双向可控硅可被认为是一对反并联连接的普通可控硅的集成,工作原理与普通单向可控硅相同。双向可控硅有两个主电极T1和T2, 一个门极G, 门极使器件在主电极的正反两个方向均可触发导通,所以双向可控硅在第1和第3象限有对称的伏安特性。双向可控硅门极加正、负触发脉冲都能使管子触发导通,因此有四种触发方式。双向可控硅应用为正常使用双向可控硅,需定量...
查看详细 >>1、智能功率模块(ipms) 智能功率模块的特点在于除了功率半导体器件外,还有驱动电路。许多ipm模块也配备了温度传感器和电流平衡电路或用于电流测量的分流电阻。通常智能功率模块也集成了额外保护和监测功能,如过电流和短路保护,驱动器电源电压控制和直流母线电压测量等。 然而,大部分智能功率模块没有对功率侧的信号输入进行电气隔离。只有极少数...
查看详细 >>该电子为p+n-p晶体管的少数载流子,从集电极衬底p+层开始流入空穴,进行电导率调制(双极工作),所以可以降低集电极-发射极间饱和电压。在发射极电极侧形成n+pn-寄生晶体管。若n+pn-寄生晶体管工作,又变成p+n- pn+晶闸管。电流继续流动,直到输出侧停止供给电流。通过输出信号已不能进行控制。一般将这种状态称为闭锁状态。为了抑制n+...
查看详细 >>整流二极管一般为平面型硅二极管,用于各种电源整流电路中。选用整流二极管时,主要应考虑其比较大整流电流、比较大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管,对截止频率的反向恢复时间要求不高,只要根据电路的要求选择比较大整流电流和比较大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。例如,1N系列、2CZ系列、RL...
查看详细 >>变压器的设计一般只看额定容量,而不看额定功率,因为其电流只与额定容量有关。对于电压源型变频器,由于其输入功率因数接近于1,所以额定容量与额定功率几乎相等。电流源型变频器则不然,其输入侧变压器功率因数**多等于负载异步电机的功率因数,所以对于相同的负载电机,其额定容量要比电压源型变频器的变压器大一些。5.什么是干式变压器的绝缘等级?干式变压...
查看详细 >>(3)触发控制电路、主电路和导热底板相互隔离,导热底板不带电,绝缘强度≥2500V(RMS),保证人身安全。(4)三相交流模块输出对称性好,直流分量小。大规格模块具有过热、过流、缺相保护作用。(5)输入0~10V直流控制信号或0~5V直流控制信号、4~20mA仪表信号,均可实现对主电路输出电压进行平滑调节;可手动、仪表或微机控制。(6)适...
查看详细 >>正向阻断当栅极和发射极短接并在集电极端子施加一个正电压时,P/NJ3结受反向电压控制。此时,仍然是由N漂移区中的耗尽层承受外部施加的电压。 [2]闩锁IGBT在集电极与发射极之间有一个寄生PNPN晶闸管。在特殊条件下,这种寄生器件会导通。这种现象会使集电极与发射极之间的电流量增加,对等效MOSFET的控制能力降低,通常还会引起器件击穿问题...
查看详细 >>单向可控硅和双向可控硅,都是三个电极。单向可控硅有阴极(K)、阳极(A)、控制极(G)。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连,其引出端称T2极,其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连,其引出端称T2极,剩下则为控制极(G)。 1、单、双向可控硅的判别:先任测两个极,若正、反测指针均不动(R×1挡)...
查看详细 >>双 向:Bi-directional(取***个字母)三 端:Triode(取***个字母)由以上两组单词组合成“BT”,也是对双向可控硅产品的型号命名,典型的生产商如:意法ST公司、荷兰飞利浦-Philips公司,均以此来命名双向可控硅。**型号如:PHILIPS的BT131-600D、BT134-600E、BT136-600E、BT1...
查看详细 >>(4)过载能力强:产品具有较强的过负载能力和过电压能力,可在额定负载情况下长期安全运行,可在110%过电压情况下满负载长期安全运行(环境温度40℃);变压器与电机相联的端子上能承受1.5倍额定电流,历时5S。产品设计、制造充分考虑负载特性,从温升、绝缘性能及附件选择等各方面满足过载要求。(5)性能指标优越:空载电流设计、制造值低于同容量S...
查看详细 >>结构特点(1)铁芯:采用30Q130高导磁硅钢片,同时采用选进的3~6级step-lap core stacking步进多级叠片方式,有较降低了空载损耗、空载电流和噪声。(2)绕组:电磁线采用了高导电率的无氧铜导线,绕组采用园筒式、双饼式和新型螺旋式等结构的整体套装新工艺,使产品结构更紧凑,主绝缘能等到有效保证,对首尾层进行加强,提高了绝...
查看详细 >>当晶闸管全部导通时,静态闩锁出现。只在关断时才会出现动态闩锁。这一特殊现象严重地限制了安全操作区。为防止寄生NPN和PNP晶体管的有害现象,有必要采取以下措施:一是防止NPN部分接通,分别改变布局和掺杂级别。二是降低NPN和PNP晶体管的总电流增益。此外,闩锁电流对PNP和NPN器件的电流增益有一定的影响,因此,它与结温的关系也非常密切;...
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