1、“LLP(laser light plane)技术”，主要运用红外激光设备把红外线投影到屏幕上。当屏幕被阻挡时，红外线便会反射，而屏幕下的摄影机则会捕捉反射去向。再经系统分析，便可作出反应。2、“FTIR(Frustrated Total Internal Reflection)技术”，会在屏幕...

半导体制造设备是用于芯片制造的关键设备，主要包括光刻、刻蚀、薄膜沉积等类型 [3]，处于产业链中游，连接上游的**零部件、材料与子系统供应商，以及下游的晶圆制造、封装与测试厂商 [5]。2025年，全球半导体制造设备销售总额达1351亿美元，创历史新高 [1]；中国大陆连续第五年成为全球比较大的单一...

常用触摸芯片的性能指标有：Ø 工作电压：2.5V~5.5VØ 高灵敏度的触摸检测通道，CMOS电平输出Ø 无需进行参数烧录Ø 多级灵敏度可调Ø 响应速度快Ø 抗电磁干扰能力强Ø 防水及带水操作功能Ø 接近检测功能Ø 独特的环境跟踪和自适应能力Ø 低功耗（典型工作电流 ＜ 25uA）Ø 内置上电复位（...

碳基半导体材料突破由中国科学院院士北京大学教授彭练矛和张志勇教授率领的团队实现，突破了长期困扰碳基半导体制备的瓶颈。 [4]国家集成电路产业投资基金（大基金）三期募资规模超3000亿元，重点投向芯片制造、设备材料等“卡脖子”环节。 [5]2026年4月，美国众议院推进《MATCH法案》，意图加码对中...

光电池当光线投射到一个PN结上时，由光激发的电子空穴对受到PN结附近的内在电场的作用而向相反方向分离，因此在PN结两端产生一个电动势，这就成为一个光电池。把日光转换成电能的日光电池很受人们重视。较早应用的日光电池都是用硅单晶制造的，成本太高，不能大量推广使用。国际上都在寻找成本低的日光电池，用的材料...

在MOS器件的基础上,又发展出一种电荷耦合器件 (CCD)，它是以半导体表面附近存储的电荷作为信息，控制表面附近的势阱使电荷在表面附近向某一方向转移。这种器件通常可以用作延迟线和存储器等；配上光电二极管列阵，可用作摄像管。中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、...

2025年至2026年初，全球集成电路芯片市场在AI算力、汽车电子、先进存储等需求的驱动下呈现复苏与结构性增长态势 [6] [22]。高性能计算芯片、车规级芯片及先进封装技术成为市场关注焦点 [6] [20] [30]。性能评测与突破2026年2月，国际**组织SPEC公布的测试结果显示，基于海光C...

根据2023-2024年芯片热搜榜单，电源管理芯片如UC3842、LM358、TL431，以及微控制器（MCU）如意法半导体的STM32系列，是市场上备受关注的热门产品型号。 [19]2025年全球半导体市场规模预计达7720亿至7838亿美元，同比增长22%至23.4%，2026年市场规模有望突破...

常用触摸芯片的性能指标有：Ø 工作电压：2.5V~5.5VØ 高灵敏度的触摸检测通道，CMOS电平输出Ø 无需进行参数烧录Ø 多级灵敏度可调Ø 响应速度快Ø 抗电磁干扰能力强Ø 防水及带水操作功能Ø 接近检测功能Ø 独特的环境跟踪和自适应能力Ø 低功耗（典型工作电流 ＜ 25uA）Ø 内置上电复位（...

联发科天玑9500采用台积电第三代3nm工艺，在GeekBench v6.4测试中单核得分突破4000分，多核成绩超过11000分 [28]。网络交换芯片方面，思科Silicon One G300是一款专为大规模AI集群构建而设计的102.4 Tbps交换芯片，采用台积电的3纳米芯片制造技术，预计该...

国产设备在先进工艺上取得突破，如中微公司的3nm刻蚀设备已实现量产 [12]；上海微电子、北方华创、拓荆科技等厂商的设备已进入产线验证与批量上机阶段 [15]。在国产替代政策推动下，中国半导体设备行业快速发展 [2]。国际环境中，美国等国家对华实施半导体制造设备出口管制 [8]；美国MATCH法案进...

半导体设备是用于制造半导体器件的各种机械和工具的总称。这些设备在半导体产业中扮演着至关重要的角色，主要用于晶圆制造、封装测试等环节。以下是一些常见的半导体设备类型：光刻机（Lithography Equipment）：用于在晶圆上转移电路图案的设备，通常使用紫外光或极紫外光（EUV）技术。刻蚀机（E...