场效应晶体管1、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点,因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效应管做整个电子设备的输入级,可以获得一般晶体管很难达到的性能。2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类,其控制原理都是一样的。两种型号的表示符号:3、场效应管与晶体管的比较(1)场效应管是电压控制元件...
有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。(4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。1、电子元件:指在工厂生产加工时不改变分子成分的成品。如电阻器、电容器、电感器。因为它本身不产生电子,它对电压、电流无控制和变换作用,所以又称无源器件。按分类标准,电子元件可分为11个大类。2、电子器件:指在工厂生产加工时改变了分子结构的成品。例如晶体管、电子管、集成电路。因为它本身能产生电子,对电压、电流有控制、变换作用(放大、开关、整流、检波、振荡和调制等),所以又称有源器件。按分类标准,电子器件可分为12个大类,可归纳为真空电子器件和半导体器件两大块。3D MEMS系统每个端口只需要2个微反射镜,显降低了系统的繁杂程度。泰兴品牌电子元器件
电器设备内部的电子元器件虽然数量,但其故障却是有规律可循的。1.电阻损坏的特点电阻是电器设备中数量**多的元件,但不是损坏率比较高的元件。电阻损坏以开路**为常见,阻值变大较少见,阻值变小十分少见。电阻有碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻和保险电阻几种。前两种电阻应用**广,其损坏的特点一是低阻值(100Ω以下)和高阻值(100kΩ)的损坏率较高,阻值(如几百欧到几十千欧)的极少损坏;二是低阻值电阻损坏时往往是烧焦发黑,很容易发现,而高阻值电阻损坏时很少有痕迹。线绕电阻用作大电流限流,阻值不大。圆柱形线绕电阻烧坏时有的会发黑或表面爆皮、裂纹,有的没有痕迹。水泥电阻是线绕电阻的一种,烧坏时会断裂,否则也没有可见痕迹。保险电阻烧坏时有的表面会炸掉一块皮,有的也没有什么痕迹,但绝不会烧焦发黑。根据特点,在检查电阻时可有所侧重,快速找出损坏的电阻。浙江出口电子元器件有机会去公司参观和交流学习。
因此各种新研制的光器件也都或多或少与波分复用有关。DWDM的发展思路一直是追求更高的频谱效率,一方面提高每个通道的速率,另一方面增加通道密度。在速率上,商用系统大多为2.5Gbit/s或10Gbit/s,更高速率的40Gbit/s系统正在实用化,预计到2004年开始商业应用,一些电信公司如阿尔卡特的实验室已进行了160Gbit/s的传输实验。在通道密度方面,通道间的波长间隙已小到25GHz,还在向12.5GHz努力,使得商用系统的总通道数现为160~240个,实验室中比较高达到1022个。为得到更大容量,有时不得不在上述两者之间折衷考虑,同时还要采取抑制光纤中色散、非线性效应的措施。所有这些要求都涉及到器件的高速、灵活和可靠的问题,而且**终还必须考虑低成本的问题,这使得新原理、新结构和新功能的器件不断涌现。
识别电子元器件常用产品的识别电阻电阻在电路中用“R”加数字表示,如:R1表示编号为1的电阻。电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置等。1、参数识别:电阻的单位为欧姆(Ω),倍率单位有:千欧(KΩ),兆欧(MΩ)等。换算方法是:1兆欧=1000千欧=1000000欧。电阻的参数标注方法有3种,即直标法、色标法和数标法。a、数标法主要用于贴片等小体积的电路,如:472表示47×100Ω(即4.7K);104则表示100K。b、色环标注法使用**多,现举例如下:四色环电阻五色环电阻(精密电阻)。同时也已经发展称为一个相对独的高科技产业。
2 电解电容器的检测A 因为电解电容的容量较一般固定电容大得多,所以,测量时,应针对不同容量选用合适的量程。根据经验,一般情况下,1~47μF间的电容,可用R×1k挡测量,大于47μF的电容可用R×100挡测量。B 将万用表红表笔接负极,黑表笔接正极,在刚接触的瞬间,万用表指针即向右偏转较大偏度(对于同一电阻挡,容量越大,摆幅越大),接着逐渐向左回转,直到停在某一位置。此时的阻值便是电解电容的正向漏电阻,此值略大于反向漏电阻。实际使用经验表明,电解电容的漏电阻一般应在几百kΩ以上,否则,将不能正常工作。在测试中,若正向、反向均无充电的现象,即表针不动,则说明容量消失或内部断路;如果所测阻值很小或为零,说明电容漏电大或已击穿损坏,不能再使用。电子元器件包括:电阻、电容、电感、电位器、电子管。现代电子元器件互惠互利
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1950年,具有使用价值的**早的锗合金型晶体管诞生。1954年,结型硅晶体管诞生。此后,人们提出了场效应晶体管的构想。随着无缺陷结晶和缺陷控制等材料技术、晶体外诞生长技术和扩散掺杂技术、耐压氧化膜的制备技术、腐蚀和光刻技术的出现和发展,各种性能优良的电子器件相继出现,电子元器件逐步从真空管时代进入晶体管时代和大规模、超大规模集成电路时代。逐步形成作为高技术产业**的半导体工业。由于社会发展的需要,电子装置变的越来越复杂,这就要求了电子装置必须具有可靠性、速度快、消耗功率小以及质量轻、小型化、成本低等特点。自20世纪50年代提出集成电路的设想后,由于材料技术、器件技术和电路设计等综合技术的进步,在20世纪60年代研制成功了***代集成电路。泰兴品牌电子元器件
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场效应晶体管1、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点,因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效应管做整个电子设备的输入级,可以获得一般晶体管很难达到的性能。2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类,其控制原理都是一样的。两种型号的表示符号:3、场效应管与晶体管的比较(1)场效应管是电压控制元件...
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