芯片封装的基础概念：芯片封装，简单来说，是安装半导体集成电路芯片的外壳。它承担着安放、固定、密封芯片的重任，能有效保护芯片免受物理损伤以及空气中杂质的腐蚀。同时，芯片封装也是沟通芯片内部与外部电路的关键桥梁，芯片上的接点通过导线连接到封装外壳的引脚上，进而与印制板上的其他器件建立连接。中清航科深谙芯片封装的基础原理，凭借专业的技术团队，能为客户解读芯片封装在整个半导体产业链中的基础地位与关键作用，助力客户从源头理解相关业务。超算芯片多芯片协同，中清航科先进封装，降低芯片间数据传输延迟。浙江模组封装
芯片封装的散热设计：随着芯片集成度不断提高，功耗随之增加，散热问题愈发突出。良好的散热设计能确保芯片在正常温度范围内运行，避免因过热导致性能下降甚至损坏。中清航科在芯片封装过程中，高度重视散热设计，通过优化封装结构、选用高导热材料、增加散热鳍片等方式，有效提升封装产品的散热性能。针对高功耗芯片，公司还会采用先进的液冷散热封装技术，为客户解决散热难题，保障芯片长期稳定运行，尤其在数据中心、高性能计算等领域发挥重要作用。上海芯片堆叠封装芯片封装引脚密度攀升，中清航科微焊技术，确保细如发丝的连接可靠。
针对TMR传感器灵敏度，中清航科开发磁屏蔽封装。坡莫合金屏蔽罩使外部场干扰＜0.1mT，分辨率达50nT。电流传感器精度达±0.5%，用于新能源汽车BMS系统。中清航科微型热电发生器实现15%转换效率。Bi₂Te₃薄膜与铜柱互联结构使输出功率密度达3mW/cm²（ΔT=50℃）。物联网设备实现供能。中清航科FeRAM封装解决数据保持难题。锆钛酸铅薄膜与耐高温电极使10¹²次读写后数据保持率＞99%。125℃环境下数据保存超10年，适用于工业控制存储。
中清航科推出SI/PI协同仿真平台，集成电磁场-热力多物理场分析。在高速SerDes接口设计中，通过优化封装布线减少35%串扰，使112G PAM4信号眼图高度提升50%。该服务已帮助客户缩短60%设计验证周期。中清航科自主开发的AMB活性金属钎焊基板，热导率达180W/mK。结合银烧结工艺的IGBT模块，热循环寿命达5万次以上。在光伏逆变器应用中，另功率循环能力提升3倍，助力客户产品质保期延长至10年。通过整合CP测试与封装产线，中清航科实现KGD（已知良品）全流程管控。在MCU量产中采用动态测试分Bin策略，使FT良率提升至99.85%。其汽车电子测试仓温度范围覆盖-65℃~175℃，支持功能安全诊断。中清航科芯片封装技术，平衡电气性能与机械保护，延长芯片使用寿命。
常见芯片封装类型 - PQFP：PQFP 是塑料方形扁平封装，常用于大规模或超大型集成电路，引脚数一般在 100 个以上。该封装形式引脚间距小、管脚细，需采用 SMD（表面安装设备技术）将芯片与主板焊接。这种方式使得芯片在主板上无需打孔，通过主板表面设计好的焊点即可完成焊接，且拆卸需用工具。PQFP 适用于高频使用，操作方便、可靠性高，芯片面积与封装面积比值小。中清航科的 PQFP 封装技术在行业内颇具优势，能满足客户对芯片高频性能及小型化的需求，广泛应用于通信、消费电子等领域。功率芯片封装热密度高，中清航科液冷集成方案，突破散热效率瓶颈。上海国内sip封装厂家
中清航科深耕芯片封装，以技术创新为引擎，助力中国芯片产业突破升级。浙江模组封装
为应对Chiplet集成挑战，中清航科推出自主知识产权的混合键合（Hybrid Bonding）平台。采用铜-铜直接键合工艺，凸点间距降至5μm，互连密度达10⁴/mm²。其测试芯片在16核处理器集成中实现8Tbps/mm带宽，功耗只为传统方案的1/3。中清航科研发的纳米银烧结胶材料突破高温封装瓶颈。在SiC功率模块封装中，烧结层导热系数达250W/mK，耐受温度600℃，使模块寿命延长5倍。该材料已通过ISO 26262认证，成为新能源汽车OBC充电模组优先选择方案。浙江模组封装
