中清航科深紫外LED封装攻克出光效率瓶颈。采用氮化铝陶瓷基板搭配高反射镜面腔体，使280nm UVC光电转换效率达12%。在杀菌模组应用中，光功率密度提升至80mW/cm²，寿命突破10,000小时。基于MEMS压电薄膜异质集成技术，中清航科实现声学传感器免ASIC封装。直接输出数字信号的压电微桥结构，使麦克风信噪比达74dB。尺寸缩小至1.2×0.8mm²，助力TWS耳机减重30%。中清航科太赫兹频段封装突破300GHz屏障。采用石英波导过渡结构，在0.34THz频点插损＜3dB。其天线封装（AiP）方案使安检成像分辨率达2mm，已用于人体安检仪量产。
针对TMR传感器灵敏度，中清航科开发磁屏蔽封装。坡莫合金屏蔽罩使外部场干扰＜0.1mT，分辨率达50nT。电流传感器精度达±0.5%，用于新能源汽车BMS系统。中清航科微型热电发生器实现15%转换效率。Bi₂Te₃薄膜与铜柱互联结构使输出功率密度达3mW/cm²（ΔT=50℃）。物联网设备实现供能。中清航科FeRAM封装解决数据保持难题。锆钛酸铅薄膜与耐高温电极使10¹²次读写后数据保持率＞99%。125℃环境下数据保存超10年，适用于工业控制存储。
先进芯片封装技术 - 晶圆级封装（WLP）：晶圆级封装是在晶圆上进行封装工艺，实现了芯片尺寸与封装尺寸的接近，减小了封装体积，提高了封装密度。与传统先切割晶圆再封装不同，它是先封装后切割晶圆。中清航科的晶圆级封装技术处于行业前沿，能够为客户提供高集成度、小型化的芯片封装产品，在物联网、可穿戴设备等对芯片尺寸和功耗要求苛刻的领域具有广阔应用前景。想要了解更多内容可以关注我司官网，另外有相关需求欢迎随时联系。
先进芯片封装技术 - 2.5D/3D 封装：2.5D 封装技术可将多种类型芯片放入单个封装，通过硅中介层实现信号横向传送，提升封装尺寸和性能，需用到硅通孔（TSV）、重布线层（RDL）、微型凸块等主要技术。3D 封装则是在垂直方向叠放两个以上芯片，直接在芯片上打孔和布线连接上下层芯片堆叠，集成度更高。中清航科在 2.5D/3D 封装技术方面持续创新，已成功应用于高性能计算、人工智能等领域，帮助客户实现芯片性能的跨越式提升。有相关需求欢迎随时联系。中清航科芯片封装工艺，通过仿真优化，提前规避量产中的潜在问题。
针对Micro LED巨量转移，中航清科开发激光释放转印技术。通过动态能量控制实现99.99%转移良率，支持每小时500万颗芯片贴装。AR眼镜像素密度突破5000PPI。基于忆阻器交叉阵列，中清航科实现类脑芯片3D封装。128×128阵列集成于1mm²面积，突触操作功耗＜10pJ。脉冲神经网络识别准确率超96%。中清航科超导芯片低温封装解决热应力难题。采用因瓦合金基板，在4K温区热失配＜5ppm/K。量子比特频率漂移控制在±0.1GHz，提升多比特纠缠保真度。中清航科芯片封装工艺，通过材料复合创新，平衡硬度与柔韧性需求。江苏集成电路陶瓷封装
中清航科芯片封装工艺，引入数字孪生技术，实现全流程可视化管控。浙江sip2封装
中清航科推出SI/PI协同仿真平台，集成电磁场-热力多物理场分析。在高速SerDes接口设计中，通过优化封装布线减少35%串扰，使112G PAM4信号眼图高度提升50%。该服务已帮助客户缩短60%设计验证周期。中清航科自主开发的AMB活性金属钎焊基板，热导率达180W/mK。结合银烧结工艺的IGBT模块，热循环寿命达5万次以上。在光伏逆变器应用中，另功率循环能力提升3倍，助力客户产品质保期延长至10年。通过整合CP测试与封装产线，中清航科实现KGD（已知良品）全流程管控。在MCU量产中采用动态测试分Bin策略，使FT良率提升至99.85%。其汽车电子测试仓温度范围覆盖-65℃~175℃，支持功能安全诊断。浙江sip2封装
