上述德隆电路可以衍生出另一种变体：在桥式整流的输出端使用两个相串联的电容器作为滤波电容，在滤波电容的中点与与交流输入的一端间联接一个开关。当开关切离时，这个电路会像一个正常的桥式整流；当开关接通时，就会成为前述的德隆电路，产生倍压整流的作用。 举例来说，当交流输入为 100~120V 时，可让开关为通路；当交流输入为 220~240V 时，可让开关为断路；这样便使它很容易在世界上任何电源间切换，产生大约 320V (±15%左右） 的直流电压，以送入一个相对简单的开关模式电源。二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。闵行区质量整流二极管按需定制
外加电压使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V）,称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造（掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。图1 常用二极管的符号图2 二极管结构选用闵行区质量整流二极管按需定制这两种整流二极管还具有较高的截止电压参数。
硅材料的禁带宽度较大，导热性能良好，适于制作大功率整流器件。在耐高压的整流装置中常采用高压硅堆，它由多个整流器件的管芯串联组成，其反向耐压由管芯的耐压及串联管芯数决定，最高耐压可达几百千伏。如果高频整流电路用于很高频率下，当交流电压的周期与整流器通态到关态的恢复时间相当时，整流器对高频电压不再起整流作用。为适应高频工作的需要，通常在硅整流器中采用掺金的方法，以缩短注入少数载流子的寿命，从而达到减小恢复时间的目的。
2．交流输入电流限制整流器/充电机应有交流输入电流限制电路，一般将交流输入电流限制到满载输入电流的115%。在发电机组供电时（此时整流器会接收到一个外部低电压信号，据此判断为是发电机组供电），应将交流输入电流限制到满载输入电流的100%。3．蓄电池充电电流限制整流器/充电机应有蓄电池充电电流限流电路，将蓄电池充电电流限制到UPS额定输出容量（KW）的15%。在发电机组供电时（当接收到一个外部低电压信号时），应将蓄电池充电电流限制到零。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。
这时，整流二极管处于导通状态，电流通过。而当反向电压施加在整流二极管上时，P区的正电荷和N区的负电荷会相互排斥，形成电流截止，电流无法通过。这时，整流二极管处于截止状态。整流二极管有多种类型，常见的有硅整流二极管和钨氧化铜整流二极管。硅整流二极管具有较高的工作温度和较低的导通压降，适用于高功率和高频率的应用。钨氧化铜整流二极管则具有较低的导通压降和较高的工作速度，适用于高精度和高速度的应用。整流二极管的主要特性参数包括最大反向电压、最大正向电流、导通压降和反向漏电流等。这些参数决定了整流二极管的工作范围和性能。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。长宁区标准整流二极管费用
P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。闵行区质量整流二极管按需定制
一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，有正极和负极两个端子。二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。整流二极管(rectifier diode)一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。通常它包含一个PN结，有正极和负极两个端子。其结构如图2所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。闵行区质量整流二极管按需定制
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