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二极管基本参数
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  • 聪硕
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  • 齐全
二极管企业商机

当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。 [5]当外加的反向电压高到一定程度时,PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。PN结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。金山区新型二极管商家

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PN结单向导电性在PN结外加正向电压V,在这个外加电场的作用下,PN结的平衡状态被打破,P区中的空穴和N区的电子都往PN结方向移动,空穴和PN结P区的负离子中和,电子和PN结N区的正离子中和,这样就使PN结变窄。随着外加电场的增加,扩散运动进一步增强,漂移运动减弱。当外加电压超过门槛电压,PN结相当于一个阻值很小的电阻,也就是PN结导通。点接触型二极管点接触型二极管的PN结接触面积小,不能通过较大的正向电流和承受较高的反向电压,但它的高频性能好,适宜在高频检波电路和开关电路中使用 [5]。嘉定区选择二极管按需定制当电压超过0.6V时,电流开始按指数规律增大,通常称此为二极管的开启电压;

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反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生齐纳击穿。 [5]另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时,外加电场使电子漂移速度加快,从而与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子,载流子雪崩式地增加,致使电流急剧增加,这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿,若对其电流不加限制,都可能造成PN结长久性损坏。

二极管1N4001是一种整流二极管,操作和存储温度范围为-65~175℃。IN4007可以替换,整流二极管1N4001和IN4007的区别**是反向耐压不一样,其余参数都相同。二极管类型:整流二极管比较大周期性方向峰值电压:50V比较大有效值电压:35V比较大直流闭锁电压:50V比较大正向整流电流:1.0A典型结电容:30pF操作和存储温度范围:-65~175℃华强北指数监测数据显示,2014年整流二极管1N4001价格指数走势较为平稳。整流二极管1N4001的品牌主要为KED,基本掌握了行业定价权。***数据显示,2014年12月整流二极管1N4001的市场平均价格为0.016元/PCS。负极,又叫阴极,给二极管两极间加上正向电压时,二极管导通, 加上反向电压时,二极管截止。

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二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件 [1]。二极管有两个电极,正极,又叫阳极;负极,又叫阴极,给二极管两极间加上正向电压时,二极管导通, 加上反向电压时,二极管截止。 二极管的导通和截止,则相当于开关的接通与断开 [2]。二极管具有单向导电性能,导通时电流方向是由阳极通过管子流向阴极。二极管是**早诞生的半导体器件之一,其应用非常***。特别是在各种电子电路中,利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接,构成不同功能的电路,可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能 [3]。在二极管加有正向电压,当电压值较小时,电流极小;奉贤区优势二极管均价

这种P型半导体中以空穴导电为主,空穴为多数载流子,自由电子为少数载流子。金山区新型二极管商家

发光二极管也是由一个 PN 结构成,具有单向导电性。但其正向工作电压(开启电压)比普通二极管高,约为 1~2.5V,反向击穿电压比普通二极管低,约 5V 左右。当正向电流达到 1mA 左右时开始发光,发光强度近似与工作电流成正比;但工作电流达到一定数值时,发光强度逐渐趋于饱和,与工作电流成非线性关系。一般小型发光二极管正向工作电流为10~20mA,比较大正向工作电流为 30~50mA。发光二极管的外形可以做成矩形、圆形、字形、符号形等多种形状,又有红、绿、黄、橙、红外等多种颜色。它具有体积小、功耗低、容易驱动、光效高、发光均匀稳定、响应速度快以及寿命长等特点,普遍用在指示灯及大屏幕显示装置中。金山区新型二极管商家

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