企业商机
首页 > 企业商机
首页 > 企业商机
SOP封装标准涵盖了SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等多种规格,其中数字部分表示引脚数量。在MOSFET的封装中,SOP-8规格被***采用,且业界常将P*部分省略,简称为so...
无锡商甲半导体快速发展,**:包括但不限于博世、比亚迪、小米、美的、雅迪等。 (1)政策支持:国家出台了一系列政策,鼓励功率半导体产业的技术创新与国产替代,包括加大研发投入、支持企业技术改造...
我公司主要从事以MOSFET为主的功率半导体芯片的设计、研发、(代工)生产和销售工作。公司产品生产代工为国内领一先功率半导体生产企业,专业团队在国际功率半导体企业工作多年,积累了丰富的专业经验和资...
SOP封装标准涵盖了SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等多种规格,其中数字部分表示引脚数量。在MOSFET的封装中,SOP-8规格被***采用,且业界常将P*部分省略,简称为so...
碳化硅材料特性 高击穿电场:碳化硅的禁带宽度约为硅基材料的3倍,临界击穿场强约为硅基材料的10倍,这意味着碳化硅器件能够在更高电压下稳定工作,可承受更高电压,这使得碳化硅MOSFET模块在高...
功率MOS场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),简称功率MOSFET(Power MOSFET)。结型功...
TO-220与TO-220F TO-220与TO-220F这两种封装的MOS管在外观上相似,可以相互替代。然而,TO-220背部配备了散热片,因此其散热效果相较于TO-220F更为出色。同时...
Trench技术趋势与挑战 工艺创新: 深沟槽(Deep Trench):刻蚀深度>10μm,用于高压IGBT或SiC MOSFET,优化电场分布。 双沟槽(Double Tre...
MOSFET大致可以分为以下几类:平面型MOSFET;Trench (沟槽型)MOSFET,主要用于低压领域;SGT(Shielded Gate Transistor,屏蔽栅沟槽)MOSF...
MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种重要的半导体器件,广泛应用于电子设备和电力电子系统中。对于MOSFET晶体管市场的未来发展,以下是一些可能的趋势和预测: 1.增长潜力:随着...
无锡商甲半导体MOS 管封装形式及散热性能分析 DPAK 封装 DPAK 封装也称为 TO-252 封装,属于表面贴装封装形式,兼具一定的散热能力和较小的体积。它的底部有一个较大的金属...
功率器件主要应用领域: 电源:开关电源、不间断电源、充电器(手机、电动车快充)、逆变器。 电机驱动:工业变频器、电动汽车驱动电机控制器、家用电器(如空调压缩机、洗衣机电机控制)。 ...
电力二极管:结构和原理简单,工作可靠; 晶闸管:承受电压和电流容量在所有器件中比较高 IGBT:开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,...
功率器件主要应用领域: 电源:开关电源、不间断电源、充电器(手机、电动车快充)、逆变器。 电机驱动:工业变频器、电动汽车驱动电机控制器、家用电器(如空调压缩机、洗衣机电机控制)。 ...
无锡商甲半导体有限公司有下列封装产品 TO-92封装 TO-92封装主要适用于低压MOS管,其电流控制在10A以下,耐压值不超过60V。此外,高压1N60/65也采用了这种封装方式,旨...
晶体管外形封装(TO) TO封装作为早期的封装规格,涵盖诸如TO-3P、TO-247等多种设计。这种封装形式以其高耐压和强抗击穿能力著称,适用于中高压、大电流的MOS管。在现代应用中,TO封...
SGTMOSFET的散热设计是保证其性能的关键环节。由于在工作过程中会产生一定热量,尤其是在高功率应用中,散热问题更为突出。通过采用高效的散热封装材料与结构设计,如顶部散热TOLT封装和双面散热的DF...
MOSFET的原理 MOSFET的原意是:MOS(MetalOxideSemiconductor金属氧化物半导体),FET(FieldEffectTransistor场效应晶体管),即以金属...
晶体管外形封装(TO) TO封装作为早期的封装规格,涵盖诸如TO-3P、TO-247等多种设计。这种封装形式以其高耐压和强抗击穿能力著称,适用于中高压、大电流的MOS管。在现代应用中,TO封...
无锡商甲半导体MOS 管封装形式及散热性能分析 DPAK 封装 DPAK 封装也称为 TO-252 封装,属于表面贴装封装形式,兼具一定的散热能力和较小的体积。它的底部有一个较大的金属...
功率MOSFET是70年代末开始应用的新型电力电子器件,适合于数千瓦以下的电力电子装置,能***缩小装置的体积并提高其性能,预期将逐步取代同容量的 GTR。功率MOSFET的发展趋势是提高容量,普及应...
无锡商甲半导体MOS 管封装形式及散热性能分析 TO-220 封装TO-220 封装是一种较为经典且常见的封装形式,具有通用性强、成本低的特点。它通常采用塑料材质,引脚呈直插式,便于...
SGT MOSFET,即屏蔽栅沟槽MOSFET(Shielded Gate Trench MOSFET),是一种半新型的功率半导体器件。它基于传统沟槽MOSFET技术,并通过结构上的改进来提升性能...
无锡商甲半导体提供专业选型服务 封装选择关键因素 功率需求高功率(>100W):TO-247、TO-220、D2PAK。 中低功率(<100W):DPAK、SO-8、QFN。 ...
事实表明,无论是电力、机械、矿冶、交通、石油、能源、化工、轻纺等传统产业,还是通信、激光、机器人、环保、原子能、航天等高技术产业,都迫切需要高质量、高效率的电能。而电力电子正是将各种一次能源高效率地变...
无锡商甲半导体MOS 管封装形式及散热性能分析 TO-247 封装 TO-247 封装与 TO-220 封装类似,同样属于直插式封装,但体积更大,引脚更粗。其散热片面积也相应增大,散热...
功率器件几乎用于所有的电子制造业,包括计算机领域的笔记本、PC、服务器、显示器以及各种外设;网络通信领域的手机、电话以及其它各种终端和局端设备;消费电子领域的传统黑白家电和各种数码产品;工业控制类...
功率器件几乎用于所有的电子制造业,包括计算机领域的笔记本、PC、服务器、显示器以及各种外设;网络通信领域的手机、电话以及其它各种终端和局端设备;消费电子领域的传统黑白家电和各种数码产品;工业控制类...
无锡商家半导体 TO-3P/247TO247是一种常见的小外形封装,属于表面贴封装类型,其中的“247”是封装标准的编号。值得注意的是,TO-247封装与TO-3P封装都采用3引脚输出,且内...
1、超级结的性能提升方法使沟槽和沟槽间距尽可能小和深。SJ-MOS可以设计为具有较低电阻的N层,从而实现低导通电阻产品。2、超级结存在的问题本质上超级结MOSFET比平面MOSFET具有更大的pn...
2025.11.11 无锡500至1200V FRDTrenchMOSFET价格比较
2025.11.05 浙江样品TrenchMOSFET大概价格多少
2025.11.04 无锡20V至100V N+P MOSFETTrenchMOSFET价格比较
2025.10.30 广东专业选型MOSFET供应商价格行情
2025.10.29 广东500至1200V FRDMOSFET供应商大概价格多少
2025.10.27 浙江电动汽车MOSFET供应商哪家公司好
2025.10.23 深圳新型TrenchMOSFET参数选型
2025.10.21 重庆500至1200V FRDMOSFET供应商供应商
2025.10.20 上海12V至200V P MOSFETMOSFET供应商厂家价格
2025.10.17 广东焊机MOSFET供应商芯片
2025.10.14 无锡代理TrenchMOSFET参数选型
2025.10.13 深圳12V至200V P MOSFETTrenchMOSFET哪家公司便宜
2025.10.10 上海新能源MOSFET供应商中低压MOS产品
2025.10.09 江苏工业变频MOSFET供应商大概价格多少
2025.10.08 上海定制MOSFET供应商高压MOS产品
2025.10.07 江苏工程MOSFET供应商供应商
2025.10.06 无锡20V至100V N+P MOSFETTrenchMOSFET规格书
2025.10.02 江苏电池管理系统MOSFET供应商哪里有
2025.10.01 中国台湾无刷直流电机MOSFET供应商价格比较
2025.09.30 江苏封装技术MOSFET供应商产品介绍