常州耐用光刻系统量大从优

对准对准方法：a、预对准，通过硅片上的notch或者flat进行激光自动对准；b、通过对准标志（Align Mark），位于切割槽（Scribe Line）上。另外层间对准，即套刻精度（Overlay），保证图形与硅片上已经存在的图形之间的对准。曝光曝光中**重要的两个参数是：曝光能量（Energy）和焦距（Focus）。如果能量和焦距调整不好，就不能得到要求的分辨率和大小的图形。表现为图形的关键尺寸超出要求的范围。曝光方法：a、接触式曝光（Contact Printing）。掩膜板直接与光刻胶层接触。曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当，设备简单。缺点：光刻胶污染掩膜板；掩膜板的磨损，寿命很低（只能使用5～25次）；1970前使用，分辨率〉0.5μm。目的：使表面具有疏水性，增强基底表面与光刻胶的黏附性。常州耐用光刻系统量大从优

1.气相成底模2.旋转烘胶3.软烘4.对准和曝光5.曝光后烘焙（PEB）6.显影7.坚膜烘焙8.显影检查光刻是平面型晶体管和集成电路生产中的一个主要工艺。是对半导体晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)进行开孔，以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术。准分子光刻技术作为当前主流的光刻技术，主要包括：特征尺寸为0．1μm的248 nm KrF准分子激光技术；特征尺寸为90 nm的193 nm ArF准分子激光技术；特征尺寸为65 nm的193 nm ArF浸没式技术（Immersion，193i）。其中193 nm浸没式光刻技术是所有光刻技术中**为长寿且**富有竞争力的，也是如何进一步发挥其潜力的研究热点。传统光刻技术光刻胶与曝光镜头之间的介质是空气，而浸没 式技术则是将空气 换成液体介质。虎丘区直销光刻系统选择c、焦距控片（Focus MC）：作为光刻机监控焦距监控；

EUV光刻系统的发展历经应用基础研究至量产四个阶段，其突破得益于多元主体协同创新和全产业链资源整合 [3]。截至2024年12月，EUV技术已应用于2nm芯片量产，但仍需优化光源和光刻胶性能。下一代技术如纳米压印和定向自组装正在研发中 [6]。**光刻系统主要由荷兰ASML、日本Nikon和Canon垄断。国内上海微电子装备股份有限公司研制的紫外光刻机占据中端市场 [7]。科研领域***使用德国SUSS紫外光刻机（占比45%），国产设备在激光直写设备中表现较好 [8]。

英特尔高级研究员兼技术和制造部先进光刻技术总监YanBorodovsky在去年说过“针对未来的IC设计，我认为正确的方向是具有互补性的光刻技术。193纳米光刻是当前能力**强且**成熟的技术，能够满足精确度和成本要求，但缺点是分辨率低。利用一种新技术作为193纳米光刻的补充，可能是在成本、性能以及精确度方面的比较好解决方案。补充技术可以是EUV或电子束光刻。” [3]现阶段很多公司也在推动纳米压印、无掩膜光刻或一种被称为自组装的新兴技术。但是EUV光刻仍然被认为是下一代CPU的比较好工艺。接触式曝光（Contact Printing）。掩膜板直接与光刻胶层接触。

b、接近式曝光（Proximity Printing）。掩膜板与光刻胶层的略微分开，大约为10～50μm。可以避免与光刻胶直接接触而引起的掩膜板损伤。但是同时引入了衍射效应，降低了分辨率。1970后适用，但是其最大分辨率*为2～4μm。c、投影式曝光（Projection Printing）。在掩膜板与光刻胶之间使用透镜聚集光实现曝光。一般掩膜板的尺寸会以需要转移图形的4倍制作。优点：提高了分辨率；掩膜板的制作更加容易；掩膜板上的缺陷影响减小。投影式曝光分类：其技术发展历经紫外（UV）、深紫外（DUV）到极紫外（EUV）阶段，推动集成电路制程不断进步 [3] [6]。虎丘区直销光刻系统选择

目的：除去溶剂（4～7%）；增强黏附性；释放光刻胶膜内的应力；防止光刻胶玷污设备；常州耐用光刻系统量大从优

浸没式光刻技术所面临的挑战主要有：如何解决曝光中产生的气泡和污染等缺陷的问题；研发和水具有良好的兼容性且折射率大于1．8的光刻胶的问题；研发折射率较大的光学镜头材料和浸没液体材料；以 及 有 效 数 值 孔 径NA值 的 拓 展 等 问题。针 对 这 些 难 题 挑 战，国 内 外 学 者 以 及ASML，Nikon和IBM等公 司已 经 做 了 相 关 研 究并提出相应的对策。浸没式光刻机将朝着更高数值孔径发展，以满足更小光刻线宽的要求。 [1]提高光刻技术分辨率的传统方法是增大镜头的NA或缩 短 波 长，通 常 首 先 采 用 的 方 法 是 缩 短 波长。常州耐用光刻系统量大从优

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