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进行无线充 MOS 选型时进行无线充 MOS 选型时,需考虑器件的反向耐压和高频稳定性,无锡商甲半导体的 MOSFET 能满足这些要求。其产品耐压等级适配无线充的工作电压,避免电压波动对器件造成损坏。...
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选择适合特定应用场景的 MOSFET,需要结合应用的主要需求(如电压、电流、频率、散热条件等)和 MOSFET 的关键参数(如耐压、导通电阻、开关速度等)进行匹配,同时兼顾可靠性、成本及封装适配性...
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随着物联网技术的发展,众多物联网设备需要高效的电源管理。SGTMOSFET可应用于物联网传感器节点的电源电路中。这些节点通常依靠电池供电,SGTMOSFET的低功耗与高转换效率特性,能比较大限度地延长...
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无锡商甲半导体 MOSFET 满足 BLDC 的各项需求。低导通电阻和低栅极电荷降低能量损耗,发热少,温升控制良好,让电机运行更稳定。***的抗雪崩能力能承受感性负载的能量冲击,应对运行中的能量变化。...
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栅极绝缘层是TrenchMOSFET的关键组成部分,其材料的选择直接影响器件的性能和可靠性。传统的栅极绝缘层材料主要是二氧化硅,但随着器件尺寸的不断缩小和性能要求的不断提高,二氧化硅逐渐难以满足需求。...
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SGTMOSFET在工作过程中会产生一定的噪声,包括开关噪声和电磁辐射噪声。为抑制噪声,可以采取多种方法。在电路设计方面,优化PCB布局,减少寄生电感和电容,例如将功率回路和控制回路分开,缩短电流路径...
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SGTMOSFET的性能优势SGTMOSFET的优势在于其低导通损耗和快速开关特性。由于屏蔽电极的存在,器件在关断时能有效分散漏极电场,从而降低栅极电荷(Qg)和反向恢复电荷(Qrr),提升开关频率(...
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SGTMOSFET制造:衬底与外延生长在SGTMOSFET制造起始阶段,衬底选择尤为关键。通常选用硅衬底,因其具备良好的电学性能与成熟的加工工艺。高质量的硅衬底要求晶格缺陷少,像位错密度需控制在10²...
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TrenchMOSFET的可靠性是其在实际应用中的重要考量因素。长期工作在高温、高电压、大电流等恶劣环境下,器件可能会出现多种可靠性问题,如栅氧化层老化、热载流子注入效应、电迁移等。栅氧化层老化会导致...
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TrenchMOSFET的反向阻断特性是其重要性能之一。在反向阻断状态下,器件需要承受一定的反向电压而不被击穿。反向阻断能力主要取决于器件的结构设计和材料特性,如外延层的厚度、掺杂浓度,以及栅极和漏极...
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电动助力转向系统需要快速响应驾驶者的转向操作,并提供精细的助力。TrenchMOSFET应用于EPS系统的电机驱动部分。以一款紧凑型电动汽车的EPS系统为例,TrenchMOSFET的低导通电阻使得电...
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TrenchMOSFET的功率损耗主要包括导通损耗、开关损耗和栅极驱动损耗。导通损耗与器件的导通电阻和流过的电流有关,降低导通电阻可以减少导通损耗。开关损耗则与器件的开关速度、开关频率以及电压和电流的...
查看详情 >2025.11.11 无锡500至1200V FRDTrenchMOSFET价格比较
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