蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术，蚀刻技术分为湿蚀刻和干蚀刻，其中，湿蚀刻是采用化学试剂，经由化学反应达到蚀刻的目的，薄膜场效应晶体管液晶显示器(tft～lcd)、发光二极管(led)、有机发光二极管(oled)等行业用作面板过程中铟锡氧化物半导体透明导电膜(ito)的蚀刻通常采用盐酸和硝酸的混合水溶液。现有的制备装置在...

chispasocalentamientossuperficialescapacesdeprovocarlaignicióndelaatmóéctricasenlosemplazamientosqueresultenclasificadoscomozonasconpeligrodeexplosiónodeincendio,sele...

缓冲氧化物蚀刻液（BOE）又称为缓冲氧化物蚀刻剂，是由氢氟酸（49%）与水或氟化铵与水混合而成。作为一种湿式蚀刻剂，缓冲氧化物蚀刻液具有速率快、蚀刻容易控制、溶解能力高等特点。缓冲氧化物蚀刻液主要用于蚀刻二氧化硅（SiO2）或氮化硅（Si3N4）的薄膜，下游应用涉及到光伏太阳能、半导体、平板显示等多个领域。 年来，得益于新能源、...

silane)系偶联剂和水，上述硅烷系偶联剂使上述硅烷系偶联剂的反应位点(activesite)的数量除以上述硅烷系偶联剂的水解(hydrolysis)了的形态的分子量之后乘以。此外，提供一种选择硅烷系偶联剂的方法，其是选择用于在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*选择性蚀刻上述氮化物膜的蚀刻液组合物的硅烷系偶联剂的方法，其特征在于，选...

所述装置主体前端表面靠近左上边角位置设置有活动板，所述分隔板右端放置有蓄水箱，所述蓄水箱上端靠近右侧连接有进水管，所述回流管下端连接有抽水管，所述抽水管内部上端设置有三号电磁阀，所述装置主体前端表面靠近右侧安装有控制面板。作为本发明的进一步方案，所述分隔板与承载板相互垂直设置，所述电解池内部底端的倾斜角度设计为5°。作为本发明的进...

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本实用新型涉及光刻胶生产设备，具体是一种光刻胶废剥离液回收装置。背景技术：光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一，其是由溶剂、感光树脂、光引发剂和添加剂四种成分组成的对光敏感的混合液体。在紫外光、深紫外光、电子束、离子束等光照或辐射下，进行光化学反应，经曝光、显影等过程，将所需要的微细图形从掩模版转移至待加工的衬底上，然后...

技术领域：本发明涉及一种选择性剥离光刻胶制备微纳结构的方法，可用于微纳制造，光学领域，电学，生物领域，mems领域，nems领域。技术背景：微纳制造技术是衡量一个国家制造水平的重要标志，对提高人们的生活水平，促进产业发展与经济增长，保障**安全等方法发挥着重要作用，微纳制造技术是微传感器、微执行器、微结构和功能微纳系统制造的基...

能够除去抗蚀剂。用本发明剥离液处理施加有抗蚀剂的基材的条件没有特别限定，例如，可以举出在设为10～80℃的本发明剥离液中浸渍基材1～60分钟左右的条件、将设为10～80℃的本发明剥离液向基材喷雾1～60分钟左右的条件。需要说明的是，浸渍时，可以摇动基材，或对本发明剥离液施加超声波。抗蚀剂的种类没有特别限定，可以是例如干膜抗蚀剂、液体抗蚀剂...

本实用新型涉及光刻胶生产设备，具体是一种光刻胶废剥离液回收装置。背景技术：光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一，其是由溶剂、感光树脂、光引发剂和添加剂四种成分组成的对光敏感的混合液体。在紫外光、深紫外光、电子束、离子束等光照或辐射下，进行光化学反应，经曝光、显影等过程，将所需要的微细图形从掩模版转移至待加工的衬底上，然后...

通常用于金属层蚀刻的铜酸蚀刻溶液主要成分为过氧化氢和一些添加剂；过氧化氢用于对金属进行氧化，而添加剂则主要将氧化物酸化成离子态，使其溶解于溶液中，并且维持蚀刻特性要求。由于过氧化氢同时具有氧化性和还原性，其可以将铜氧化，也可以被金属离子催化发生歧化分解反应，生成氧气。如果此反应速度过快，则会生热乃至引起等安全事故。与此同时，二价铜离子也具...

所述九氟丁基烷基醚主要由九氟正丁基烷基醚和九氟异丁基烷基醚组成。5.权利要求14中任一项的组合物，特征在于，所述组合物是共沸的或共沸型的。6.权利要求5的组合物，特征在于，所述组合物包含515重量％的甲基四氢呋喃和8595重量％的九氟丁基甲基醚。7.共沸组合物，其包含8重量％的甲基四氢呋喃和92重量％的九氟丁基甲基醚，并且在大气压...