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07-15 2024
ACS714LLCTR-30A1
ACS714LLCTR-30A1

A4940KLPTR-T是一种线性霍尔传感器集成电路,设计用于测量磁场并输出电压信号。它具有高灵敏度、低偏移误差、低温度系数和良好的线性度等特点。该器件采用标准的CMOS工艺,具有体积小、重量轻、功耗低、可靠性高、易于批量生产等优点。A4940KLPTR-T广泛应用于各种磁场检测应用,如电流检测、位...

07-15 2024
FSDM0265RNB
FSDM0265RNB

生产的成本越低,但对工艺就要求的越高。晶圆涂膜晶圆涂膜能抵抗氧化以及耐温能力,其材料为光阻的一种。晶圆光刻显影、蚀刻光刻工艺的基本流程如图1[2]所示。首先是在晶圆(或衬底)表面涂上一层光刻胶并烘干。烘干后的晶圆被传送到光刻机里面。光线透过一个掩模把掩模上的图形投影在晶圆表面的光刻胶上,实现...

07-15 2024
ERA-3AEB1241V
ERA-3AEB1241V

总部位于深圳福田区福虹路世界贸易广场A座,2002年成立北京分公司,是专业的IC供货商(只做原装),其中有8位单片机、32位单片机;在该领域已经营多年,资源丰富,目前已发展成为一家专业化、规模化的电子元器件经销商,且得到厂商的大力支持与新老客户的认同,公司工程技术力量强大,可为客户设计指导方...

07-15 2024
74HC04
74HC04

总部位于深圳福田区福虹路世界贸易广场A座,2002年成立北京分公司,是专业的IC供货商(只做原装),其中有8位单片机、32位单片机;在该领域已经营多年,资源丰富,目前已发展成为一家专业化、规模化的电子元器件经销商,且得到厂商的大力支持与新老客户的认同,公司工程技术力量强大,可为客户设计指导方...

07-15 2024
ICE3BR0665J
ICE3BR0665J

这就是同种芯片内核可以有不同的封装形式的原因。比如:DIP、QFP、PLCC、QFN等等。深圳市硅宇电子有限公司(SHENZHENGUIYUELECTRONICSCO.,LTD)成立于2000年,总部位于深圳福田区福虹路世界贸易广场A座,2002年成立北京分公司,是专业的IC供货商(只做原装...

07-15 2024
NC7SZ126P5X
NC7SZ126P5X

每个系统板具有在双列直插式存储模块之间交错的冷却管。当这些系统板相对地放置在一起时,每个系统板上的双列直插式存储模块由在另一个系统板上的冷却管冷却。相比于之前的方法,这种方法允许更高密度的双列直插式存储模块,同时仍然提供必要的冷却。这种方法也是安静的,并且由此可以靠近办公室员工放置。这种方法...

07-14 2024
A4955KLPTR-T
A4955KLPTR-T

A4982SLPTR-T是四通道、模拟光耦合器。该器件采用小巧的SOIC-8封装,具有四个的通道,可实现四个的信号传输通道。A4982SLPTR-T具有高精度的信号传输性能,可实现高精度的信号隔离和传输。此外,A4982SLPTR-T具有低功耗特性,可延长系统的电池寿命。它还具有高可靠性,可长时间保...

07-14 2024
NE555DT
NE555DT

且得到厂商的大力支持与新老客户的认同,公司工程技术力量强大,可为客户设计指导方案开发。国产芯片迎黄金发展期。[3]2020年8月10日,据美国消费者新闻与商业频道网站日报道,**公布了一系列政策来帮助提振国内半导体行业。大部分激励措施的焦点是减税。[4]2022年2月8日,欧盟公布《芯片法案...

07-14 2024
DS28E01P-100+T
DS28E01P-100+T

力争在高科技领域不受制于人。[8]4、美国消费者新闻与商业频道网站8月10日报道指出,**计划到2020年将半导体自给率提高到40%,到2025年提高到70%。[4]瑞士米拉博证券公司技术、媒体和电信研究主管尼尔·坎普林在电子邮件中告诉消费者新闻与商业频道记者:“我认为,这场新的技术冷战正是...

07-14 2024
BAR88-02V H6327
BAR88-02V H6327

国产芯片迎黄金发展期。[3]2020年8月10日,据美国消费者新闻与商业频道网站日报道,**公布了一系列政策来帮助提振国内半导体行业。大部分激励措施的焦点是减税。[4]2022年2月8日,欧盟公布《芯片法案》。[11]2022年11月,美国宾夕法尼亚大学工程**领导的研究小组发明了一种芯片,...

07-14 2024
LM2904DGKR
LM2904DGKR

dimm)的集成电路产生大量的热量,特别是在高密度配置中。现有许多技术对集成电路进行冷却,但是存在许多与这些现有技术相关的缺点。空气冷却是嘈杂的,并且因此当靠近办公室人员/在工作环境中布置时是不期望的。当需要维护双列直插式存储模块时,液体浸入式冷却是杂乱的。另一种方法使用将双列直插式存储模块...

07-14 2024
TLC0832IDR
TLC0832IDR

公司工程技术力量强大,可为客户设计指导方案开发。这溶解部分接着可用溶剂将其冲走。这样剩下的部分就与遮光物的形状一样了,而这效果正是我们所要的。这样就得到我们所需要的二氧化硅层。掺加杂质将晶圆中植入离子,生成相应的P、N类半导体。具体工艺是从硅片上暴露的区域开始,放入化学离子混合液中。这一工艺...

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