这款一体化设备的核心竞争力，在于打破了两种技术的应用边界。热红外显微镜擅长微观尺度的热分布成像，能通过高倍率光学系统捕捉芯片表面微米级的温度差异；锁相红外热成像系统则依托锁相技术，可从环境噪声中提取微弱的周期性热信号，实现纳米级缺陷的精细定位。致晟光电通过硬件集成与算法优化，让两者形成 “1+1＞2” 的协同效应 —— 既保留热红外显微镜的微观观测能力，又赋予其锁相技术的微弱信号检测优势，无需在两种设备间切换即可完成从宏观扫描到微观定位的全流程分析。锁相热成像系统借电激励，捕捉细微温度变化辨故障。显微红外成像锁相红外热成像系统应用
锁相频率越高，得到的空间分辨率则越高。然而，对于锁相红外热成像系统来说，较高的频率往往会降低待检测的热发射。这是许多 LIT系统的限制。RTTLIT系统通过提供一个独特的系统架构克服了这一限制，在该架构中，可以在"无限"的时间内累积更高频率的 LIT 数据。数据采集持续延长，数据分辨率提高。系统采集数据的时间越长，灵敏度越高。当试图以极低的功率级采集数据或必须从弱故障模式中采集数据时，锁相红外热成像RTTLIT系统的这一特点尤其有价值。显微红外成像锁相红外热成像系统应用利用周期性调制的热激励源对待测物体加热，物体内部缺陷会导致表面温度分布产生周期性变化。
电子产业的存储器芯片检测中，电激励的锁相热成像系统发挥着独特作用，为保障数据存储安全提供了有力支持。存储器芯片如 DRAM、NAND Flash 等，是电子设备中用于存储数据的关键部件，其存储单元的质量直接决定了数据存储的可靠性。存储单元若存在缺陷，如氧化层击穿、接触不良等，会导致数据丢失、读写错误等问题。通过对存储器芯片施加电激励，进行读写操作，缺陷存储单元会因电荷存储异常而产生异常温度。锁相热成像系统能够定位这些缺陷单元的位置，帮助制造商在生产过程中筛选出合格的存储器芯片，提高产品的合格率。例如，在检测固态硬盘中的 NAND Flash 芯片时，系统可以发现存在坏块的存储单元区域，这些区域在读写操作时温度明显升高。通过标记这些坏块并进行屏蔽处理，能够有效保障数据存储的安全，推动电子产业存储领域的健康发展。
先进的封装应用、复杂的互连方案和更高性能的功率器件的快速增长给故障定位和分析带来了前所未有的挑战。有缺陷或性能不佳的半导体器件通常表现出局部功率损耗的异常分布，导致局部温度升高。RTTLIT系统利用锁相红外热成像进行半导体器件故障定位，可以准确有效地定位这些目标区域。LIT是一种动态红外热成像形式，与稳态热成像相比，其可提供更好的信噪比、更高的灵敏度和更高的特征分辨率。LIT可在IC半导体失效分析中用于定位线路短路、ESD缺陷、氧化损坏、缺陷晶体管和二极管以及器件闩锁。LIT可在自然环境中进行，无需光屏蔽箱。利用锁相放大器或相关算法，将热像序列中每个像素的温度信号与激励参考信号进行相关运算得到振幅与相位。
性能参数的突破更凸显技术实力。RTTLIT P20 的测温灵敏度达 0.1mK，意味着能捕捉到 0.0001℃的温度波动，相当于能检测到低至 1μW 的功率变化 —— 这一水平足以识别芯片内部栅极漏电等隐性缺陷；2μm 的显微分辨率则让成像精度达到微米级，可清晰呈现芯片引线键合处的微小热异常。而 RTTLIT P10 虽采用非制冷型探测器，却通过算法优化将锁相灵敏度提升至 0.001℃，在 PCB 板短路、IGBT 模块局部过热等检测场景中，既能满足精度需求，又具备更高的性价比。此外，设备的一体化设计将可见光、热红外、微光三大成像模块集成，配合自动化工作台的精细控制，实现了 “一键切换检测模式”“双面观测无死角” 等便捷操作，大幅降低了操作复杂度。电激励与锁相热成像系统，实现微缺陷检测。显微红外成像锁相红外热成像系统应用
电激励与锁相热成像系统，电子检测黄金组合。显微红外成像锁相红外热成像系统应用
锁相热成像系统的维护保养是保证其长期稳定运行的关键。系统的维护包括日常的清洁、部件的检查和更换等。对于红外热像仪的镜头，需要定期用专门的清洁剂和镜头纸进行清洁，避免灰尘和污渍影响成像质量。锁相放大器、激光器等关键部件要定期进行性能检查，确保其参数在正常范围内。如果发现部件出现老化或故障，要及时进行更换，以避免影响系统的检测精度。此外，系统的冷却系统也需要定期维护，确保其能够正常工作，防止因设备过热而影响性能。做好维护保养工作，能够延长锁相热成像系统的使用寿命，降低设备故障的发生率，保证检测工作的顺利进行。显微红外成像锁相红外热成像系统应用
