内嵌观察窗402通过观察窗翻折滚轮401内嵌入装置内部,工作人员可通过内嵌的透明窗对内部的制备状况进行实时查看,从而很好的体现了该装置的实时性。推荐的,盐酸装罐7的顶端嵌入连接有热水流入漏斗9,在进行制备时需要向盐酸装罐7内倒入一定比例的热水进行均匀调和,由于热水与盐酸接触会产生较为剧烈的反应,溅出容易伤害工作人员,通过设置热水流...
查看详细 >>Cu2+的蚀刻作用由次要地位而跃居主要地位,此时蚀刻速率慢,即应考虑蚀刻液的更新。一般工厂很少分析和测定蚀刻液中的含铜量,多以蚀刻时间和蚀刻质量来确定蚀刻液的再生与更新。蚀刻铜箔的同时,还伴有一些副反应,就是CuCl2和FeCl3的水解反应:FeCl3+3H2O→Fe(OH)3↓+3HClCuCl2+2H2O→Cu(OH)2↓+2HCl生...
查看详细 >>在PCB行业中会产生大量微蚀液、蚀刻液、硝酸铜等含有不同浓度的重金属废水,如果不进行处理就直接排放一方面造成资源的严重浪费,另一方面还会严重影响我们环境和自身健康!以前对于这些废液的处理方法是通过投加大量的药剂实现的,但是传统的加化学药剂,操作成本高,且造成大量铜污泥产生及排放废水导电度过高(溶解性盐类造成),导致废水回用难度...
查看详细 >>苏州博洋化学股份有限公司研发中心拥有先进的科研生产和检测设备,专业的研发团队。致力于电子领域环保、节能环境友好化学品的研究开发;并根据客户的个性化需求量身定做整套解决方案,力求客户100%满意。公司以苏州大学、苏州科技大学、上海交通大学等高校研发队伍为依托,对新技术、新设备的研究进行精细化管理,以达“技术求新,产品求精”,开发能够提升人类...
查看详细 >>Cu2+的蚀刻作用由次要地位而跃居主要地位,此时蚀刻速率慢,即应考虑蚀刻液的更新。一般工厂很少分析和测定蚀刻液中的含铜量,多以蚀刻时间和蚀刻质量来确定蚀刻液的再生与更新。蚀刻铜箔的同时,还伴有一些副反应,就是CuCl2和FeCl3的水解反应:FeCl3+3H2O→Fe(OH)3↓+3HClCuCl2+2H2O→Cu(OH)2↓+2HCl生...
查看详细 >>酸性蚀刻是制造印刷电路板过程中必不可少的工序,酸性蚀刻工序利用酸性蚀刻液在蚀刻机内完成。酸性蚀刻液包括酸性蚀刻子液和酸性蚀刻母液。通过再生循环方法提取铜回收废液继续使用,可以明显减少环境的污染,电解反应是通过阳极的氧化作用使一价铜变为二价铜,使得蚀刻液恢复再生能力,而阴极则通过还原作用来沉积铜,使得蚀刻液具备蚀刻的负载能力。但是会产生氯离...
查看详细 >>可以充分的将蚀刻液中的亚铜离子电解转化为金属铜,起到循环电解蚀刻液的作用;装置主体1左端表面靠近上端固定安装有抽气泵19,抽气泵19下方设置有集气箱21,集气箱21与抽气泵19之间连接有排气管20,电解池4下端连接有二号排液管22,二号排液管22内部上端设置有二号电磁阀23,装置主体1内部底端靠近左侧设置有倾斜板24,装置主体1前...
查看详细 >>苏州博洋化学股份有限公司研发中心拥有先进的科研生产和检测设备,专业的研发团队。致力于电子领域环保、节能、环境友好化学品的研究开发;并根据客户的个性化需求量身定做整套解决方案,力求客户100%满意。公司以苏州大学、苏州科技大学、上海交通大学等高校研发队伍为依托,对新技术、新设备的研究进行精细化管理,以达“技术求新,产品求精”,开发能够提升人...
查看详细 >>苏州博洋化学股份有限公司联系人:丁 先 生 公司地址:苏州市高新区浒关工业园华桥路155号分机号: 欢迎光大顾客朋友来电咨询BOE蚀刻液,同时也欢迎各位来我司参观交流!苏州博洋化学股份有限公司联系人:丁 先 生 公司地址:苏州市高新区浒关工业园华桥路155号欢迎光大顾客朋友来电咨询,同时也欢迎各位来我司参观交流!苏州博洋化学股份有限公司联...
查看详细 >>酸性蚀刻液是用于印制电路板线路制作和多层板内层制作的蚀刻液,随着电路板行业的迅速发展,产生的废液量越来越大,发掘的污染物种类也越来越多,对环境造成巨大的危害,此类问题也成为社会的重要课题。为了减少甚至杜绝此类污染的发生,我们需要对酸性蚀刻液进行回收循环利用。目前对于酸性蚀刻废液的再生利用大多采用化学或电化学的方法,但传统的方法废液中总铜的...
查看详细 >>所述液位计7安装于所述分离器的外表面。液位计7安装在方便工作人员查看的位置,有利于提高工作人员工作的效率。在一个实施例中,如图1所示,所述液位开关9为控制阀,设置于所述滤液出口2处。控制阀为内螺纹截止阀,通过旋转操纵盘实现阀门的开关,这种阀结构简单,维修方便,工作行程小,启闭时间短,使用寿命长。在一个实施例中,如图2所示,所述分离...
查看详细 >>在上述硅烷系偶联剂的含量处于上述含量范围内的情况下,能够调节添加剂本身凝胶化,且获得合适的sio2防蚀和sin蚀刻性能。(c)水本发明的蚀刻液组合物中所包含的上述水可以为用于半导体工序的去离子水,推荐使用18mω/㎝以上的上述去离子水。上述水的含量可以为使包含本发明的必须成分以及除此以外的其他成分的组合物总重量成为100重量%的余...
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