随着摩尔定律逼近物理极限，先进封装成为提升芯片性能的关键路径。中清航科在Fan-Out晶圆级封装（FOWLP）领域实现突破，通过重构晶圆级互连架构，使I/O密度提升40%，助力5G射频模块厚度缩减至0.3mm。其开发的激光解键合技术将良率稳定在99.2%以上，为毫米波通信设备提供可靠封装方案。面对异构集成需求激增，中清航科推出3DSiP立体封装平台。该方案采用TSV硅通孔技术与微凸点键合工艺，实现CPU、HBM内存及AI加速器的垂直堆叠。在数据中心GPU领域，其散热增强型封装结构使热阻降低35%，功率密度提升至8W/mm²，满足超算芯片的严苛要求。中清航科芯片封装工艺，引入数字孪生技术，实现全流程可视化管控。qfn40封装
为应对Chiplet集成挑战，中清航科推出自主知识产权的混合键合（HybridBonding）平台。采用铜-铜直接键合工艺，凸点间距降至5μm，互连密度达10⁴/mm²。其测试芯片在16核处理器集成中实现8Tbps/mm带宽，功耗只为传统方案的1/3。中清航科研发的纳米银烧结胶材料突破高温封装瓶颈。在SiC功率模块封装中，烧结层导热系数达250W/mK，耐受温度600℃，使模块寿命延长5倍。该材料已通过ISO26262认证，成为新能源汽车OBC充电模组优先选择方案。qfn40封装中清航科芯片封装技术，通过电磁兼容设计，降低多芯片间信号干扰。
在LED照明与显示技术不断革新的背景下，COB(ChiponBoard，板上芯片封装)技术凭借高集成度、均匀出光等优势，成为行业焦点。众多LED封装厂家围绕COB技术展开研发与实践，实现了多项关键突破。散热性能提升是COB技术突破的重要方向。传统封装中，热量积聚易导致光衰加速、寿命缩短。厂家通过改进基板材料，采用高导热陶瓷基板或金属基复合材料，大幅降低热阻;同时优化芯片布局与封装结构，构建高效散热通道，使COB模组的工作温度明显降低，有效提升了产品稳定性与使用寿命。
先进芯片封装技术-晶圆级封装（WLP）：晶圆级封装是在晶圆上进行封装工艺，实现了芯片尺寸与封装尺寸的接近，减小了封装体积，提高了封装密度。与传统先切割晶圆再封装不同，它是先封装后切割晶圆。中清航科的晶圆级封装技术处于行业前沿，能够为客户提供高集成度、小型化的芯片封装产品，在物联网、可穿戴设备等对芯片尺寸和功耗要求苛刻的领域具有广阔应用前景。想要了解更多内容可以关注我司官网，另外有相关需求欢迎随时联系。人工智能芯片功耗高，中清航科封装创新，助力散热与能效双提升。
中清航科的应急响应机制：在生产和服务过程中，难免会遇到突发情况，如设备故障、原材料短缺等。中清航科建立了完善的应急响应机制，能在短时间内启动应急预案，采取有效的应对措施，确保生产和服务不受重大影响。例如，当设备出现故障时，公司的维修团队会迅速到位进行抢修，同时启用备用设备保障生产连续性，比较大限度减少对客户交货周期的影响。芯片封装在新能源领域的应用：新能源领域如新能源汽车、光伏发电等，对芯片的可靠性和耐温性有较高要求。中清航科为新能源汽车的电池管理系统芯片提供高可靠性封装，确保芯片在高低温环境下准确监测和管理电池状态；为光伏发电设备的控制芯片提供耐候性强的封装，保障设备在户外复杂环境下稳定运行，助力新能源产业的发展。中清航科聚焦芯片封装，用绿色工艺，降低生产过程中的能耗与排放。陶瓷封装
5G 芯片对封装要求高，中清航科定制方案，适配高速传输场景需求。qfn40封装
常见芯片封装类型-DIP：DIP即双列直插式封装，是较为早期且常见的封装形式。它的绝大多数中小规模集成电路芯片采用这种形式，引脚数一般不超过100个。采用DIP封装的芯片有两排引脚，可插入具有DIP结构的芯片插座，也能直接焊接在有对应焊孔的电路板上。其优点是适合PCB上穿孔焊接，操作方便；缺点是封装面积与芯片面积比值大，体积较大。中清航科在DIP封装业务上技术成熟，能以高效、稳定的生产流程，为对成本控制有要求且对芯片体积无严苛限制的客户，提供质优的DIP封装产品。qfn40封装
