“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！五展联动孕育无限发展商机IACECHINA2025将与第17届中國國際粉末冶金及硬质合金展览会（PMCHINA）、2025上海國際线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会（MMICCHINA)、2025上海國際增材制造应用技术展览会（AMCHINA)和2025上海國際粉体加工与处理展览会（POWDEXCHINA）同期同地举办。五展联动，串联相关产业链，吸引更多的观众群体，形成既汇聚更多参展企业同台竞技，又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。本届展会（2025年）展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。诚邀您莅临参观！云集中外杰出供应商的中國國際先進陶瓷展览会！2025年3月10-12日，新之联伊丽斯诚邀您相聚上海！华东国际先进陶瓷技术前沿论坛
“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。碳化硅作为第三代半导体的代表性材料之一，展现了突出的性能优势，具有极高的产业价值，被当下业内称为“黄金投资赛道”。我国“十四五”规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，是國家战略性需求的重要行业。我们通过对碳化硅产业链的基本情况及碳化硅衬底、外延、功率器件环节的价值分析，揭示碳化硅产业链的发展趋势以及面临的机遇与挑战。五展联动孕育无限发展商机IACECHINA2025将与第17届中國國際粉末冶金及硬质合金展览会（PMCHINA）、2025上海國際线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会（MMICCHINA)、2025上海國際增材制造应用技术展览会（AMCHINA)和2025上海國際粉体加工与处理展览会（POWDEXCHINA）同期同地举办。五展联动，串联相关产业链，吸引更多的观众群体，形成既汇聚更多参展企业同台竞技，又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。本届展会（2025年）展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。诚邀您莅临参观！2025年3月10日-12日中国上海国际先进陶瓷展览会“2025中國國際先進陶瓷展”为行业精英提供学术研究与应用实践的融合平台，2025年3月10日上海见！
“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。无压烧结在常压下进行烧结，主要包括常规无压烧结、两步法烧结、两段法烧结。1、常规无压烧结将陶瓷坯体通过加热装置加热到一定温度，经保温后冷却到室温以制备陶瓷的方法。常规烧结采用高温长时间、等烧结速率进行，此方法需要较高的烧结温度（超过1000℃）和较长的保温时间。如果烧结温度较低，则不能够形成足够的液相填充坯体里的气孔，材料晶界结合不好并且材料中存在较大的孔洞，此时材料的电性能较差；烧结温度过高，可能导致晶界的移动速度过快，出现晶粒异常增大现象。2、两步法烧结烧结流程为：陶瓷坯体通过加热装置加热到一定温度后不进行保温，立即以很快的速度降温到相对较低的温度进行长时间的保温。与常规烧结方法相比，两步烧结法巧妙地通过控制温度的变化，在抑制晶界迁移（这将导致晶粒长大）的同时，保持晶界扩散（这是坯体致密化的动力）处于活跃状态，来实现晶粒不长大的前提下达到烧结的目的。3、两段法烧结在相对较低的温度下保温一段时间，然后再在较高的温度下保温，后自然冷却。用此工艺可以降低烧结温度和缩短烧结时间，此方式可以用于烧结细晶钛酸钡陶瓷。
在需要高功率的场景中，常将多颗SiC功率半导体封装到模块中，实现芯片互连和与其他电路的连接。SiC功率模块封装包括芯片、绝缘基板、散热基板等组件。按封装芯片类型，可分为混合模块和全SiC模块，前者是替换硅基IGBT中的二极管，后者全用SiC芯片，两者在效率、尺寸和成本上有差异；按拓扑方式，可分为三相模块、半桥模块等封装形式；按散热方式，可分为单面冷却和双面冷却；按封装外壳类型，可分为转模塑封结构和HPD（gao压聚乙烯塑料）框架结构。随着需求多样化，定制化模块逐渐流行。目前，SiC功率模块多沿用传统硅基IGBT封装结构，难以发挥SiC材料特性，面临可靠性和成本等挑战。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。诚邀您莅临参观！“中國國際先進陶瓷展览会”创新应用和解决方案：2025年3月10-12日上海世博展览馆。诚邀您莅临参观！
PVT法通过感应加热碳化硅粉料，在密闭生长腔室内高温低压下使其升华产生反应气体，通过固—气反应产生碳化硅单晶反应源，在生长腔室顶部设置碳化硅籽晶，气相组分在籽晶表面原子沉积，生长为碳化硅单晶。HT-CVD法在2000-2500℃下，使用高纯度气体在高温区形成碳化硅气态前驱物，带入低温区沉积形成碳化硅晶体。LPE法基于“溶解—析出”原理，通过碳在1400℃至1800℃高温纯硅溶液中的溶解和从过饱和溶液中析出碳化硅晶体来实现生长，需助熔剂提高碳溶解度。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕！展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等一应俱全的产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观！深耕行业市场，开拓业务网络，新之联伊丽斯诚邀您相聚2025年3月10日中國國際先進陶瓷展览会！3月10-12日中国上海市国际先进陶瓷粉末冶金展览会
“中國國際先進陶瓷展览会”汇聚国内外優秀企业和业界精英：2025年3月10日上海见。诚邀您莅临参观！华东国际先进陶瓷技术前沿论坛
半导体材料作为一种在常温下导电性能介于绝缘体与导体之间的特殊物质，在现代科技产业中发挥着至关重要的作用，被誉为现代工业的“粮食”。从研究和规模化应用的时间顺序来看，半导体材料可分为三代。与以硅（Si）、锗（Ge）为dai表的一代半导体和以砷化镓（GaAs）为dai表的第二代半导体相比，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为dai表的第三代半导体具有高禁带宽度、高击穿电场、高热导率、高电子饱和漂移速率等特征，可以满足科技发展对高温、高功率、gao压、高频等复杂场景的器件要求。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。展会展览面积将超过50,000平方米，中外展商约900家，参展品牌1500个，国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点，整合全产业链资源，集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等一应俱全的产品、服务和整体解决方案。诚邀您莅临参观！华东国际先进陶瓷技术前沿论坛
