为应对Chiplet集成挑战，中清航科推出自主知识产权的混合键合（HybridBonding）平台。采用铜-铜直接键合工艺，凸点间距降至5μm，互连密度达10⁴/mm²。其测试芯片在16核处理器集成中实现8Tbps/mm带宽，功耗只为传统方案的1/3。中清航科研发的纳米银烧结胶材料突破高温封装瓶颈。在SiC功率模块封装中，烧结层导热系数达250W/mK，耐受温度600℃，使模块寿命延长5倍。该材料已通过ISO26262认证，成为新能源汽车OBC充电模组优先选择方案。芯片封装需精密工艺，中清航科以创新技术提升散热与稳定性，筑牢芯片性能基石。浙江江苏封装代工厂
芯片封装的基础概念：芯片封装，简单来说，是安装半导体集成电路芯片的外壳。它承担着安放、固定、密封芯片的重任，能有效保护芯片免受物理损伤以及空气中杂质的腐蚀。同时，芯片封装也是沟通芯片内部与外部电路的关键桥梁，芯片上的接点通过导线连接到封装外壳的引脚上，进而与印制板上的其他器件建立连接。中清航科深谙芯片封装的基础原理，凭借专业的技术团队，能为客户解读芯片封装在整个半导体产业链中的基础地位与关键作用，助力客户从源头理解相关业务。江苏半导体封装公司芯片封装引脚密度攀升，中清航科微焊技术，确保细如发丝的连接可靠。
随着摩尔定律逼近物理极限，先进封装成为提升芯片性能的关键路径。中清航科在Fan-Out晶圆级封装（FOWLP）领域实现突破，通过重构晶圆级互连架构，使I/O密度提升40%，助力5G射频模块厚度缩减至0.3mm。其开发的激光解键合技术将良率稳定在99.2%以上，为毫米波通信设备提供可靠封装方案。面对异构集成需求激增，中清航科推出3DSiP立体封装平台。该方案采用TSV硅通孔技术与微凸点键合工艺，实现CPU、HBM内存及AI加速器的垂直堆叠。在数据中心GPU领域，其散热增强型封装结构使热阻降低35%，功率密度提升至8W/mm²，满足超算芯片的严苛要求。
先进芯片封装技术-2.5D/3D封装：2.5D封装技术可将多种类型芯片放入单个封装，通过硅中介层实现信号横向传送，提升封装尺寸和性能，需用到硅通孔（TSV）、重布线层（RDL）、微型凸块等主要技术。3D封装则是在垂直方向叠放两个以上芯片，直接在芯片上打孔和布线连接上下层芯片堆叠，集成度更高。中清航科在2.5D/3D封装技术方面持续创新，已成功应用于高性能计算、人工智能等领域，帮助客户实现芯片性能的跨越式提升。有相关需求欢迎随时联系。工业芯片环境复杂，中清航科封装方案，强化防尘防潮防腐蚀能力。
针对TMR传感器灵敏度，中清航科开发磁屏蔽封装。坡莫合金屏蔽罩使外部场干扰＜0.1mT，分辨率达50nT。电流传感器精度达±0.5%，用于新能源汽车BMS系统。中清航科微型热电发生器实现15%转换效率。Bi₂Te₃薄膜与铜柱互联结构使输出功率密度达3mW/cm²（ΔT=50℃）。物联网设备实现供能。中清航科FeRAM封装解决数据保持难题。锆钛酸铅薄膜与耐高温电极使10¹²次读写后数据保持率＞99%。125℃环境下数据保存超10年，适用于工业控制存储。芯片封装测试环节关键，中清航科全项检测，确保出厂芯片零缺陷。上海sip系统级封装
中清航科深耕芯片封装，从设计到量产全流程优化，缩短产品上市周期。浙江江苏封装代工厂
面对量子比特超导封装难题，中清航科开发蓝宝石基板微波谐振腔技术。通过超导铝薄膜微加工，实现5GHz谐振频率下Q值＞100万，比特相干时间提升至200μs。该方案已用于12量子比特模块封装，退相干率降低40%，为量子计算机提供稳定基础。针对AI边缘计算需求，中清航科推出近存计算3D封装。将RRAM存算芯片与逻辑单元垂直集成，互连延迟降至0.1ps/mm。实测显示ResNet18推理能效达35TOPS/W，较传统方案提升8倍，满足端侧设备10mW功耗要求。浙江江苏封装代工厂
