为应对Chiplet集成挑战，中清航科推出自主知识产权的混合键合（HybridBonding）平台。采用铜-铜直接键合工艺，凸点间距降至5μm，互连密度达10⁴/mm²。其测试芯片在16核处理器集成中实现8Tbps/mm带宽，功耗只为传统方案的1/3。中清航科研发的纳米银烧结胶材料突破高温封装瓶颈。在SiC功率模块封装中，烧结层导热系数达250W/mK，耐受温度600℃，使模块寿命延长5倍。该材料已通过ISO26262认证，成为新能源汽车OBC充电模组优先选择方案。中清航科芯片封装工艺，引入纳米涂层技术，提升芯片表面防护能力。浙江集成电路to封装
面向CPO共封装光学，中清航科开发硅光芯片耦合平台。通过亚微米级主动对准系统，光纤-光栅耦合效率＞85%，误码率＜1E-12。单引擎集成8通道112GPAM4，功耗降低45%。中清航科微流控生物芯片封装通过ISO13485认证。采用PDMS-玻璃键合技术，实现5μm微通道密封。在PCR检测芯片中，温控精度±0.1℃，扩增效率提升20%。针对GaN器件高频特性，中清航科开发低寄生参数QFN封装。通过金线键合优化将电感降至0.2nH，支持120V/100A器件在6GHz频段工作。电源模块开关损耗减少30%。wlcsp封装焊接方法芯片封装防干扰至关重要，中清航科电磁屏蔽技术，保障复杂环境稳定。
中清航科部署封装数字孪生系统，通过AI视觉检测实现微米级缺陷捕捉。在BGA植球工艺中，球径一致性控制±3μm，位置精度±5μm。智能校准系统使设备换线时间缩短至15分钟，产能利用率提升至90%。针对HBM内存堆叠需求，中清航科开发超薄芯片处理工艺。通过临时键合/解键合技术实现50μm超薄DRAM晶圆加工，4层堆叠厚度400μm。其TSV深宽比达10:1，阻抗控制在30mΩ以下，满足GDDR6X1TB/s带宽要求。中清航科可拉伸封装技术攻克可穿戴设备难题。采用蛇形铜导线与弹性体基底结合，使LED阵列在100%拉伸形变下保持导电功能。医疗级生物相容材料通过ISO10993认证，已用于动态心电图贴片量产。
先进芯片封装技术-系统级封装（SiP）：SiP是将多个不同功能的芯片以并排或叠加的方式，封装在一个单一的封装体内，实现系统级的功能集成。与SoC（系统级芯片）相比，SiP无需复杂的IP授权，设计更灵活、成本更低。中清航科在SiP技术上积累了丰富经验，能够根据客户需求，将多种芯片高效整合在一个封装内，为客户提供具有成本优势的系统级封装解决方案，广泛应用于消费电子、汽车电子等领域。想要了解更多详细内容可以关注我司官网。芯片封装引脚密度攀升，中清航科微焊技术，确保细如发丝的连接可靠。
COB的理论优势1、设计研发：没有了单个灯体的直径，理论上可以做到更加微小。2、技术工艺：减少支架成本和简化制造工艺，降低芯片热阻，实现高密度封装。3、工程安装：从应用端看，COBLED显示模块可以为显示屏应用方的厂家提供更加简便、快捷的安装效率。4、产品特性上：超轻薄：可根据客户的实际需求，采用厚度从0.4-1.2mm厚度的PCB板，使重量极少降低到原来传统产品的1/3，可为客户明显降低结构、运输和工程成本。防撞抗压：COB产品是直接将LED芯片封装在PCB板的凹形灯位内，然后用环氧树脂胶封装固化，灯点表面凸起成球面，光滑而坚硬，耐撞耐磨。大视角：视角大于175度，接近180度，而且具有更的光学漫散色浑光效果。5G 芯片对封装要求高，中清航科定制方案，适配高速传输场景需求。浙江射频芯片封装
中清航科芯片封装技术，支持混合信号集成，降低不同电路间的干扰。浙江集成电路to封装
常见芯片封装类型-DIP：DIP即双列直插式封装，是较为早期且常见的封装形式。它的绝大多数中小规模集成电路芯片采用这种形式，引脚数一般不超过100个。采用DIP封装的芯片有两排引脚，可插入具有DIP结构的芯片插座，也能直接焊接在有对应焊孔的电路板上。其优点是适合PCB上穿孔焊接，操作方便；缺点是封装面积与芯片面积比值大，体积较大。中清航科在DIP封装业务上技术成熟，能以高效、稳定的生产流程，为对成本控制有要求且对芯片体积无严苛限制的客户，提供质优的DIP封装产品。浙江集成电路to封装
