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纳米压印基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG610,EVG620 NT,EVG6200 NT,EVG720,EVG7200,EVG7200
  • 是否定制
纳米压印企业商机

SmartNIL是行业领仙的NIL技术,可对小于40nm*的极小特征进行图案化,并可以对各种结构尺寸和形状进行图案化。SmartNIL与多用途软戳技术相结合,可实现无人能比的吞吐量,并具有显着的拥有成本优势,同时保留了可扩展性和易于维护的操作。EVG的SmartNIL兑现了纳米压印的长期前景,即纳米压印是一种用于大规模制造微米级和纳米级结构的低成本,大批量替代光刻技术。*分辨率取决于过程和模板如果需要详细的信息,请联系岱美仪器技术服务有限公司。EVG ® 6200 NT属于SmartNIL UV紫外光纳米压印光刻系统。半导体设备纳米压印供应商

半导体设备纳米压印供应商,纳米压印

EVG®770特征:微透镜用于晶片级光学器件的高效率制造主下降到纳米结构为SmartNIL®简单实施不同种类的大师可变抗蚀剂分配模式分配,压印和脱模过程中的实时图像用于压印和脱模的原位力控制可选的光学楔形误差补偿可选的自动盒带间处理EVG®770技术数据:晶圆直径(基板尺寸):100至300毫米解析度:≤50nm(分辨率取决于模板和工艺)支持流程:柔软的UV-NIL曝光源:大功率LED(i线)>100mW/cm²对准:顶侧显微镜,用于实时重叠校准≤±500nm和精细校准≤±300nm手个印刷模具到模具的放置精度:≤1微米有效印记区域:长达50x50毫米自动分离:支持的前处理:涂层:液滴分配(可选)。半导体设备纳米压印供应商EVG®610和EVG®620NT /EVG®6200NT是具有紫外线纳米压印功能的通用掩模对准系统。

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NIL已被证明是在大面积上实现纳米级图案的蕞具成本效益的方法,因为它不受光学光刻所需的复杂光学器件的限制,并且它可以为极小尺寸(小于100分)提供蕞佳图案保真度nm)结构。EVG的SmartNIL是基于紫外线曝光的全场压印技术,可提供功能强大的下一代光刻技术,几乎具有无限的结构尺寸和几何形状功能。由于SmartNIL集成了多次使用的软标记处理功能,因此还可以实现无人能比的吞吐量,并具有显着的拥有成本优势,同时保留了可扩展性和易于维护的操作。另外,主模板的寿命延长到与用于光刻的掩模相当的时间。新应用程序的开发通常与设备功能的提高紧密相关。

纳米压印微影技术可望优先导入LCD面板领域原本计划应用在半导体生产制程的纳米压印微影技术(Nano-ImpLithography;NIL),现将率先应用在液晶显示器(LCD)制程中。NIL为次世代图样形成技术。据ETNews报导,南韩显示器面板企业LCD制程研发小组,未确认NIL设备实际图样形成能力,直接参访海外NIL设备厂。该制程研发小组透露,若引进相关设备,将可提升面板性能。并已展开具体供货协商。NIL是以刻印图样的压印机,像盖章般在玻璃基板上形成图样的制程。在基板上涂布UV感光液后,再以压印机接触施加压力,印出面板图样。之后再经过蚀刻制程形成图样。NIL可在LCD玻璃基板上刻印出偏光图样,不需再另外贴附偏光薄膜。虽然在面板制程中需增加NIL、蚀刻制程,但省落偏光膜贴附制程,可维持同样的生产成本。偏光膜会吸收部分光线降低亮度。若在玻璃基板上直接形成偏光图样,将不会发生降低亮度的情况。通常面板分辨率越高,因配线较多,较难确保开口率(ApertureRatio)。EVG提供不同的整面压印系统,大面积压印机,微透镜成型设备以及用于高 效母版制作的分步重复系统。

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HERCULES®NIL完全集成SmartNIL®的UV-NIL紫外光纳米压印系统。EVG的HERCULES®NIL产品系列HERCULES®NIL完全集成SmartNIL®UV-NIL系统达200毫米对于大批量制造的完全集成的纳米压印光刻解决方案,具有EVG's专有SmartNIL®印迹技术HERCULESNIL是完全集成的UV纳米压印光刻跟踪解决方案,适用于ZUI大200mm的晶圆,是EVG的NIL产品组合的ZUI新成员。HERCULESNIL基于模块化平台,将EVG专有的SmartNIL压印技术与清洁,抗蚀剂涂层和烘烤预处理步骤相结合。这将HERCULESNIL变成了“一站式服务”,将裸露的晶圆装载到工具中,然后将经过完全处理的纳米结构晶圆退回。纳米压印是一种用于大规模制造微米级和纳米级结构的低成本的技术,大批量替代光刻技术。半导体设备纳米压印供应商

SmartNIL技术可提供功能强大的下一代光刻技术,几乎具有无限的结构尺寸和几何形状功能。半导体设备纳米压印供应商

具体说来就是,MOSFET能够有效地产生电流流动,因为标准的半导体制造技术旺旺不能精确控制住掺杂的水平(硅中掺杂以带来或正或负的电荷),以确保跨各组件的通道性能的一致性。通常MOSFET是在一层二氧化硅(SiO2)衬底上,然后沉积一层金属或多晶硅制成的。然而这种方法可以不精确且难以完全掌控,掺杂有时会泄到别的不需要的地方,那样就创造出了所谓的“短沟道效应”区域,并导致性能下降。一个典型MOSFET不同层级的剖面图。不过威斯康星大学麦迪逊分校已经同全美多个合作伙伴携手(包括密歇根大学、德克萨斯大学、以及加州大学伯克利分校等),开发出了能够降低掺杂剂泄露以提升半导体品质的新技术。研究人员通过电子束光刻工艺在表面上形成定制形状和塑形,从而带来更加“物理可控”的生产过程。半导体设备纳米压印供应商

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