用万用表检测三极管好坏：第一步测 PN 结正向导通性，红表笔接 B，黑表笔接 E、C，均应显示 0.6-0.7V（硅管），若显示 “OL” 或压降异常，说明发射结 / 集电结损坏；第二步测反向截止性，黑表笔接 B，红表笔接 E、C，均应显示 “OL”，若有导通压降，说明 PN 结反向漏电；第三步估测 β，将万用表调至 “hFE 档”，根据三极管类型（NPN）插入对应插槽，显示 β 值，若 β<10 或无显示，说明三极管放大能力失效。例如检测 9013 管，若 B-E、B-C 正向压降正常，反向截止，β=80-120，说明三极管完好。基极串 100Ω-1kΩ 电阻，能限制高频干扰电流，提升抗干扰性。全国高可靠性NPN型晶体三极管放大倍数200-300
随着电子技术发展，NPN 型小功率三极管向微型化、高集成化、低功耗方向发展，如 SOT-23 封装进一步小型化为 SOT-323，功耗从几百毫瓦降至几十毫瓦。同时，部分场景下被替代：一是集成电路替代，如放大电路用运算放大器（如 LM358）替代分立三极管，简化设计；二是 MOS 管替代，MOS 管（如 N 沟道增强型 MOS 管 IRLML2502）在开关电路中更具优势，导通电阻小、驱动电流低，适合低功耗场景；三是 GaN（氮化镓）器件替代，在高频、高压场景（如快充电路）中，GaN 器件效率更高、散热更好。但在简单电路（如 LED 驱动、继电器控制）中，NPN 型小功率三极管因成本低、易用性强，仍将长期应用。全国高可靠性NPN型晶体三极管放大倍数200-300三极管补偿法用同型号管发射结并联，抵消参数温度漂移。
要让 NPN 型小功率三极管实现放大或开关功能，需满足特定偏置：发射结正向偏置、集电结反向偏置。发射结正向偏置指基极电压（VB）高于发射极电压（VE），硅管正向压降约 0.6-0.7V，此时发射区自由电子在电场作用下越过发射结进入基区；集电结反向偏置指集电极电压（VC）高于基极电压（VB），反向电场阻止基区空穴向集电区移动，同时 “牵引” 基区未复合的自由电子进入集电区。若偏置条件不满足，如发射结反偏，三极管会进入截止状态；若集电结正偏，则可能进入饱和状态，无法实现正常放大。
脉冲电路需输出高低电平交替的脉冲信号，NPN 型小功率三极管通过快速切换截止与饱和状态实现该功能。例如在矩形波发生器中，三极管与 RC 充放电电路配合：RC 充电时，VB 上升，IB 增大，三极管饱和，输出低电平；RC 放电时，VB 下降，IB 减小，三极管截止，输出高电平，通过调整 RC 参数控制脉冲周期（T≈1.4RC）。此外，在脉冲宽度调制（PWM）电路中，三极管根据输入的 PWM 信号导通 / 截止，控制负载（如电机、LED）的平均电压 / 电流，实现调速、调光功能，例如 LED 调光电路中，PWM 占空比从 10% 增至 90%，LED 亮度随之提升。共基电路输入阻抗低、输出阻抗高，适合做电流缓冲器。
NPN 型小功率晶体三极管的 重要半导体材料多为硅，少数特殊场景用锗。硅材料的优势在于禁带宽度约 1.1eV，常温下反向漏电流远小于锗管，稳定性更强，这也是硅管成为主流的关键原因。例如常用的 901 系列、8050 系列均为硅管，在 25℃环境下，ICBO（集电极 - 基极反向饱和电流）通常小于 10nA；而锗管 ICBO 可达数 μA，在对成本极端敏感且工作电流极小的简易电路（如老式矿石收音机）中应用。此外，硅管的温度耐受范围更广（-55℃~150℃），能适配多数民用电子设备的工作环境，锗管则因温度稳定性差，逐渐被硅管取代。共射电路饱和失真源于工作点高，需增大 RB、减小 RC 或降 VCC 解决。全国高可靠性NPN型晶体三极管放大倍数200-300
放大能力下降表现为输出幅度减，多因 β 值明显低于标称值。全国高可靠性NPN型晶体三极管放大倍数200-300
ICEO 是基极开路时集电极 - 发射极反向电流，ICEO≈(1+β) ICBO，因 β 和 ICBO 均随温度升高而增大，ICEO 的温度敏感性极强，会导致电路静态电流增大，功耗上升。抑制 ICEO 的方法：一是选择 ICBO 小的硅管，硅管 ICBO 远小于锗管；二是在基极与地之间接泄放电阻 RB，使 IB=ICEO/(1+β)，减小 ICEO 对 IC 的影响；三是采用分压式偏置电路，通过 RE 的负反馈稳定 IC。例如在高精度电流源电路中，基极接 100kΩ 泄放电阻，当 ICEO=10μA（β=100）时，IB=0.1μA，对 IC 的影响可忽略不计，确保电流源输出稳定。全国高可靠性NPN型晶体三极管放大倍数200-300
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