中清航科WLCSP测试一体化方案缩短生产周期。集成探针卡与临时键合层，实现300mm晶圆单次测试成本降低40%。在PMIC量产中，测试覆盖率达99.2%。面向航天应用，中清航科抗辐照封装通过MIL-STD-750认证。掺铪二氧化硅钝化层使总剂量耐受＞300krad，单粒子翻转率＜1E-10error/bit-day。已服务低轨卫星星座项目。中清航科MEMS真空封装良率突破98%。采用多孔硅密封技术，腔体真空度维持＜0.1Pa十年以上。陀螺仪零偏稳定性达0.5°/h，满足导航级应用。中清航科深耕芯片封装，以技术创新为引擎，助力中国芯片产业突破升级。江苏sot封装加工
先进芯片封装技术-晶圆级封装（WLP）：晶圆级封装是在晶圆上进行封装工艺，实现了芯片尺寸与封装尺寸的接近，减小了封装体积，提高了封装密度。与传统先切割晶圆再封装不同，它是先封装后切割晶圆。中清航科的晶圆级封装技术处于行业前沿，能够为客户提供高集成度、小型化的芯片封装产品，在物联网、可穿戴设备等对芯片尺寸和功耗要求苛刻的领域具有广阔应用前景。想要了解更多内容可以关注我司官网，另外有相关需求欢迎随时联系。上海sip封装 苏州车载芯片振动环境严苛，中清航科加固封装，提升抗机械冲击能力。
面对卫星载荷严苛的空间环境，中清航科开发陶瓷多层共烧（LTCC）MCM封装技术。采用钨铜热沉基底与金锡共晶焊接，实现-196℃~+150℃极端温变下热失配率＜3ppm/℃。通过嵌入式微带线设计将信号串扰抑制在-60dB以下，使星载处理器在单粒子翻转（SEU）事件率降低至1E-11errors/bit-day。该方案已通过ECSS-Q-ST-60-13C宇航标准认证，成功应用于低轨卫星星务计算机，模块失效率＜50FIT（10亿小时运行故障率）。针对万米级深海探测装备的100MPa超高压环境，中清航科金属-陶瓷复合封装结构。采用氧化锆增韧氧化铝（ZTA）陶瓷环与钛合金壳体真空钎焊，实现漏率＜1×10⁻¹⁰Pa·m³/s的密封。内部压力补偿系统使腔体形变＜0.05%，保障MEMS传感器在110MPa压力下精度保持±0.1%FS。耐腐蚀镀层通过3000小时盐雾试验，已用于全海深声呐阵列封装，在马里亚纳海沟实现连续500小时无故障探测。
中清航科可延展电子封装实现200%形变耐受。银纳米线导电网络电阻变化率＜5%，结合自愈合弹性体，使电子皮肤寿命超5万次弯折。医疗监测设备通过FDA认证。面向5G滤波器，中清航科开发SAW芯片气密封装。氮化铝压电薄膜搭配金凸点倒装，使2.6GHz滤波器插损＜1.5dB，带外抑制＞55dB。温度稳定性达-25ppm/℃。中清航科碲锌镉探测器封装突破能量分辨率。钨铜屏蔽结构使本底噪声降低90%，在122keV伽马射线探测中分辨率达5.1%。核医疗设备成像清晰度提升40%。芯片封装可靠性需长期验证，中清航科加速老化测试，提前暴露潜在问题。
芯片封装在物联网领域的应用：物联网设备通常具有小型化、低功耗、低成本的特点，对芯片封装的要求独特。中清航科的晶圆级封装技术在物联网领域大显身手，该技术能实现芯片的超小型化和低功耗，满足物联网设备对尺寸和功耗的严格要求。同时，公司为物联网传感器芯片提供的封装方案，能提高传感器的灵敏度和可靠性，确保物联网设备在复杂环境下的数据采集和传输准确性。想要了解更多内容可以关注我司官网，同时欢迎新老客户来电咨询。中清航科聚焦芯片封装，用创新结构设计，提升芯片抗振动冲击能力。江苏半导体封装
芯片封装需精密工艺，中清航科以创新技术提升散热与稳定性，筑牢芯片性能基石。江苏sot封装加工
常见芯片封装类型-DIP：DIP即双列直插式封装，是较为早期且常见的封装形式。它的绝大多数中小规模集成电路芯片采用这种形式，引脚数一般不超过100个。采用DIP封装的芯片有两排引脚，可插入具有DIP结构的芯片插座，也能直接焊接在有对应焊孔的电路板上。其优点是适合PCB上穿孔焊接，操作方便；缺点是封装面积与芯片面积比值大，体积较大。中清航科在DIP封装业务上技术成熟，能以高效、稳定的生产流程，为对成本控制有要求且对芯片体积无严苛限制的客户，提供质优的DIP封装产品。江苏sot封装加工
