TCR的响应迅速,典型的响应时间为1.5~3个周期。实际的响应时间是测量延迟、TCR控制器的参数和系统强度的函数。如果对TCR采用电压控制的正常运行区域就被压缩到一条特性曲线上。这种特性曲线体现了补偿器的硬电压控制特性,它将系统电压精确地稳定在电压设定值%上。正常情况下,控制器通过控制电抗器注入节点的感性无功功率,来维持节点电压不变。当电...
查看详细 >>(2)可以采用开关电源,也可采用线性电源(即变压器整流式稳压电源)。开关电源外壳应带屏蔽罩。线性电源要求滤波电容必须≥2200μf/25V。(3)控制电源极性要求正确接入模块控制端口,严禁反接。否则将烧坏模块控制电路。4、使用环境要求(1)工作场所环境温度范围:-25℃~+45℃。(2)模块周围应干燥、通风、远离热源、无尘、无腐蚀性液体或...
查看详细 >>“双向可控硅”:是在普通可控硅的基础上发展而成的,它不*能代替两只反极性并联的可控硅,而且*需一个触发电路,是比较理想的交流开关器件。其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。双向可控硅为什么称为“TRIAC”?三端:TRIode(取**个字母)交流半导体开关:ACsemiconductorswitch(取前两个字母)以上两组名词组合成...
查看详细 >>这个直流方波电压经过 Lf和 Cf组成的输出滤波器后成为一个平直的直流电压,其电压值为VO =D*Vin/K,其中 D 是占空比,D=2Ton/Ts,Ton 是导通时间,Ts 是开关周期。通过调节占空比D来调节输出电压 VO。 这种基本的全桥 PWM 开关变换器中,开关管对称导通,工作在硬开关状态。 [5]移相全桥 ZVZCS PWM 变...
查看详细 >>三相全波整流桥不需要输入电源的零线(中性线)。整流桥堆一般用在全波整流电路中。全桥是由6只整流二极管按桥式全波整流电路的形式连接并封装为一体构成的,右图为其外形。全桥的正向电流有5A、10A、20A、35A、50A等多种规格,耐压值(比较高反向电压)有50V、100V、200V、300V、400V、500V、600V、700V、800V、...
查看详细 >>桥式整流模块是一种将交流电转换为直流电的电力电子器件,采用进口方形芯片、高级芯片支撑板,经特殊烧结工艺,保证焊接层无空洞,使用更可靠。采用DCB板及其它高级导热绝缘材料,导热性能好,导热基板不带电(MDY2000型模块除外),保证使用安全。热循环负载次数超过国家标准,使用寿命长。(1)散热底板为六只整流管的共阳极。(2)模块的六个电极连接...
查看详细 >>90年代中期,沟槽栅结构又返回到一种新概念的IGBT,它是采用从大规模集成(LSI)工艺借鉴来的硅干法刻蚀技术实现的新刻蚀工艺,但仍然是穿通(PT)型芯片结构。[4]在这种沟槽结构中,实现了在通态电压和关断时间之间折衷的更重要的改进。硅芯片的重直结构也得到了急剧的转变,先是采用非穿通(NPT)结构,继而变化成弱穿通(LPT)结构,这就使安...
查看详细 >>光控晶闸管:通过光照度触发导通,具有很强的抗干扰能力和良好的高压绝缘性能。特点:体积小、效率高、寿命长。能以毫安级电流控制大功率的机电设备。反应极快,在微秒级内开通、关断。无触点运行,无火花、无噪音。但静态及动态的过载能力较差,容易受干扰而误导通。三、主要参数晶闸管的主要参数包括:额定电压(V_RRM):晶闸管能够承受的比较大反向重复峰值...
查看详细 >>在使用IGBT的场合,当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态),若在主回路上加上电压,则IGBT就会损坏,为防止此类故障,应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。在安装或更换IGBT模块时,应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻,比较好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部...
查看详细 >>若欲使可控硅关断,也有两个关断条件:1) 使正向导通电流值小于其工作维持电流值;2) 使 A、K 之间电压反向。可见,可控硅器件若用于直流电路,一旦为触发信号开通,并保持一定幅度的流通电流 的话,则可控硅会一直保持开通状态。除非将电源开断一次,才能使其关断。若用于交流电 路,则在其承受正向电压期间,若接受一个触发信号,则一直保持导通,直到...
查看详细 >>2、性能的差别:将旋钮拨至R×1挡,对于1~6A单向可控硅,红笔接K极,黑笔同时接通G、A极,在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极,指针应指示几十欧至一百欧,此时可控硅已被触发,且触发电压低(或触发电流小)。然后瞬时断开A极再接通,指针应退回∞位置,则表明可控硅良好。 对于1~6A双向可控硅,红笔接T1极,黑笔同时接G、T2极,在保证黑笔不...
查看详细 >>双向可控硅可被认为是一对反并联连接的普通可控硅的集成,工作原理与普通单向可控硅相同。双向可控硅有两个主电极T1和T2, 一个门极G, 门极使器件在主电极的正反两个方向均可触发导通,所以双向可控硅在第1和第3象限有对称的伏安特性。双向可控硅门极加正、负触发脉冲都能使管子触发导通,因此有四种触发方式。双向可控硅应用为正常使用双向可控硅,需定量...
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