变压器生产的ZSS、ZS系列整流变压器用作整流装置的电源变压器，其作用是向整流器提供交流电源，整流器再将交流电变换为直流电，从而进行直流供电。主要应用于冶金、化工、机车牵引与传动等行业。产品节能、低损耗、低噪声、抗冲击和抗短路能力强。过载能力强、结构紧凑、体积小、供电可靠等优点。性能特点（1）电气性能稳定：产品结合负载特点和电网电压波动、...

  应用类型双向可控硅的特性曲线图4示出了双向可控硅的特性曲线。由图可见，双向可控硅的特性曲线是由一、三两个象限内的曲线组合成的。***象限的曲线说明当加到主电极上的电压使Tc对T1的极性为正时，我们称为正向电压，并用符号U21表示。当这个电压逐渐增加到等于转折电压UBO时，图3(b)左边的可控硅就触发导通，这时的通态电流为I21，方向是从T...

  桥式电路的特点是整流桥中有两组：共阴极组和共阳极组，两组共同串联到负载上，因此适宜在高电压、小电流情况下运行。如果电源大小合适，可不用变压器。在低电压、大电流情况下运行应是两组三相半波电路的并联结线（图2d）。并联后，利用变压器绕组的适当连接，消除了直流磁化，并使每组提供一半负载电流。为了解决两组电流平衡问题，特设平衡电抗器，这样既可发挥...

  移相全桥 PWM DC/DC 变换器基本的全桥电路结构基本的 DC/DC 全桥变换器由全桥逆变器和输出整流滤波电路构成，右图 显示了PWM DC/DC 全桥变换器的电路基本拓扑结构及主要波形。Vin是直流输入电压，Q1&D1～Q4&D4构成变换器的两个桥臂，高频变压器 TR 的原副边匝比为 K，DR1和 DR2是输出整流二极管，Lf是输出...

  可控硅(SCR是可控硅整流器的简称。可控硅有单向、双向、可关断和光控几种类型。它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、控制方便等优点，被***用于可控整流、调压、逆变以及无触点开关等各种自动控制和大功率的电能转换的场合。单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关断，只能靠去除负载...

  晶闸管整流器是一种整流器，拖动装置的直流电源是利用晶闸管整流器的直流电压向提升电动机供电。这种拖动装置的直流电源是利用晶闸管整流器的直流电压向提升电动机供电，所以又称。电动机的电枢和磁场均可由晶闸管整流器供电，因为该整流器的直流电压可通过触发延迟角均匀调节，电动机的转速便可以得到均匀改变而达到无级调速。提升电动机的换向可分电枢反向和磁场反...

  90年代中期，沟槽栅结构又返回到一种新概念的IGBT，它是采用从大规模集成(LSI)工艺借鉴来的硅干法刻蚀技术实现的新刻蚀工艺，但仍然是穿通(PT)型芯片结构。[4]在这种沟槽结构中，实现了在通态电压和关断时间之间折衷的更重要的改进。硅芯片的重直结构也得到了急剧的转变，先是采用非穿通(NPT)结构，继而变化成弱穿通(LPT)结构，这就使安...

  该电子为p+n-p晶体管的少数载流子，从集电极衬底p+层开始流入空穴，进行电导率调制（双极工作），所以可以降低集电极－发射极间饱和电压。在发射极电极侧形成n+pn－寄生晶体管。若n+pn－寄生晶体管工作，又变成p+n－ pn+晶闸管。电流继续流动，直到输出侧停止供给电流。通过输出信号已不能进行控制。一般将这种状态称为闭锁状态。为了抑制n+...

  2、性能的差别：将旋钮拨至R×1挡，对于1~6A单向可控硅，红笔接K极，黑笔同时接通G、A极，在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低（或触发电流小）。然后瞬时断开A极再接通，指针应退回∞位置，则表明可控硅良好。 对于1~6A双向可控硅，红笔接T1极，黑笔同时接G、T2极，在保证黑笔不...

  这个直流方波电压经过 Lf和 Cf组成的输出滤波器后成为一个平直的直流电压，其电压值为VO =D*Vin/K，其中 D 是占空比，D=2Ton/Ts，Ton 是导通时间，Ts 是开关周期。通过调节占空比D来调节输出电压 VO。 这种基本的全桥 PWM 开关变换器中，开关管对称导通，工作在硬开关状态。 [5]移相全桥 ZVZCS PWM 变...

  1、智能功率模块（ipms） 智能功率模块的特点在于除了功率半导体器件外，还有驱动电路。许多ipm模块也配备了温度传感器和电流平衡电路或用于电流测量的分流电阻。通常智能功率模块也集成了额外保护和监测功能，如过电流和短路保护，驱动器电源电压控制和直流母线电压测量等。 然而，大部分智能功率模块没有对功率侧的信号输入进行电气隔离。只有极少数...

  图1（a）所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N基 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区（包括P+ 和P-区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ Subchannel region ）。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注...