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DDR3测试基本参数
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重复步骤6至步骤9,设置Memory器件U101、U102、U103和U104的模型为 模型文件中的Generic器件。

在所要仿真的时钟网络中含有上拉电阻(R515和R518),在模型赋置界面中找到 这两个电阻,其Device Type都是R0402 47R,可以选中R0402 47R对这类模型统一进行设置, 

(12) 选中R0402 47R后,选择Create ESpice Model...按钮,在弹出的界面中单击OK按 钮,在界面中设置电阻模型后,单击OK按钮赋上电阻模型。

同步骤11、步骤12,将上拉电源处的电容(C583)赋置的电容模型。

上拉电源或下拉到地的电压值可以在菜单中选择LogicIdentify DC Nets..来设置。 DDR3一致性测试是否包括高负载或长时间运行测试?DDR测试DDR3测试商家

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DDR信号的DC和AC特性要求之后,不知道有什么发现没有?对于一般信号而言,DC和AC特性所要求(或限制)的就是信号的电平大小问题。但是在DDR中的AC特性规范中,我们可以注意一下,其Overshoot和Undershoot指向的位置,到底代表什么含义?有些读者可能已经发现,是没有办法从这个指示当中获得准确的电压值的。这是因为,在DDR中,信号的AC特性所要求的不再是具体的电压值,而是一个电源和时间的积分值。影面积所示的大小,而申压和时间的积分值,就是能量!因此,对于DDR信号而言,其AC特性中所要求的不再是具体的电压幅值大小,而是能量的大小!这一点是不同于任何一个其他信号体制的,而且能量信号这个特性,会延续在所有的DDRx系统当中,我们会在DDR2和DDR3的信号体制中,更加深刻地感觉到能量信号对于DDRx系统含义。当然,除了能量的累积不能超过AC规范外,比较大的电压值和小的电压值一样也不能超过极限,否则,无需能量累积,足够高的电压就可以一次击穿器件。DDR测试DDR3测试商家在DDR3一致性测试期间能否继续进行其他任务?

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单击View Topology按钮进入SigXplorer拓扑编辑环境,可以按前面161节反射 中的实验所学习的操作去编辑拓扑进行分析。也可以单击Waveforms..按钮去直接进行反射和 串扰的布线后仿真。

在提取出来的拓扑中,设置Controller的输出激励为Pulse,然后在菜单Analyze- Preferences..界面中设置Pulse频率等参数,

单击OK按钮退出参数设置窗口,单击工具栏中的Signal Simulate进行仿真分析,

在波形显示界面里,只打开器件U104 (近端颗粒)管脚上的差分波形进行查看, 可以看到,差分时钟波形边沿正常,有一些反射。

原始设计没有接终端的电阻端接。在电路拓扑中将终端匹配的上拉电阻电容等电路 删除,再次仿真,只打开器件U104 (近端颗粒)管脚上的差分波形进行查看,可以看到, 时钟信号完全不能工作。

· 相关器件的应用手册,ApplicationNote:在这个文档中,厂家一般会提出一些设计建议,甚至参考设计,有时该文档也会作为器件手册的一部分出现在器件手册文档中。但是在资料的搜集和准备中,要注意这些信息是否齐备。

· 参考设计,ReferenceDesign:对于比较复杂的器件,厂商一般会提供一些参考设计,以帮助使用者尽快实现解决方案。有些厂商甚至会直接提供原理图,用户可以根据自己的需求进行更改。

· IBIS 文件:这个对高速设计而言是必需的,获得的方法前面已经讲过。 是否可以通过调整时序设置来解决一致性问题?

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使用SystemSI进行DDR3信号仿真和时序分析实例

SystemSI是Cadence Allegro的一款系统级信号完整性仿真工具,它集成了 Sigrity强大的 电路板、封装等互连模型及电源分布网络模型的提取功能。目前SystemSI提供并行总线分析 和串行通道分析两大主要功能模块,本章介绍其中的并行总线分析模块,本书第5章介绍串 行通道分析模块。

SystemSI并行总线分析(Parallel Bus Analysis)模块支持IBIS和HSPICE晶体管模型, 支持传输线模型、S参数模型和通用SPICE模型,支持非理想电源地的仿真分析。它拥有强 大的眼图、信号质量、信号延时测量功能和详尽的时序分析能力,并配以完整的测量分析报 告供阅读和存档。下面我们结合一个具体的DDR3仿真实例,介绍SystemSI的仿真和时序分 析方法。本实例中的关键器件包括CPU、4个DDR3 SDRAM芯片和电源模块, 如何选择适用于DDR3一致性测试的工具?DDR测试DDR3测试商家

DDR3一致性测试是否适用于特定应用程序和软件环境?DDR测试DDR3测试商家

 如果模型文件放在其他目录下,则可以选择菜单Analyze-Model Browser..,在界面里面单击 Set Search Path按钮,然后在弹出的界面里添加模型文件所在的目录。

选择菜单Analyze —Model Assignment..,在弹出的模型设置界面中找到U100 (Controller)来设置模型。

在模型设置界面中选中U100后,单击Find Model...按钮,在弹出来的界面中删除 工具自认的模型名BGA1295-40,将其用“*”取代,再单击空白处或按下Tab键,在列岀的 模型文件中选中。

单击Load按钮,加载模型。

加载模型后,选择文件下的Controller器件模型,然后单击Assign 按钮,将这个器件模型赋置给U100器件。 DDR测试DDR3测试商家

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DDR测试DDR3测试商家 2023-12-02

重复步骤6至步骤9,设置Memory器件U101、U102、U103和U104的模型为 memory.ibs模型文件中的Generic器件。 在所要仿真的时钟网络中含有上拉电阻(R515和R518),在模型赋置界面中找到 这两个电阻,其Device Type都是R0402 47R,可以选中R0402 47R对这类模型统一进行设置, (12) 选中R0402 47R后,选择Create ESpice Model...按钮,在弹出的界面中单击OK按 钮,在界面中设置电阻模型后,单击OK按钮赋上电阻模型。 同步骤11、步骤12,将上拉电源处的电容(C583)赋置的电容模型。 ...

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