时间较多，所以有时用户会选择一些有代表性的信号进行测 试，比如选择走线长度长、短、中间长度的DQ信号进行测试。

还有些用户想在温箱里对DDR信号质量进行测试，比如希望的环境温度变化范围为-40～85℃,这对于使用的示波器探头也是个挑战。 一般示波器的探头都只能在室温下工 作，在极端的温度条件下探头可能会被损坏。如果要在温箱里对信号进行测试，需要选择一 些特殊的能承受高温的探头。比如一些特殊的差分探头通过延长电缆可以在-55～150℃ 的温度范围提供12GHz的测量带宽；还有一些宽温度范围的单端有源探头，可以在-40~ 85℃的温度范围内提供1.5GHz的测量带宽。 DDR时钟总线的一致性测试。重庆DDR一致性测试协议测试方法

DDR2 3 4物理层一致性测试；电气性能测试DDR一致性测试高速信号传输

DDR系统设计过程，以及将实际的设计需求和DDR规范中的主要性能指标相结合，我们以一个实际的设计分析实例来说明，如何在一个DDR系统设计中，解读并使用DDR规范中的参数，应用到实际的系统设计中。某项目中，对DDR系统的功能模块细化框图。在这个系统中，对DDR的设计需求如下。

整个DDR功能模块由四个512MB的DDR芯片组成，选用Micron的DDR存诸芯片MT46V64M8BN-75。每个DDR芯片是8位数据宽度，构成32位宽的2GBDDR存诸单元，地址空间为Add<13..0>，分四个Bank，寻址信号为BA<1..0>。 电气性能测试DDR一致性测试高速信号传输