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英特尔高级研究员兼技术和制造部先进光刻技术总监YanBorodovsky在去年说过“针对未来的IC设计，我认为正确的方向是具有互补性的光刻技术。193纳米光刻是当前能力**强且**成熟的技术，能够满足精确度和成本要求，但缺点是分辨率低。利用一种新技术作为193纳米光刻的补充，可能是在成本、性能以及精确度方面的比较好解决方案。补充技术可以是EUV或电子束光刻。” [3]现阶段很多公司也在推动纳米压印、无掩膜光刻或一种被称为自组装的新兴技术。但是EUV光刻仍然被认为是下一代CPU的比较好工艺。缺点：光刻胶污染掩膜板；掩膜板的磨损，寿命很低（只能使用5～25次）；1970前使用，分辨率〉0.5μm。吴中区比较好的光刻系统推荐货源

世界三 大光刻机 生产商ASML，Nikon和Cannon的*** 代 浸 没 式 光 刻 机 样 机 都 是 在 原 有193nm干式光刻机的基础上改进研制而成，**降低了研发成本和风险。因为浸没式光刻系统的原理清晰而且配合现有的光刻技术变动不大，目前193nm ArF准分子激光光刻技术在65nm以下节点半导体量产中已经广泛应用；ArF浸没式光刻 技 术 在45nm节 点 上 是 大 生 产 的 主 流 技 术。为把193i技术进一步推进到32和22nm的技术节点上，光刻**一直在寻找新的技术，在没有更好的新光刻技术出现前，两次曝光技术（或者叫两次成型技术，DPT）成为人们关 注 的 热 点。ArF浸没式两次曝光技术已被业界认为是32nm节点相当有竞争力的技术；在更低的22nm节点甚至16nm节点技术中，浸没式 光刻技术也 具 有相当大 的优势。吴中区比较好的光刻系统推荐货源其技术发展历经紫外（UV）、深紫外（DUV）到极紫外（EUV）阶段，推动集成电路制程不断进步 [3] [6]。

介绍04:54新型DUV光刻机公布，套刻精度达8纳米！与全球前列设备差多少？直接分步重复曝光系统 (DSW)  超大规模集成电路需要有高分辨率、高套刻精度和大直径晶片加工。直接分步重复曝光系统是为适应这些相互制约的要求而发展起来的光学曝光系统。主要技术特点是：①采用像面分割原理，以覆盖比较大芯片面积的单次曝光区作为**小成像单元，从而为获得高分辨率的光学系统创造条件。②采用精密的定位控制技术和自动对准技术进行重复曝光，以组合方式实现大面积图像传递，从而满足晶片直径不断增大的实际要求。

光刻系统是一种用于半导体器件制造的精密科学仪器，是制备高性能光电子和微电子器件不可或缺的**工艺设备 [1] [6-7]。其技术发展历经紫外（UV）、深紫外（DUV）到极紫外（EUV）阶段，推动集成电路制程不断进步 [3] [6]。当前**的EUV光刻系统已实现2nm制程芯片量产（截至2024年12月） [6]，广泛应用于微纳器件加工、芯片制造等领域 [2] [5]。全球**光刻系统主要由ASML、Nikon等企业主导，国内厂商如上海微电子在中端设备领域取得突破 [7]。光刻系统按光源类型分为紫外（UV）、深紫外（DUV）、极紫外（EUV）、电子束及无掩模激光直写等类别 [2] [5-7]。工作原理是通过光源、照明系统和投影物镜将掩模图案转移至硅片，实现纳米级曝光精度 [6-7]。电子束光刻系统（如EBL 100KV）采用高稳定性电子枪和精密偏转控制，定位分辨率达0.0012nm [2]。无掩模激光直写系统利用激光直接在基材上成像，适用于柔性电子器件制造等领域 [5]。国内上海微电子装备股份有限公司研制的紫外光刻机占据中端市场 [7]。

两种工艺常规光刻技术是采用波长为2000～4500埃的紫外光作为图像信息载体，以光致抗蚀剂为中间（图像记录）媒介实现图形的变换、转移和处理，**终把图像信息传递到晶片(主要指硅片)或介质层上的一种工艺。在广义上，它包括光复印和刻蚀工艺两个主要方面。①光复印工艺：经曝光系统将预制在掩模版上的器件或电路图形按所要求的位置，精确传递到预涂在晶片表面或介质层上的光致抗蚀剂薄层上。②刻蚀工艺：利用化学或物理方法，将抗蚀剂薄层未掩蔽的晶片表面或介质层除去，从而在晶片表面或介质层上获得与抗蚀剂薄层图形完全一致的图形。集成电路各功能层是立体重叠的，因而光刻工艺总是多次反复进行。例如，大规模集成电路要经过约10次光刻才能完成各层图形的全部传递。在狭义上，光刻工艺*指光复印工艺,即从④到⑤或从③到⑤的工艺过程目的：使表面具有疏水性，增强基底表面与光刻胶的黏附性。南通销售光刻系统按需定制

激发化学增强光刻胶的PAG产生的酸与光刻胶上的保护基团发生反应并移除基团使之能溶解于显影液。吴中区比较好的光刻系统推荐货源

光致抗蚀剂，简称光刻胶或抗蚀剂，指光照后能改变抗蚀能力的高分子化合物。光蚀剂分为两大类。①正性光致抗蚀剂：受光照部分发生降解反应而能为显影液所溶解。留下的非曝光部分的图形与掩模版一致。正性抗蚀剂具有分辨率高、对驻波效应不敏感、曝光容限大、***密度低和无毒性等优点，适合于高集成度器件的生产。②负性光致抗蚀剂：受光照部分产生交链反应而成为不溶物，非曝光部分被显影液溶解，获得的图形与掩模版图形互补。负性抗蚀剂的附着力强、灵敏度高、显影条件要求不严，适于低集成度的器件的生产。吴中区比较好的光刻系统推荐货源

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