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MOS管选型指南 评估开关性能 开关性能受栅极电容影响,影响导通和关闭过程中的损耗。在选择MOS管时,后一步是考察其开关性能。开关性能受到多个参数的影响,其中重要的是栅极/漏极、栅极/...
场效应管与晶体管在电气特性方面的主要区别有以下几点:贴片场效应管场效应管 1:场效应管是电压控制器件,管子的导电情况取决于栅极电压的高低。晶体管是电流控制器件,管子的导电情况取决于基极电流的...
你或许曾好奇,为何手机电源键轻按一下,便能唤醒沉睡的屏幕?又或是电脑CPU如何以每秒数十亿次的速度处理纷繁复杂的指令?这些奇迹背后的推手,正是那默默无闻却无处不在的MOSFET。它仿佛是电子世界的...
MOS管选型指南 评估开关性能 开关性能受栅极电容影响,影响导通和关闭过程中的损耗。在选择MOS管时,后一步是考察其开关性能。开关性能受到多个参数的影响,其中重要的是栅极/漏极、栅极/...
选择MOS管的指南 确定电压 选择MOS管时,电压是一个关键因素。需根据实际应用场景确定所需的额定电压以确保其安全性。额定电压不仅影响器件的成本,还直接关系到其安全性。设计人员需要根据...
MOS管封装 TO-3P/247 TO247是一种常见的小外形封装,属于表面贴封装类型,其中的“247”是封装标准的编号。值得注意的是,TO-247封装与TO-3P封装都采用3引脚输出...
选择合适的MOSFET是一个涉及多个因素的决策过程,这些因素包括但不限于器件的类型(N沟道或P沟道)、封装类型、耐压、导通电阻、开关特性等。以下是一些基本的指导原则和步骤,用于选择适合特定应用需求...
MOSFET,全称金属-氧化物半导体场效应晶体管,是现代电子领域中极为关键的一种元件。那么,MOSFET是否属于芯片的一种呢?答案是肯定的。从广义上来讲,芯片是指内含集成电路的硅片,而MOSFET...
商甲半导体的MOS管产品线展现出的综合优势: 高效:低Rds(on)与低Qg的完美结合,使得器件在导通损耗和开关损耗上都达到优异水平,提升系统效率,满足日益严苛的能效标准 。运行能力:...
MOS管应用场景: 机器人 MOS管在机器人领域的应用非常光,它可以作为放大器,能够调节输入信号的电压,从而在不失真的情况下放大信号,提升机器人传感器系统的灵敏度和准确性,这对于机器...
MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)的重要参数可分为静态参数、动态参数和极限参数三大类,以下是关键参数详解: 静态参数 漏源击穿电压(V(BR)DSS):在栅源电压为零时...
MOS管应用场景 LED照明 LED电源是各种LED照明产品,如LED灯管、LED灯泡、LED投光灯等产品必备的,在汽车照明领域,MOS管也为汽车LED照明系统提供稳定、高效的驱动电压...
MOSFET的三个关键电极各具特色:栅极(Gate)作为控制电极,通过调节电压来操控源极和漏极之间导电沟道的通断;源极(Source)作为载流子的“供应者”,为导电沟道提供起点;漏极(Drain)...
MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)的重要参数可分为静态参数、动态参数和极限参数三大类,以下是关键参数详解: 静态参数 漏源击穿电压(V(BR)DSS):在栅源电压为零时...
MOS管选型指南 封装因素考量 封装方式影响散热性能和电流承载能力,选择需考虑系统散热条件和环境温度。在构成开关电路时,不同尺寸的MOS管封装会影响其热阻和耗散功率。因此,必须综合考虑...
一、电源及储能、光伏产品 MOS管在电源电路中常作为电子开关使用,通过控制栅极电压来改变漏源极之间的导通状态,实现电流的快速接通和断开。MOS管具有较低的导通电阻和开关时间,减少开关损耗,提...
MOS管常用封装 随着电子技术的不断进步,如今主板和显卡的PCB板更倾向于采用表面贴装式封装的MOSFET,而非传统的直插式封装。因此,本文将重点探讨表面贴装式封装的MOSFET,并深入介绍...
一、电源及储能、光伏产品 MOS管在电源电路中常作为电子开关使用,通过控制栅极电压来改变漏源极之间的导通状态,实现电流的快速接通和断开。MOS管具有较低的导通电阻和开关时间,减少开关损耗,提...
电吹风机的风速和温度调节依赖于精确的电机和加热丝控制。TrenchMOSFET应用于电吹风机的电机驱动和加热丝控制电路。在电机驱动方面,其低导通电阻使电机运行更加高效,降低了电能消耗,同时宽开关速度能...
TO-252、 TO-220、TO-247、TO-263、DFN-5x6 等全系列封装的商甲半导体 MOSFET,其中封装产品占位面积较传统封装缩减,完美适配消费电子小型化与散热需求。丰富的封装形式可...
TrenchMOSFET制造:多晶硅填充操作在氧化层生长完成后,需向沟槽内填充多晶硅。一般采用低压化学气相沉积(LPCVD)技术,在600-700℃温度下,以硅烷为原料,在沟槽内沉积多晶硅。为确保多晶...
无锡商甲半导体 150V Trench MOSFET 适合 96V 电机,适配这类电压电机的功率需求,如小型水泵电机。其反向恢复时间短,减少电机运行中的电磁干扰,让设备运行更安静。且耐温性能好,在...
SGTMOSFET制造:沟槽刻蚀工艺沟槽刻蚀是塑造SGTMOSFET独特结构的重要步骤。光刻工序中,利用光刻版将设计好的沟槽图案转移到外延层表面光刻胶上,光刻分辨率要求达到0.2-0.3μm,以满足日...
商甲半导体全系列 MOSFET 提供**样品测试和应用技术支持,专业研发团队可提供定制化方案设计服务,从选型到量产全程保驾护航,让您的产品开发更高效、更可靠。 提供芯片级定制服务,根据客户特...
MOSFET是汽车电子中的重要元件,被广泛应用于汽车中涉及(有刷、无刷)直流电机、电源等零部件中,汽车引擎、驱动系统中的变速箱控制器以及制动、转向控制,车身、照明及智能出行都离不开MOSFET。现今社...
商甲半导体的产品可以应用于电池管理系统,公司产品目前涵盖20V-150V产品,封装形式有TO-252/TO-263/PDFN5*6-8L、SOP-8/TOLL封装产品。其导通电阻和栅极电荷更低,能...
在电子领域蓬勃发展的进程中,MOSFET 作为一类举足轻重的可控硅器件,其身影无处不在。从日常使用的各类电子设备,到汽车电子系统的精密控制,再到工业控制领域的复杂运作,MOSFET 都发挥着无可替代的...
制造工艺与材料创新SGTMOSFET的制造涉及高精度刻蚀、多晶硅填充和介质层沉积等关键工艺。沟槽结构的形成需通过深反应离子刻蚀(DRIE)实现高宽深比,而屏蔽电极通常采用掺杂多晶硅或金属材料以平衡导电...
制造工艺与材料创新SGTMOSFET的制造涉及高精度刻蚀、多晶硅填充和介质层沉积等关键工艺。沟槽结构的形成需通过深反应离子刻蚀(DRIE)实现高宽深比,而屏蔽电极通常采用掺杂多晶硅或金属材料以平衡导电...
在电动汽车应用中,选择TrenchMOSFET器件首先要关注关键性能参数。对于主驱动逆变器,器件需具备低导通电阻(Ron),以降低电能转换损耗,提升系统效率。例如,在大功率驱动场景下,导通电阻每降低1...
2025.11.11 无锡500至1200V FRDTrenchMOSFET价格比较
2025.11.05 浙江样品TrenchMOSFET大概价格多少
2025.11.04 无锡20V至100V N+P MOSFETTrenchMOSFET价格比较
2025.10.30 广东专业选型MOSFET供应商价格行情
2025.10.29 广东500至1200V FRDMOSFET供应商大概价格多少
2025.10.27 浙江电动汽车MOSFET供应商哪家公司好
2025.10.23 深圳新型TrenchMOSFET参数选型
2025.10.21 重庆500至1200V FRDMOSFET供应商供应商
2025.10.20 上海12V至200V P MOSFETMOSFET供应商厂家价格
2025.10.17 广东焊机MOSFET供应商芯片
2025.10.14 无锡代理TrenchMOSFET参数选型
2025.10.13 深圳12V至200V P MOSFETTrenchMOSFET哪家公司便宜
2025.10.10 上海新能源MOSFET供应商中低压MOS产品
2025.10.09 江苏工业变频MOSFET供应商大概价格多少
2025.10.08 上海定制MOSFET供应商高压MOS产品
2025.10.07 江苏工程MOSFET供应商供应商
2025.10.06 无锡20V至100V N+P MOSFETTrenchMOSFET规格书
2025.10.02 江苏电池管理系统MOSFET供应商哪里有
2025.10.01 中国台湾无刷直流电机MOSFET供应商价格比较
2025.09.30 江苏封装技术MOSFET供应商产品介绍