奉贤区综合电子元器件施工

12、STN （Super Twisted Nematic）带有约180度到270度扭曲向列的显示类型13、tf (Fall Time)响应速度：下降沿时间14、TN (Twisted Nematic)带有约90度扭曲向列的显示类型15、TNR (Tn With Retardation Film)一种彩色显示，它不采用彩色滤光片，而是在普通TN玻璃上附加上光程补偿片16、tr (Rise Time)响应速度：上升沿时间17、Vop (Operating Voltage)LCD驱动电压18、Vth (Threshold Voltage)阈值电压识别电子元器件常用产品的识别电阻电阻在电路中用“R”加数字表示，如：R1表示编号为1的电阻。电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置等。正温度系数热敏电阻(PTC)的检测。检测时，用万用表R×1挡，具体可分两步操作。奉贤区综合电子元器件施工

发展史、陶瓷磁性材料、印刷电路用基材基板、电子功能工艺材料、电子胶（带）制品、电子化学材料及部品等。电子元器件在质量方面国际上有欧盟的CE认证，美国的UL认证，德国的VDE和TUV认证以及中国的CQC认证等国内外认证，来保证元器件的合格。电子元器件的发展史其实就是一部浓缩的电子发展史。电子技术是十九世纪末、二十世纪初开始发展起来的新兴技术，二十世纪发展迅速，应用泛，成为近代科学技术发展的一个重要标志，一个象征。奉贤区综合电子元器件施工因此应使指针指示值尽可能落到刻度的中段位置，即全刻度起始的20%～80%弧度范围内，以使测量更准确。

在点接触型晶体管开发成功的同时，结型晶体管论就已经提出，但是直至人们能够制备超高纯度的单晶以及能够任意控制晶体的导电类型以后，结型晶体管材真正得以出现。1950年，具有使用价值的早的锗合金型晶体管诞生。1954年，结型硅晶体管诞生。此后，人们提出了场效应晶体管的构想。随着无缺陷结晶和缺陷控制等材料技术、晶体外诞生长技术和扩散掺杂技术、耐压氧化膜的制备技术、腐蚀和光刻技术的出现和发展，各种性能优良的电子器件相继出现，电子元器件逐步从真空管时代进入晶体管时代和大规模、超大规模集成电路时代。逐步形成作为高技术产业的半导体工业。

a、数标法主要用于贴片等小体积的电路，如：472表示47×100Ω(即4.7K)；104则表示100K。b、色环标注法使用多，现举例如下：四色环电阻五色环电阻(精密电阻)。2、电阻的色标位置和倍率关系如下表所示：颜色有效数字倍率允许偏差(%)从电阻的较细一段算起银色/x0.01±10金色/x从电阻的较细一段算起0.1±5黑色0+0/棕色1x10±1红色2x100±2橙色3x1000黄色4x10000a、数标法主要用于贴片等小体积的电路，如：472表示47×100Ω(即4.7K)；104则表示100K。说明其性能变劣，不能继续使用。注意不要使热源与PTC热敏电阻靠得过近或直接接触热敏电阻。

2、晶体三极管主要用于放大电路中起放大作用，在常见电路中有三种接法。为了便于比较，将晶体管三种接法电路所具有的特点列于下，名称共发射极电路共集电极电路(射极输出器)共基极电路。输入阻抗中(几百欧～几千欧)大(几十千欧以上)小(几欧～几十欧)输出阻抗中(几千欧～几十千欧)小(几欧～几十欧)大(几十千欧～几百千欧)电压放大倍数大小（小于1并接近于1）大电流放大倍数大(几十)(几十)小(小于1并接近于1)功率放大倍数大(约30～40分贝)小(约10分贝)中(约15～20分贝)频率特性高频差好电子元器件的检测是家电维修的一项基本功，安防行业很多工程维护维修技术也实际是来自于家电的维护维修。奉贤区综合电子元器件施工

读数与标称阻值之间分别允许有±5%、±10%或±20%的误差。如不相符，超出误差范围，则说明该电阻值变值了。奉贤区综合电子元器件施工

场效应晶体管1、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效应管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。两种型号的表示符号：3、场效应管与晶体管的比较(1)场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。(2)场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。奉贤区综合电子元器件施工

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