45、QFP（FP）（QFP fine pitch）小中心距QFP。日本电子机械工业会标准所规定的名称。指引脚中心距为0.55mm、0.4mm、0.3mm等小于0.65mm的QFP（见QFP）。46、QIC（quad in-line ceramic package）陶瓷QFP的别称。部分半导体厂家采用的名称（见QFP、Cerquad）。47、QIP（quad in-line plastic package）塑料QFP的别称。部分半导体厂家采用的名称（见QFP）。48、QTCP（quad tape carrier package）四侧引脚带载封装。TCP封装之一，在绝缘带上形成引脚并从封装四个侧面引出。是利用TAB技术的薄型封装（见TAB、TCP）。49、QTP（quad tape carrier package）四侧引脚带载封装。日本电子机械工业会于1993年4月对QTCP所制定的外形规格所用的名称（见TCP）。50、QUIL（quad in-line）按其功能、结构的不同，可以分为模拟集成电路、数字集成电路和数/模混合集成电路三大类。徐州质量集成电路服务热线
9、DIL（dual in-line）DIP的别称（见DIP）。欧洲半导体厂家多用此名称。10、DIP（dual in-line package）双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是**普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从6到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm和10.16mm的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP（窄体型DIP）。但多数情况下并不加区分，只简单地统称为DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也称为cerdip（见cerdip）。江阴名优集成电路销售厂家QFI的别称（见QFI），在开发初期多称为MSP。QFI是日本电子机械工业会规定的名称。
另外，有的LSI厂家把引脚中心距为0.5mm的QFP专门称为收缩型QFP或SQFP、VQFP。但有的厂家把引脚中心距为0.65mm及0.4mm的QFP也称为SQFP，至使名称稍有一些混乱。QFP的缺点是，当引脚中心距小于0.65mm时，引脚容易弯曲。为了防止引脚变形，现已出现了几种改进的QFP品种。如封装的四个角带有树指缓冲垫的BQFP（见BQFP）；带树脂保护环覆盖引脚前端的GQFP（见GQFP）；在封装本体里设置测试凸点、放在防止引脚变形的**夹具里就可进行测试的TPQFP（见TPQFP）。在逻辑LSI方面，不少开发品和高可靠品都封装在多层陶瓷QFP里。引脚中心距**小为0.4mm、引脚数**多为348的产品也已问世。此外，也有用玻璃密封的陶瓷QFP（见Gerqa d）。
凸点陈列载体，BGA的别称（见BGA）。34、PCLP（printed circuit board leadless package）印刷电路板无引线封装。日本富士通公司对塑料QFN（塑料LCC）采用的名称（见QFN）。引脚中心距有0.55mm和0.4mm两种规格。35、PFPF（plastic flat package）塑料扁平封装。塑料QFP的别称（见QFP）。部分LSI厂家采用的名称。36、PGA（pin grid array）集成电路陈列引脚封装。插装型封装之一，其底面的垂直引脚呈陈列状排列。封装基材基本上都采用多层陶瓷基板。在未专门表示出材料名称的情况下，多数为陶瓷PGA，用于高速大规模逻辑LSI电路。前述将电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜（thin-film）集成电路。
成本较高。引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从64到447左右。为了为降低成本，封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替。也有64～256引脚的塑料PGA。另外，还有一种引脚中心距为1.27mm的短引脚表面贴装型PGA（碰焊PGA）。（见表面贴装型PGA）。37、piggy back驮载封装。指配有插座的陶瓷封装，形关与DIP、QFP、QFN相似。在开发带有微机的设备时用于评价程序确认操作。例如，将EPROM插入插座进行调试。这种封装基本上都是定制品，市场上不怎么流通。表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP等的逻辑LSI电路。江阴名优集成电路销售厂家
焊接时确实焊牢，焊锡的堆积、气孔容易造成虚焊。徐州质量集成电路服务热线
这就是初期集成电路的构想，晶体管的发明使这种想法成为了可能，1947年在美国贝尔实验室制造出来了***个晶体管，而在此之前要实现电流放大功能只能依靠体积大、耗电量大、结构脆弱的电子管。晶体管具有电子管的主要功能，并且克服了电子管的上述缺点，因此在晶体管发明后，很快就出现了基于半导体的集成电路的构想，也就很快发明出来了集成电路。杰克·基尔比（Jack Kilby）和罗伯特·诺伊斯（Robert Noyce）在1958~1959期间分别发明了锗集成电路和硅集成电路。徐州质量集成电路服务热线
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